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[发明专利]阵列基板-CN202110501485.2有效
发明人：汤富雄;龚帆;艾飞;宋继越 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板，该阵列基板包括一半导体层，该半导体层定义有有源区和感光区，该有源区包括沟道区，该感光区包括P型半导体区、N型半导体区以及设置于所述P型半导体区与所述N型半导体区之间的I型半导体区该阵列基板将PIN光电二极管和有源区集成于同一半导体层上以达到降低生产成本、提高显示面板电子元器件集成度的目的，并在与I型半导体区相对应的位置处引入栅极电流以达到提高感光灵敏度的目的。
阵列

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202310332042.4有效
发明人：陈维邦;郑志成 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供基底，基底具有相对的第一面和第二面；于基底内形成第一离子注入层；于基底内形成多个间隔排布的感光器件区，感光器件区位于第一离子注入层远离第一面的表面；于基底内形成深沟槽，深沟槽位于相邻感光器件区之间；于深沟槽和感光器件区之间形成隔离环，隔离环与第一离子注入层远离第一面的表面相接触。本申请的半导体结构的制备方法可以避免各个感光器件区之间发生串扰，以及可以将感光器件区与半导体结构内的其他结构层相隔离，避免感光器件区与其他结构层之间产生短路连接，实现对感光器件区的充分隔离和保护。
半导体结构制备方法

[发明专利]图像传感器-CN201110231127.0有效
发明人：强文华;汪辉;陈杰;汪宁;田犁;尚岩峰 -专利权人：上海中科高等研究院
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器，感光结构和像素读出电路都形成于带有绝缘埋层的半导体衬底上，具有高速、低功耗、抗闭锁、抗辐射的优点。感光结构包括横向排列且呈包围式结构四个掺杂区，四个掺杂区中包括一光吸收层和一个雪崩倍增区。横向包围式结构能够消除较薄的顶层半导体层对光吸收层的厚度的限制，增加光吸收层的宽度和面积，从而能够提高感光结构的光吸收效率。雪崩倍增区能大幅度提高感光结构的光电转换效率、进一步提高感光结构的光吸收效率。
图像传感器

[发明专利]感光性树脂组合物和半导体设备制造方法-CN201680076774.X有效
发明人：添田淳史;池田吉纪 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：提供具有高温耐热性且具有导电性、对半导体基材而言不存在产生金属杂质的担忧、能够进行图案形成、且能够以低成本应用于高温的离子注入工艺的感光性树脂组合物、和使用这样的组合物的半导体设备的制造方法。本发明的感光性树脂组合物含有感光性树脂、以及导电性材料和/或半导体材料的颗粒。此外，制造半导体设备的本发明的方法包括：在半导体层或基材(2)上形成本发明的感光性树脂组合物的膜的图案(11)的步骤；将感光性树脂组合物的膜的图案进行煅烧从而形成离子注入用掩模(13)的步骤；通过离子注入用掩模的图案开口部(12)向半导体层或基材(2)注入离子的步骤；和，去除离子注入用掩模(13)的步骤。
感光性树脂组合半导体设备制造方法

[发明专利]一种半导体感光器件及其制造方法-CN201310548614.9有效
发明人：王鹏飞;吴俊;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2013-11-06 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种半导体感光器件及其制造方法。本发明半导体感光器件，包括在半导体衬底内形成的一个MOS晶体管、一个感光pn结二极管和一个钉扎二极管，通过一个浮栅开口MOS晶体管的浮栅与感光pn结二极管的一端连接并与钉扎二极管的一端连接，MOS晶体管的环形的漏区包围感光pn结二极管和钉扎二极管、且与感光pn结二极管的另一端连接并与钉扎二极管的另一端连接。钉扎二极管可以把感光pn结二极管的光吸收区域推进到半导体衬底内部，远离受干扰的表面。采用本发明的半导体感光器件制造的图像传感器芯片具有单元面积小、芯片密度高、灵敏度高、分辨率高等优点。
一种半导体感光器件及其制造方法

[发明专利]背照式全局曝光像元结构及其制备方法-CN202111563847.7在审
发明人：李梦 -专利权人：上海微阱电子科技有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种背照式全局曝光像元结构及其制备方法，该背照式全局曝光像元结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有正表面和背表面；接近半导体衬底的正表面，且设于半导体衬底内的感光单元、传输管和复位管；接近半导体衬底的正表面，且位于所述传输管和所述复位管之间的存储节点，其中，所述存储节点设于半导体衬底内，挡光层不完全包覆所述存储节点。该结构中的挡光层可以阻挡从半导体衬底背面入射的光线，极大的改善了背照式全局曝光像元结构的寄生光灵敏度性能。
背照式全局曝光结构及其制备方法

[实用新型]传感器-CN202220931723.3有效
发明人： F·居亚代 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：传感器包括：半导体衬底；半导体衬底中的感光点的矩阵，每个感光点由包括多晶硅的隔离沟槽界定；以及半导体衬底的外围区，直接围绕感光点矩阵延伸，外围区包括由包含多晶硅的隔离沟槽界定的虚设感光点。外围区中多晶硅的密度介于在感光点矩阵边缘处的多晶硅密度与围绕外围区的多晶硅密度之间。
传感器

[发明专利]一种半导体感光器件及其制造方法-CN201010223213.2无效
发明人：刘磊;王鹏飞;刘伟 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2010-07-09 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体感光器件，它包括一个源极、一个漏极、一个控制栅极、一个浮栅区、一个衬底以及一个用于连接浮栅区和衬底的p-n结二极管，所述半导体器件的浮栅区用于存储电荷。所述半导体器件的浮栅区电势与光照射强度和时间有关，因此可以作为半导体感光器件。本发明还公开了一种上述半导体感光器件的制造方法。本发明公开的半导体感光器件可以简化传统图像传感器中单个像素单元的设计，减小单个像素单元所占用的面积，提高图像传感芯片的像素密度，从而增加图像传感芯片的分辨率。
一种半导体感光器件及其制造方法

