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[发明专利]一种等离子显示屏障壁及其制作方法-CN200510096146.1无效
发明人：鲁开诚 -专利权人：彩虹集团电子股份有限公司
申请日： 2005-10-13 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：一种等离子显示屏障壁及其制作方法，首先在基板上用丝网印刷法或涂敷法形成一个所需厚度的障壁材料层；然后通过光刻法在障壁材料层上形成条形或井字形障壁掩膜，在每一条纵向障壁掩膜的末端至少设置一个与纵向障壁掩膜宽度相等的虚设障壁和虚设障壁掩膜，该虚设障壁掩膜与纵向障壁掩膜的间隙小于相邻的两纵向障壁掩膜或横向障壁掩膜的间隙；最后通过喷砂法将砂粒喷射在障壁材料层4和虚设障壁掩膜上，从而形成障壁。由于虚设障壁掩膜周围的障壁材料层与障壁掩膜周围的障壁层同时被喷砂法切开，通过喷砂法形成的虚设障壁实际阻止了被基板回弹的砂粒到达障壁末端，使得障壁末端侧面被喷掉的部分减少，阻止了被过量喷蚀而形成弯曲的凹面
一种等离子显示屏障及其制作方法

[发明专利]基于掩膜板的电射流法交替沉积软硬复合薄膜的制备工艺-CN202210065072.9在审
发明人：张志慧;邓建新 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C18/06 文献下载
摘要：本发明属于减摩耐磨薄膜领域，涉及基于掩膜板的电射流法交替沉积软硬复合薄膜的制备工艺。其制备工艺为：提供掩膜板，所述掩膜板设置若干条形空穴，将掩膜板覆盖在基体表面，利用电射流沉积法在掩膜板的空穴内沉积硬涂层材料前体，再将沉积后的硬涂层材料前体烧结形成硬质条形结构，再将掩膜板覆盖在基体表面，使掩膜板的空穴位于硬质条形结构之间，然后电射流沉积法在掩膜板的空穴内沉积软涂层材料，将沉积后的软涂层材料热处理，即得。本发明不仅能够解决单一材料的不足，使用寿命大大提高，而且材料用量较少，膜层更薄，易实现工业化生产。
基于掩膜板射流交替沉积软硬复合薄膜制备工艺

[发明专利]一种侦测掩膜图形保真度的系统及方法-CN201410531631.6有效
发明人：张士健;林益世 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种侦测掩膜图形保真度的系统及方法，将掩膜图形的量测图形与掩膜图形的版图进行亚像素精度的叠图匹配，并建立所述掩膜图形的量测图形的边界至所述掩膜图形的版图边界的法向量，计算所述法向量长度的标准差，根据所述标准差来判断掩膜图形的保真度。将所述掩膜图形的量测图形与所述掩膜图形的版图进行亚像素精度的叠图匹配，并经过计算所述法向量长度的标准差来评判掩膜图形的保真度，大大提高了评判的精准度；最终使用法向量长度的标准差来作为评判标准，给出了直观的评判数据
一种侦测图形保真度系统方法

[发明专利]一种金属掩膜板-CN201410178390.1有效
发明人：张鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属掩膜板，以解决真空蒸镀法中衬底基板与金属掩膜板对位困难、对位误差较大的问题。所述金属掩膜板用于真空蒸镀法中作为衬底基板的掩膜板，所述金属掩膜板包括掩膜图形及若干对位孔，所述对位孔在所述金属掩膜板中的延伸方向与所述金属掩膜板所在平面的垂直方向不重合，且所述对位孔不穿透所述金属掩膜板本发明实施例中，光线在对位孔内多次反射且一部分光线被吸收，CCD系统根据金属掩膜板的对位孔和衬底基板的对位标记生成的图像具有较大的颜色对比，因此容易区分，从而降低对位难度，减小对位误差。
一种金属掩膜板

