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[发明专利]半导体存储器件-CN202180000413.8在审
发明人：姜柯;曹华敏;陈子龙;向斌 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：半导体存储器件包括存储单元阵列和外围电路。存储单元阵列包括存储单元的块。外围电路可以响应于对字线组中的第一字线的第一写入操作执行第一编程验证循环，从而将与第一字线相关联的存储单元编程为多个状态。字线组包括一条或多条字线。然后，外围电路基于第一编程验证循环中的感测结果确定多个状态的验证起始循环，并且响应于对字线组中的第二字线的第二写入操作来执行具有多个状态的确定的验证起始循环的第二编程验证循环。
半导体存储器件

[发明专利]一种3D NAND存储器擦除时的电压控制方法及装置-CN202210267733.6在审
发明人： 曹华敏;付祥;姜柯;高帅;陈子龙;安阳;向斌;黄新运;张黄鹏;王颀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明提供一种3D NAND存储器擦除时的电压控制方法，在真存储单元的字线的偏置电压处于擦除控制电压时，将阱掺杂区的偏置电压上升至擦除工作电压并保持所述擦除工作电压，在阱掺杂区的偏置电压上升至第一中间电压期间，将伪存储单元的字线的偏置电压保持在第一预设电压，而后，将伪存储单元的字线设置为浮置状态，其中，第一预设电压小于第一中间电压，这样，减小伪存储单元所在的字线的电压与相邻的真存储单元所在的字线的电压差，避免在真存储器单元所在的字线和伪存储器所在的字线之间产生隧穿，从而避免伪存储器单元阈值电压漂移，避免存储器单元串电流的降低，进而避免真存储器单元的读错误。
一种 nand 存储器擦除电压控制方法装置

[发明专利]闪存器的数据读取方法及装置、存储设备-CN202110351844.0有效
发明人：陈子龙;曹华敏;付祥;高帅;姜柯;向斌;安阳;王瑜;王颀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种闪存器的数据读取方法及装置、存储设备。所述方法包括：在干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压；在读取阶段，向所述闪存器选择的字线施加用于读取数据的第二电压；所述在干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压，包括：在位于所述读取阶段之前的第一干扰抑制阶段，向所述闪存器选择的字线施加第一子电压；所述第一电压包括所述第一子电压；所述第一子电压高于所述第二电压。
闪存数据读取方法装置存储设备

[发明专利]一种3D NAND存储器擦除时的电压控制方法及装置-CN201911203481.5有效
发明人： 曹华敏;付祥;姜柯;高帅;陈子龙;安阳;向斌;黄新运;张黄鹏;王颀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明提供一种3D NAND存储器擦除时的电压控制方法，在真存储单元的字线的偏置电压处于擦除控制电压时，将阱掺杂区的偏置电压上升至擦除工作电压并保持所述擦除工作电压，在阱掺杂区的偏置电压上升至第一中间电压期间，将伪存储单元的字线的偏置电压保持在第一预设电压，而后，将伪存储单元的字线设置为浮置状态，其中，第一预设电压小于第一中间电压，这样，减小伪存储单元所在的字线的电压与相邻的真存储单元所在的字线的电压差，避免在真存储器单元所在的字线和伪存储器所在的字线之间产生隧穿，从而避免伪存储器单元阈值电压漂移，避免存储器单元串电流的降低，进而避免真存储器单元的读错误。
一种 nand 存储器擦除电压控制方法装置

[发明专利]隧穿式场效应晶体管三维NAND数据单元结构以及其形成方法-CN201880005382.3有效
发明人：黄新运;王颀;付祥;夏志良;张黄鹏;曹华敏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：公开了一种三维存储器器件的结构与方法。在一个示例中，存储器器件包括穿过交替导体/电介质堆叠而设置的多个垂直存储器串。各存储器串包括复合电介质层与隧穿式场效应晶体管的半导体层。隧穿式场效应晶体管的半导体层包括N型半导体层与P型半导体层。
隧穿式场效应晶体管三维 nand 数据单元结构及其形成方法

