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[发明专利]电弧放电光纤研磨截面高精度抛光方法及装置-CN200610169731.4无效
发明人：裴丽;董小伟;宁提纲;冯素春;张峰 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：一种电弧放电光纤研磨截面高精度抛光方法及装置，主要由PZT高度调节器，电机速度控制器、精密导向传送带，定位传感器、电极组成。其电弧放电抛光法是利用在电压控制下，两电极放电电弧所产生的高温效应，将研磨光纤的表面进行熔化，从而有效消除了研磨光纤表面的微裂纹；并且通过传送带和定位传感器，使放电电极沿着研磨后待抛光光纤的轴向移动，从而实现对光纤抛光的长度进行任意调节从显微镜下观察可以看到抛光后的光纤非常透明，抛光后的光纤性能稳定，基本上消除了光纤表面微裂纹的影响，该电弧放电光纤研磨截面高精度抛光方法和装置在国际上属于首创。
电弧放电光纤研磨截面高精度抛光方法装置

[发明专利]一种制备铝硅铜系合金金相样品及显示组织的方法-CN200610154461.X无效
发明人：姚力军;潘杰 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：一种制备铝硅铜系合金金相样品及显示组织的方法，其包括如下步骤：a.粗研磨：样品依次用粒度递减的水砂纸进行至少2次带水磨光，每次换砂纸后转动90度，直到把上道工序的划痕磨掉，换砂纸前样品要用水清洗干净；b.电解抛光：使用电解抛光机抛光至少2次，每次结束后要用水冲洗冷却；c.绒布抛光：样品在蘸研磨膏的绸布上单方向抛光；d.化学腐蚀：将侵蚀剂滴在样品表面上，用揩拭法侵蚀。与现有技术相比，本发明的优点在于同时采取电解抛光和绒布抛光，结合化学腐蚀，优选出HF∶HCl∶H₂O＝2∶3∶18的侵蚀剂，成功制备了可供金相观察的样品，是一种样品制备效率高、劳动强度低
一种制备铝硅铜系合金金相样品显示组织方法

[发明专利]一种超精密抛光用微米亚微米抛光液的筛选方法-CN201510644733.3在审
发明人：沈正祥;王占山;王晓强;张玲;马彬 -专利权人：同济大学
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种超精密抛光用微米亚微米抛光液的筛选方法，特别适用于古典法抛光超光滑表面用氧化铈、氧化铁、氧化铝抛光液的制备，具体步骤为：将抛光粉与适量纯水放入洁净容器中混合；用磁力搅拌器搅拌溶液5～10将容器内上半部分近1/2体积溶液倒出；在倒出的溶液中加入等量纯水，再用磁力搅拌器搅拌溶液5～10分钟、超声5～10分钟、静置2~4分钟后，将容器内上半部分近1/2体积的溶液倒出，得到微粒粒径分布均匀的抛光液该方法筛选的抛光液粒径更小，粒度分布更均匀，有效防止微米级抛光粉微粒团聚，用于超光滑表面抛光不容易产生划痕，是超光滑表面抛光工艺中的关键技术。
一种精密抛光微米筛选方法

[发明专利]抛光方法以及浮栅的形成方法-CN201110100318.3有效
发明人：黎铭琦;蒋莉;张明华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-04-20 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： B24B29/00 文献下载
摘要：一种抛光方法和浮栅的形成方法，所述浮栅的形成方法包括：提供半导体衬底，在所述衬底上的有源区形成牺牲氧化层和覆盖所述牺牲氧化层的氮化硅层，在所述衬底上的无源区形成浅槽隔离结构，形成填满所述浅槽隔离结构并覆盖所述氮化硅层的氧化层；对所述氧化层抛光直至暴露出所述氮化硅层；去除所述氮化硅层和牺牲氧化层后形成开口；在所述开口中先后形成栅介质层以及覆盖其上的多晶硅层；在固结磨料抛光垫上抛光所述多晶硅层且停止于所述氧化层形成浮栅，抛光液中具有阳离子表面活性剂或两性离子表面活性剂，所述抛光液的PH值为2.2～6.0。所述抛光方法能实现固结磨料抛光法抛光多晶硅层且停止于氧化层，取得较好的抛光效果。
抛光方法以及形成