[发明专利]一种掩膜法静电纺一体化铜导电膜层及其制备方法-CN202011125428.0有效
发明人：屈银虎;王钰凡;高浩斐;张红;何炫;张学硕 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： D04H1/4382 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩膜法静电纺一体化铜导电膜层，包括在陶瓷基板上覆盖有印刷电路的掩膜，该印刷电路的掩膜刻有电路形状网络，该印刷电路的掩膜上覆盖有一层纺丝前驱体。本发明还公开了该种掩膜法静电纺一体化铜导电膜层的制备方法，步骤包括：1)配制金属离子溶液；2)制备纺丝前驱体溶液；3)进行静电纺丝处理；4)真空干燥；5)利用管式炉在氮气气氛下对一体化铜导电膜层进行高温处理，即得掩膜法静电纺一体化铜导电膜层。
一种掩膜法静电一体化导电及其制备方法

[发明专利]三维印录存储器-CN201280042212.5有效
发明人：张国飙 -专利权人：杭州海存信息技术有限公司
申请日： 2012-09-02 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种三维印录存储器，其为一种改进的三维掩膜编程只读存储器，并采用了三种手段来降低数据录入成本：1）使用共享型数据掩膜版（18A）来降低分摊到每个海量出版物上的掩膜版成本；2）采用压印法来录入数据，压印法使用的数据模板比数据掩膜版（18A）便宜很多；3）通过采用偏置印录法来减少数据掩膜版（18A）的数目。
三维存储器

[发明专利]有源区的形成方法-CN200910251365.0有效
发明人：匡金;王乐;张明敏;邵永军 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-12-03 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种有源区的形成方法，包括：提供依次形成有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；在腐蚀阻挡层上形成硬掩膜层；用干法刻蚀法刻蚀硬掩膜层后，用湿法腐蚀法对硬掩膜层进行横向刻蚀，形成有源区目标图形；以硬掩膜层为掩膜本发明通过对硬掩膜层进行湿法腐蚀来打破光刻机工艺能力对有源区最小线宽的限制。
有源形成方法

[发明专利]压印存储器-CN201210319920.0有效
发明人：张国飙 -专利权人：成都海存艾匹科技有限公司
申请日： 2012-09-01 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：高昂的数据掩膜版成本将极大地限制掩膜编程只读存储器（mask-ROM）的广泛应用。它采用采用压印法（imprint-lithography）来录入数据。压印法也称为纳米压印法（nano-imprintlithography，简称为NIL），其采用的数据模版（template）比光刻法采用的数据掩膜版成本价格更为低廉。
压印存储器

[发明专利]压印存储器-CN201510091225.7在审
发明人：张国飙 -专利权人：杭州海存信息技术有限公司
申请日： 2012-09-02 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： G11C17/10 文献下载
摘要：高昂的数据掩膜版成本将极大地限制掩膜编程只读存储器（mask-ROM）的广泛应用。它采用压印法（imprint-lithography）来录入数据。压印法也称为纳米压印法（nano-imprint lithography，简称为NIL），其采用的数据模版（template）比光刻法采用的数据掩膜版成本价格更为低廉。
压印存储器

[发明专利]一种椎体终板及邻近松质骨自动分割方法及装置-CN202310120351.5有效
发明人：黄冕 -专利权人：博志生物科技（深圳）有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G06T7/11 文献下载
摘要：方法包括：对初始椎体CT影像数据进行重采样和归一化处理，得到目标椎体CT影像数据；将目标椎体CT影像数据输入椎体亚区域分割模型进行区域分割处理，得到目标椎体分割掩膜、目标终板分割掩膜以及目标侧板分割掩膜；根据计算机图形学原理，对目标终板分割掩膜进行解剖形态学识别，得到终板法向量；根据预先设定的宽度与高度和终板法向量，计算终板邻近松质骨区域分割掩膜，并对目标椎体分割掩膜、目标终板分割掩膜以及目标侧板分割掩膜的非松质部分进行去除
一种椎体终板邻近松质骨自动分割方法装置

[发明专利]等离子显示屏障壁及其制备方法以及等离子显示屏-CN201110459354.9无效
发明人：吕旭东;宋利建 -专利权人：四川虹欧显示器件有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01J9/24 文献下载
摘要：该制备方法包括以下步骤：首先在玻璃基板上用丝网印刷法或涂敷法形成障壁材料层；在障壁材料层上贴覆DFR膜，对DFR膜曝光、使用Na₂CO₃溶液显影，刻蚀形成条形或井字形障壁掩膜，每一个障壁掩膜都对应一个障壁；使用CaCl₂溶液处理障壁掩膜的侧端面，以中和侧端面上残留的Na₂CO₃溶液；最后通过喷沙法将砂粒喷射在障壁材料层上本发明所提供的等离子显示屏障壁的制备方法，增强了障壁掩膜的强度，特别是那些断面比较粗糙部分的强度，提高障壁掩膜侧壁的陡峭，提高障壁加工精度，减少障壁加工缺陷，提高显示屏的显示质量。
等离子显示屏障及其制备方法以及显示屏

