专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种或非门闪存存储器-CN201410854600.4有效
  • 冯骏;舒清明 - 北京兆易创新科技股份有限公司
  • 2014-12-31 - 2015-04-29 - H01L27/115
  • 本发明公开了一种或非门闪存存储器,包括:基底,在第一方向上开有深隔离槽,在第二方向上开有浅隔离槽,所述深隔离槽的深度大于所述浅隔离槽的深度;氧化层,位于深隔离槽内;沟道区,位于浅隔离槽内;隧穿氧化层,位于沟道区之上本发明所述的或非门闪存存储器的浮栅埋入基底内,能够使得在平面尺寸不变的条件下将隔离槽长度增加,满足器件运行需要,进而能够微缩至45纳米以下。
  • 一种非门闪存存储器

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