专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种微型凹透镜的生产方法-CN200810196766.6无效
  • 赵云峰 - 赵云峰
  • 2008-10-13 - 2010-06-30 - G02B3/00
  • 本发明公开了一种微型凹透镜的生产方法,包括用备料、铣磨、精磨、细磨、抛光、用洗酒精清洗液擦,最后检验成品,其特征是:所述抛光采用光滑加工工艺,成品用激光扫描检验。光滑加工艺为把细磨好的成品置在环境温度在10℃-15℃中,用筛选抛光液中大小颗粒进行分离,然后再用上层的抛光液细抛;所述激光扫描检验是在数字干涉仪上进行面形光圈质量检测;发明的有益效果是:表面质量高
  • 一种微型凹透镜生产方法
  • [发明专利]硅晶圆的精抛光方法以及使用该抛光方法抛光的硅晶圆-CN201580039703.8有效
  • 佐藤三千登 - 信越半导体株式会社
  • 2015-07-13 - 2019-06-11 - H01L21/304
  • 一种精抛光方法,包括使用抛光剂与抛光布而进行精抛光抛光剂含有硅酸胶、氨以及羟乙基纤维素,硅酸胶借由BET所量测出的一次粒径为20nm以上且未满30nm,羟乙基纤维素的重量平均分子量在40万以上且70万以下,在将存在于抛光剂中的粒子的累积体积比例在95%的粒径予以设为D1,并且将硅酸胶分散在水中而使得与抛光剂中的硅酸胶的浓度相同时的硅酸胶的累积体积比例在95%的粒径予以设为D2之时,D1/D2在1.5以上且2.5以下,以及抛光布的使用,为将抛光布风干后进行干燥,且该滴下后经过100秒后的接触角在60°以上。因此,提供了一种硅晶圆的精抛光方法,由此得到的硅晶圆具有整体上优秀的雾度等级,在外围部分有很小的雾度不均和很少的微小缺陷。
  • 硅晶圆抛光方法以及使用
  • [发明专利]一种化学机械抛光-CN201110178411.6无效
  • 何华锋;王晨 - 安集微电子科技(上海)有限公司
  • 2011-06-29 - 2013-01-02 - C09G1/02
  • 本发明公开了一种化学机械抛光液,其含有水、比表面积(用BET比表面积测试测得)范围为120~300m2/g的研磨剂、质量百分比为0.1~0.2%的能产生银离子的化合物、质量百分比为0.1~0.3%能产生硫酸根离子的化合物和过氧化物本发明的抛光液在保证非常高的钨的抛光速度的同时,通过优化研磨剂的比表面积的范围,银离子的质量百分比和硫酸根离子的质量百分比,从而显著降低抛光液在硅片表面的残留颗粒和降低抛光液的生产成本。
  • 一种化学机械抛光
  • [实用新型]一种不锈钢管内表面电化学抛光装置-CN00226324.6无效
  • 杨建桥;齐香君;杨建兵 - 西北轻工业学院
  • 2000-04-25 - 2001-02-14 - B23H3/00
  • 本实用新型涉及一种用于不锈钢管内表面电化学抛光装置。目前人们常用机械和电化学法来解决用作输送管线的不锈钢管内表面粗糙问题,但存在着设备要求高、难度大、效果不佳等弊端,本实用新型由内装电解液的电解槽、电化学抛光电源、辅助阳极、辅助阴极和不锈钢管(即工件)构成,辅助阳极的一端连接电化学抛光电源,另一端设置在电解液中,辅助阴极的一端连接着电化学抛光电源,另一端设置在不锈钢管内。当接通电源后,即可实现只对工件的内表面进行抛光,简易、安全、快速、可靠。
  • 一种不锈钢管表面电化学抛光装置
  • [发明专利]一种单晶硅片刻蚀抛光设备-CN202211741410.2有效
  • 严循成;何迎辉 - 江苏福旭科技有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-10-27 - H01L21/67
  • 本申请公开了应用于硅片刻蚀领域的一种单晶硅片刻蚀抛光设备,该刻蚀抛光设备通过抛光装置、负压固片机构的设置,使得负压固片机构可在固片筒、密封抵片环等的作用下利用负压对单晶硅片进行固定,即使单晶硅片较薄,也可对单晶硅片进行有效固定,可大大减少单晶硅片掉落现象的发生,且抛光装置可通过化学-机械抛光同时对多个单晶硅片进行抛光处理,可有效提高抛光效率,另外,通过加强固片机构的设置,使得对单晶硅片进行固定时,固片筒内气压的变化会引发加强固片机构的变化调节
  • 一种单晶硅刻蚀抛光设备
  • [发明专利]抛光垫修整器及其制造方法-CN201710291237.3有效
  • 陈盈同 - 咏巨科技有限公司
  • 2017-04-28 - 2019-04-05 - B24B53/017
  • 抛光垫修整器及其制造方法。抛光垫修整器包括金属基座、微波吸收层以及至少一研磨层。金属基座具有一上表面以及一侧壁面,微波吸收层覆盖金属基座的上表面以及侧壁面,且微波吸收层是通过非微波电浆方法形成。在以微波电浆化学气相沉积形成研磨层之前,先以非微波电浆形成覆盖金属基座上表面与侧表面的微波吸收层,可避免以微波电浆化学气相沉积形成研磨层时,金属基座因吸收微波而与腔体或其它基座之间产生放电的问题。
  • 抛光修整及其制造方法

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