[发明专利]一种三维存储器-CN201811013316.9有效
发明人：黄新运;王颀;付祥;夏志良;张黄鹏;曹华敏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维存储器，该存储器中，其每个沟道孔内的第一掺杂类型材料层和第二掺杂类型材料层作为对应存储串的各个存储单元的源极和漏极，同一存储串内的各个存储单元均可以通过源极和漏极实现电路通路，因而，通过同一沟道孔内的第一掺杂类型材料层和第二掺杂类型材料层能够将同一存储串内的各个存储单元形成并联结构。如此，在每个存储单元的栅极上施加较小的控制电压即可实现对存储单元的选通，而且，因同一存储串内的各个存储单元为并联结构。因而，该三维存储器的结构有利于降低三维存储器中的读取干扰、传输干扰和编辑干扰。
一种三维存储器

[发明专利]具有序列处理单元的存储器控制系统-CN202110339570.3在审
发明人：张黄鹏;付祥;王颀;杜智超;曹华敏;黄新运;董文雯;徐书兵 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G06F13/10 文献下载
摘要：一种存储器控制系统包括存储器接口、微控制器和序列处理单元。所述存储器接口电路接收存储器操作命令，并且根据所述存储器操作命令来生成多个操作指令。所述微控制器被耦合到所述存储器接口电路。所述微控制器接收多个操作指令并且通过预定协议根据调度算法来生成多个任务指令。所述序列处理单元被耦合到所述微控制器。所述序列处理单元通过预定协议接收多个任务指令并且利用所述序列处理单元的所述至少一个有限状态机根据所述多个任务指令来控制存储器件的多个电路。
具有序列处理单元存储器控制系统

[发明专利]闪存器的数据读取方法及装置、存储设备及存储介质-CN201811309539.X有效
发明人：陈子龙;曹华敏;付祥;高帅;姜柯;向斌;安阳;王瑜;王颀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种闪存器的数据读取方法及装置、存储设备及存储介质。所述方法包括：在读取周期的干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加减少读取干扰的第一电压；在所述读取周期的读取阶段，向所述闪存器选择的字线施加读取数据的第二电压。
闪存数据读取方法装置存储设备介质

[发明专利]具有序列处理单元的存储器控制系统-CN201980000831.X有效
发明人：张黄鹏;付祥;王颀;杜智超;曹华敏;黄新运;董文雯;徐书兵 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种存储器控制系统包括存储器接口、微控制器和序列处理单元。所述存储器接口电路接收存储器操作命令，并且根据所述存储器操作命令来生成多个操作指令。所述微控制器被耦合到所述存储器接口电路。所述微控制器接收多个操作指令并且通过预定协议根据调度算法来生成多个任务指令。所述序列处理单元被耦合到所述微控制器。所述序列处理单元通过预定协议接收多个任务指令并且利用所述序列处理单元的所述至少一个有限状态机根据所述多个任务指令来控制存储器件的多个电路。
具有序列处理单元存储器控制系统

[发明专利]闪速存储器设备-CN202080001907.3在审
发明人：张黄鹏;杨诗洋;王瑜;曹华敏;李婷;侯旭 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G11C11/407 文献下载
摘要：本公开内容的各方面提供半导体存储设备。半导体存储设备包括存储单元阵列和与该存储单元阵列耦合的外围电路。存储单元阵列包括多个存储单元。外围电路包括可编程逻辑电路，该可编程逻辑电路被配置为在半导体存储设备上电之后执行逻辑功能。
存储器设备

[发明专利]一种焊接亮面密封条及其制造方法-CN201710829988.6有效
发明人： 曹华敏;肖振宇;陈连英;邓军义 -专利权人：宁波敏实汽车零部件技术研发有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： B60J10/70 文献下载
摘要：本发明属于汽车密封条加工技术领域，提供了一种焊接亮面密封条及其制造方法，框架主体由骨架部分和外观亮面部分分段拼接而成，将骨架部分和外观亮面部分分体拼接成一体连接的框架主体，骨架部分和外观亮面部分采用焊接方式将两者拼接连接；将焊接后的框架主体经滚压机组经多道滚压轮组滚压出整体横截断面，有弹性体材料经挤出模具按整体横截断面形状连续附着于设定的框架主体的表面上共挤形成最终的密封条。本发明的优点在于减少亮面不锈钢材料使用，降低生产成本，可灵活根据实际要求选择骨架部分方案，并结合焊接工艺焊接形成，增强了整个密封条的强度，提高整体生产效率，同时合理利用材料组合，满足客户要求。
一种焊接密封条及其制造方法