[发明专利]硅单晶衬底材料表面粗糙度的控制方法-CN200610014304.9有效
发明人：刘玉岭;檀柏梅 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2006-06-09 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅单晶衬底材料表面粗糙度的控制方法，根据硅单晶衬底材料的化学性质，选用碱性介质，采用SiO₂水溶胶作为磨料，用pH调节剂调整溶液的pH值为9－13.5，并加入FA/O等表面活性剂来制备抛光液该方法采用不同抛光工艺条件下的粗抛、精抛两步抛光法进行抛光；用粗抛液在流量100－200ml/min，温度30－40℃，转速40－120rpm，压力0.10－0.20MPa的抛光工艺条件下，在抛光机上对硅单晶衬底材料进行抛光用精抛液在流量800－1000ml/min，温度20－30℃，转速30－60rpm，压力0.05－0.10Mpa的抛光工艺条件下，在抛光机上对硅单晶衬底材料进行抛光4－7min。
硅单晶衬底材料表面粗糙控制方法

[发明专利]一种球形纳米CeO2-CN201611055999.5有效
发明人：朱达川;周川 -专利权人：四川大学
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： C01F17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种球形纳米CeO2抛光粉的制备方法，属于纳米材料研究领域，其特征在于以含结晶水的铈盐和柠檬酸为原料，适量乙醇作润滑剂，利用球磨提供的机械力细化原料，提高反应效率；同时利用原料中释放出的结晶水与润滑剂乙醇共同组成液膜，从而直接制得前驱体的凝胶，实现了球磨固相化学反应法和溶胶—凝胶法的有机结合，凝胶在后续煅烧过程中有效抑制氧化铈粒子的团聚和长大，有利于制得粒径均匀、分散性较好的球形纳米CeO2抛光粉。通过本发明制备得到的CeO2抛光粉体颗粒尺寸均匀，为纳米级，分散性良好，具有良好的抛光性能；本发明方法具有工艺简便，效率高，无污染，可重复性好等优点，适合工业大规模生产
一种球形纳米 ceo base sub

[发明专利]太阳电池用单晶硅片单面抛光方法-CN201310345148.4在审
发明人：周利荣;徐盼盼;陶智华;石磊 -专利权人：上海神舟新能源发展有限公司
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池用单晶硅片单面抛光方法，将单晶硅片浸没在的KOH或NaOH水溶液中进行抛光刻蚀，抛光完成后洗净烘干，采用化学法或物理气相沉积法在抛光后的硅片单一表面涂盖一层掩膜层；将单面掩膜后的硅片放入制绒液中，50～85℃下静置反应1000～1700s，反应结束洗净；将制绒清洗后的硅片放入去掩膜溶液中进行反应，反应结束后用去离子水清洗干净并烘干，即完成单面抛光处理。与现有技术相比，本发明利用KOH或NaOH的各向异性特性对硅片进行抛光，表面均匀、平整、粗糙度较小，并且避免了气泡印迹的产生，可以满足新型高效电池对抛光效果的要求。同时，该单面抛光技术得到的样品绒面金字塔分步均匀微细，比常规制绒工艺样品的绒面结构有明显改善。
太阳电池单晶硅单面抛光方法

[发明专利]一种高抛光稳定性的化学机械抛光垫及其制备方法-CN202211115146.1在审
发明人：相红旗;陈浩聪;姚力军 -专利权人：宁波赢伟泰科新材料有限公司;宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种高抛光稳定性的化学机械抛光垫及其制备方法，涉及的是化学机械抛光技术领域。通过将水溶性聚合物溶解于一种溶剂中配制成溶液，再将溶液加入到树脂溶液中，涂布于塑料薄膜基材上，通过凝结成膜法获得多孔树脂膜，再经水洗工序溶解其中的水溶性聚合物形成微孔洞，最终经后处理制备成抛光垫。所述水溶性聚合物易溶于水，因而在树脂溶液凝结成膜的过程中水溶性聚合物会调节树脂浆料凝结和溶剂置换过程，使水滴形孔洞尺寸更加均匀，同时在凝结的树脂内形成微小的相互贯通的微孔，使抛光液可以在相邻的水滴形孔洞内交互流动并更加均匀的供给到抛光界面，提高了抛光垫性能稳定性，提升了抛光效果。
一种抛光稳定性化学机械抛光及其制备方法

[发明专利]报废支承辊配套轴承内圈再利用方法-CN201811360286.9有效
发明人：王瑞;陈伟;罗昌;谢晶;张青 -专利权人：宝钢轧辊科技有限责任公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： B21B28/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种报废支承辊配套轴承内圈再利用方法，包括判断是否可以再利用、抛光处理、再利用处理、装配以及磨削；再利用处理方法为轴承档辊颈尺寸放大法或者轴承内圈内孔表面镀铬法。其中，轴承档辊颈尺寸放大法是根据轴承档辊颈图纸设计直径D、抛光后的轴承内圈内孔直径d以及初始设计过盈量δ，设计轴承档辊颈放大尺寸X，计算公式为：X=d+δ‑D；轴承内圈内孔表面镀铬法是根据轴承档辊颈实际直径M、抛光后的轴承内圈内孔直径d以及初始设计过盈量δ，设计轴承内圈内孔镀铬层厚度T，计算公式为：T=d+δ‑M。
报废支承配套轴承内圈再利用方法