[发明专利]一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法-CN202110662034.7有效
发明人：杨尚洁;杨永峰;张万垚;李林;折宇;陈宝忠 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明属于薄膜电阻制备技术领域，公开了一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上使用化学气相沉积法沉积二氧化硅绝缘层；使用物理气相沉积法在二氧化硅绝缘层上先沉积铬硅电阻层，再沉积钛钨层；使用化学气相沉积法在钛钨层上沉积二氧化硅层，作为硬掩膜；在硬掩膜上完成电阻图形的制备；对二氧化硅层进行刻蚀，形成硬掩膜窗口；使用强氧化溶剂对硬掩膜窗口的钛钨层进行去除；对铬硅电阻层进行干法预刻蚀；使用湿法化学腐蚀法对铬硅电阻层进行腐蚀，得到铬硅系薄膜电阻使用硬掩膜作为刻蚀阻挡层可解决湿法腐蚀的侵蚀问题，使用干法预刻蚀解决湿法腐蚀速率非线性变化的问题，可有效控制电阻图形的宽度、长度，提高电阻的精度。
一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法

[发明专利]一种基于Cr/Cu双层金属掩膜的硅湿法刻蚀方法-CN202110670761.8在审
发明人：邓元;严跃冬;张玮峰;华小社;梁立兴 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Cr/Cu双层金属掩膜的硅湿法刻蚀方法，属于半导体微纳米制造技术领域。本发明包括：采用溅射方法在硅片表面相继沉积Cr掩膜和Cu掩膜；通过光刻法在Cu掩膜上形成图案化的光刻胶；用第一刻蚀液体刻蚀Cu掩膜得到图案化的Cu掩膜；去除图案化的光刻胶；以图案化的Cu掩膜为掩膜，用第二刻蚀液体刻蚀Cr掩膜，得到图案化的Cr/Cu双层金属掩膜；用第三刻蚀液体刻蚀硅片；分别用第一刻蚀液体和第二刻蚀液体去除图案化的Cu掩膜和Cr掩膜。
一种基于 cr cu 双层金属湿法刻蚀方法

[发明专利]一种掩膜法制备磨粒有序排布工具的制备方法-CN202210781585.X在审
发明人：张富纬;邹余耀;李珂;吕厚平 -专利权人：江苏三晶半导体材料有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： B24D18/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩膜法制备磨粒有序排布工具的制备方法，属于磨料磨具领域，一种掩膜法制备磨粒有序排布工具的制备方法，包括有以下步骤：S1：激光切割掩膜：利用激光在塑料膜上切割出设定图案有序的掩膜微孔；S2：掩膜转移：塑料薄膜采用覆膜+主膜设计，主膜表面带有粘结剂。将激光制备好的塑料掩膜的覆膜撕掉然后黏贴在预处理好的基体表面；S3：电镀磨料：采用埋砂法将掩膜中填入磨粒后进行电镀；S4：取下掩膜板：将电镀好的基体取出，冲掉多余磨粒后将掩膜板撕下；它可以实现，解决了在
一种法制备磨粒有序排布工具制备方法

[发明专利]特效图的生成方法、装置、设备及存储介质-CN202211035725.5在审
发明人：袁琦 -专利权人：北京字跳网络技术有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G06T5/50 文献下载
摘要：获取当前光源信息、原始图像的法向图及目标对象掩膜图；其中，所述光源信息包括光源颜色、光源位置及光照强度；根据所述法向图、所述目标对象掩膜图及所述光源信息生成目标光照图；将所述目标光照图和所述原始图像进行融合本公开实施例提供的特效图的生成方法，根据法向图、目标对象掩膜图及光源信息生成目标光照图，可以生成具有打光效果的特效图，可以丰富图像的显示内容。
特效生成方法装置设备存储介质

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