[发明专利]一种三维存储器的制造方法-CN201811011692.4有效
发明人：黄新运;王颀;付祥;夏志良;张黄鹏;曹华敏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维存储器的制造方法，由该方法制成的存储器中，其每个沟道孔内的第一掺杂类型材料层和第二掺杂类型材料层作为对应存储串的各个存储单元的源极和漏极，同一存储串内的各个存储单元均可以通过源极和漏极实现电路通路，因而，通过同一沟道孔内的第一掺杂类型材料层和第二掺杂类型材料层能够将同一存储串内的各个存储单元形成并联结构。如此，在每个存储单元的栅极上施加较小的控制电压即可实现对存储单元的选通，而且，因同一存储串内的各个存储单元为并联结构。因而，该三维存储器的结构有利于降低三维存储器中的读取干扰、传输干扰和编辑干扰。
一种三维存储器制造方法

[实用新型]一种高寒地区保温密封断桥铝合金窗-CN201922091127.X有效
发明人：张帅;田雨;庞守吉;肖睿;白名岗;曹华敏;徐俊;张黎明;马晨晖;汪锐;李英烈 -专利权人：中国地质调查局油气资源调查中心;扬州市驰城石油机械有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： E06B3/263 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种高寒地区保温密封断桥铝合金窗，包括通过多条隔热条桥接连接的内铝合金框体和外铝合金框体，以及夹持设置于所述内铝合金框体中远离所述外铝合金框体一侧的玻璃组件，且所述内铝合金框体的夹持面与所述玻璃组件中相邻的两个侧面之间贴合设置有玻璃压条；其中，所述玻璃组件包括自所述内铝合金框体的其中一个夹持面至另一个夹持面顺次平行排列设置的至少三块玻璃板，且相邻的两块玻璃板之间设置有弹性复位元件。本实用新型实现了保温耐寒，耐候性好，高寒条件下依然能有效保证密闭性的效果。
一种高寒地区保温密封断桥铝合金

[实用新型]一种高寒地区营房底座主梁架构-CN201922091116.1有效
发明人：田雨;庞守吉;马晨晖;白名岗;张帅;肖睿;曹华敏;徐俊;张黎明;韩少良;祝有海 -专利权人：中国地质调查局油气资源调查中心;扬州市驰城石油机械有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： E04B1/58 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种高寒地区营房底座主梁架构，包括平行设置的两根C型槽板以及设置于两根所述C型槽板之间的若干根工型槽板，两根所述C型槽板的槽口相对设置，且所述槽口内设置有安装件，所述工型槽板的两端与所述安装件可拆卸地连接；所述安装件包括固定连接在所述槽口内部的安装盒，所述安装盒的正面开设有与所述工型槽板相匹配的长方形卡口，所述工型槽板沿所述长方形卡口伸入所述安装盒内，且所述工型槽板的两端均开设有供所述工型槽板旋转卡合的卡槽；本实用新型实施例通过简单的插入旋转完成了工型槽板与C型槽板的卡合，需要拆卸时，再将工型槽板旋转90°即可，整体架构操作简单，便于拆卸。
一种高寒地区营房底座架构

[实用新型]一种高寒地区营房墙体边角防水密封结构-CN201922091111.9有效
发明人：白名岗;庞守吉;田雨;曹华敏;张帅;肖睿;徐俊;卢振权;伍新和;汪锐;李英烈;祝有海;韩少良 -专利权人：中国地质调查局油气资源调查中心;扬州市驰城石油机械有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： E04F13/073 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种高寒地区营房墙体边角防水密封结构，包括安装在保温板连接边角处的组合胶条，所述组合胶条包括安装胶条以及与所述安装胶条组合连接的对接胶条，所述安装胶条上设置有插槽，所述安装胶条上设置有连接所述插槽的导向槽，所述对接胶条上突出设置有安装在所述插槽内的对接块，所述对接胶条上设置有与所述导向槽相对应的密封块，所述对接胶条内设置有密闭空腔，通过安装在保温板连接边角处的组合胶条，不仅能够提高保温板连接处的密闭性，而且拆卸安装方便，能够循环使用，以解决现有技术中由于玻璃胶密封材质而导致的粘接不牢、易脱落的问题。
一种高寒地区营房墙体边角防水密封结构

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