[发明专利]SLM成型金属件表面处理方法-CN202111558565.8在审
发明人：房瑞晓;万宁;刘倩琛;陈思竹;左卫涛 -专利权人：四川省有色冶金研究院有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B22F10/68 文献下载
摘要：成型金属件表面处理方法，包括以下步骤：采用高压气体对SLM成型金属件进行冲洗以去除SLM成型金属件表面的金属粉末和灰尘；将冲洗后的SLM成型金属件置于悬浮液中，所述悬浮液中配备针状和多棱角的金属颗粒，采用搅拌法对所述SLM成型金属件进行第一次抛光；将第一次抛光后的SLM成型金属件置于电解液中进行第二次抛光；采用多重激光对第二次抛光后的SLM成型金属件进行第三次抛光。
slm 成型金属件表面处理方法

[发明专利]极大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法-CN201010231732.3有效
发明人：刘玉岭;潘国峰;王辰伟 -专利权人：天津晶岭微电子材料有限公司
申请日： 2010-07-21 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于极大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法。该抛光液选用纳米SiO2磨料，磨料的浓度为30-50％、粒径为15-25nm、莫氏硬度7以利于材料的去除及表面平整化，抛光液的pH值9-12，既能满足有效去除，也能保证硅溶胶的稳定性，制备采用负压涡流搅拌制备法，避免了传统的复配、机械搅拌等制备方法带来的有机物、大颗粒、金属离子等的污染，可以达到超净的要求，且对抛光设备无腐蚀，后清洗简单。该抛光液污染小、利于环保，成本低、应用广泛。
极大规模集成电路多层布线中钨插塞抛光制备方法

[发明专利]一种用于X射线波带片的微细钨丝制备方法-CN201711038427.0在审
发明人：门勇;孔祥东;李艳丽;韩立 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： C25F3/26 文献下载
摘要：一种用于X射线波带片的微细钨丝制备方法，包括以下步骤(1)对原料钨丝进行超声清洗，去除钨丝表面的油渍及杂质；(2)在真空环境中，采用电流加热法加热钨丝；(3)对加热后的钨丝进行电解抛光，通过控制抛光溶液的浓度，电解电压的大小、不锈钢阴极的尺寸及抛光时间等参数，获得最佳工艺条件，从而获得理想的微细钨丝。
一种用于射线波带片微细钨丝制备方法

[发明专利]一种适用于塔材组织的现场高倍检验方法-CN201310324258.2无效
发明人：陈韶瑜;马崇;程明 -专利权人：国家电网公司;国网天津市电力公司
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于塔材组织的现场高倍检验方法，该方法步骤包括：⑴对被检验表面进行磨制；⑵采用化学抛光法进行抛光；⑶硝酸酒精侵蚀；⑷高倍检验，对被检验表面进行观察或复膜带回实验室进行仔细分析。本发明很好的实现了在役输电铁塔、避雷针铁塔现场高倍检验，实现磨制、抛光、侵蚀、现场高倍观察照相或金相复膜，实现了在役输电铁塔、避雷针铁塔的材质分析和寿命评定。
一种适用于组织现场高倍检验方法

[发明专利]抛光组合物和抛光方法-CN200410097812.9无效
发明人：大桥圭吾;大胁寿树 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2004-11-24 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明的抛光组合物含有二氧化硅、碱性化合物和水。二氧化硅是例如胶体二氧化硅、热解法二氧化硅或沉淀法二氧化硅。该抛光组合物适用于抛光玻璃基片。
抛光组合方法

[发明专利]一种平面固态超级电容器的制备方法-CN201310311940.8有效
发明人：史方;王晓晨;周洁;孔令宇;潘毅;虞磊;韩建林 -专利权人：南京大学
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01G11/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种平面固态超级电容器的制备方法，在标准硅晶圆上使用半导体器件制造工艺中标准的化学气相沉积法、物理气相沉积法、沟槽刻蚀法、化学机械抛光法、基于硅通孔三维法等方法，制造以SiO2、Al2O3、HfO2
一种平面固态超级电容器制备方法

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