[实用新型]晶圆扇出型封装互联结构-CN202121547620.9有效
发明人：马书英;刘吉康;付东之;邱宬洋;王姣 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆扇出型封装互联结构，其包括：硅基载体、半导体芯片、非感光膜层、线路层、光阻膜层以及焊球；硅基载体的正面开设有第一槽结构，半导体芯片被封装固定于第一槽结构中，并保持半导体芯片正面朝上；光阻膜层形成于半导体芯片和硅基载体的正面，并填充于半导体芯片与硅基载体之间的缝隙中，光阻膜层上开设有漏出半导体芯片上焊垫的第二槽结构；半导体芯片上焊垫通过线路层与焊球相连接；光阻膜层形成于线路层上。本实用新型采用非感光胶水替代干膜能在极大程度上降低工艺成本；同时，本实用新型中，通过PVD与干法刻蚀(或者湿法刻蚀)相结合的方式，配合非感光胶水(或者非感光膜层)也可实现半导体芯片上焊垫的精准开口。
晶圆扇出型封装联结

[发明专利]互补式金氧半导体深度感测器元件及其感测方法-CN201610133422.5有效
发明人：张鸿德;吴高彬 -专利权人：义明科技股份有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种互补式金氧半导体深度感测器元件及其感测方法，该深度感测器元件于一基板的一感光区域中形成有一感光栅极，该感光栅极的两相对侧分别间隔形成有一第一及第二传送栅极，又该基板上对应该第一及第二传送栅极的外侧分别间隔形成有一第一及第二浮接掺杂区；其中该第一及第二浮接掺杂区的杂质极性与该半导体区的杂质极性相异；由于该感光栅极与该第一及第二传送栅极下方共用相同半导体区，其间未有与该半导体区杂质极性相异的杂质掺杂于其中，故本发明的深度感测器元件的感光栅极于受光后激发出的多数载子不以扩散方式
互补式金氧半导体深度感测器元件及其方法

[发明专利]相位对焦图像传感器及其形成方法-CN201811382930.2在审
发明人：张东亮;陈世杰;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种相位对焦图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括相位对焦区，所述半导体衬底具有相对的第一面和第二面；位于半导体衬底相位对焦区内的第一感光结构，所述第一感光结构包括相对的第一表面和第二表面，所述第一感光结构包括吸收层，所述吸收层用于吸收红外光，所述第一感光结构第一表面暴露出所述吸收层；位于半导体衬底相位对焦区第二面表面的第一滤光层，所述第一滤光层通过自然光。
衬底感光结构半导体对焦图像吸收层传感器对焦第一表面第二面滤光层红外光图像传感器自然光第二表面暴露吸收

[发明专利]相位对焦图像传感器及其形成方法-CN201811324085.3在审
发明人：张东亮;陈世杰;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种相位对焦图像传感器及其形成方法，方法包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括相位对焦区，所述半导体衬底具有相对的第一面和第二面；位于半导体衬底的相位对焦区内的第一感光结构，所述第一感光结构包括相对的第一表面和第二表面，所述第一感光结构包括吸收层，所述吸收层用于吸收近红外光，所述第一感光结构第一表面暴露出所述吸收层；位于半导体衬底的相位对焦区第二面表面的第一滤光层，所述第一滤光层通过自然光。
衬底感光结构半导体对焦图像吸收层传感器对焦第一表面第二面滤光层自然光第二表面近红外光暴露吸收

[发明专利]一种半导体的标记方法及半导体-CN202111134372.X在审
发明人：宿志影 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体的标记方法及半导体，包括：将感光物质涂覆在半导体的待标记表面上；根据预设的曝光强度对待标记表面上的感光物质进行选择性曝光，以在待标记表面上形成曝光区域，曝光区域的形状为预设的标识图形的形状；曝光完成后对感光物质进行烘烤；烘烤完成后将待标记表面暴露于感光区域，对曝光区域进行显影，以去除感光区域内的感光物质；显影完成后对曝光区域进行蚀刻，以在待标记表面上形成标识图形；蚀刻完成后对待标记表面上的感光物质进行清除处理采用本发明的技术方案能够通过半导体表面上标记的标识图形，简单、方便地识别半导体表面，提高了标记方案的通用性，并且标识图形容易识别记忆，方便后续加工操作。
一种半导体标记方法

[发明专利]嵌入传送栅-CN201110245139.9有效
发明人：野崎秀俊;代铁军 -专利权人：美商豪威科技股份有限公司
申请日： 2011-08-18 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本文所公开的图像传感器像素包括：半导体层、用于累积光生电荷的感光区、浮动节点、沟槽及嵌入传送栅。该感光区及该沟槽安置于该半导体层内。该沟槽延伸至该半导体层中、介于该感光区与该浮动节点之间，且该嵌入传送栅安置于该沟槽内以控制该光生电荷自该感光区至该浮动节点的传送。
嵌入传送

[发明专利]发光装置、照明装置及具有照明装置的无尘室-CN200880101026.8有效
发明人：川上顺三;森本泰司;小久保文雄 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2008-07-29 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：发光装置具有：半导体发光元件；荧光体，被来自半导体发光元件的光激励；以及密封树脂，含有该荧光体，并覆盖半导体发光元件；利用密封树脂含有的荧光体，抑制特定波长成分，以使与特定波长成分发生反应的感光性物质不发生反应照明装置具有多个半导体发光元件，并且具有控制部，抑制特定波长，以防止与特定波长发生反应的感光性物质感光。无尘室具有这种照明装置。
发光装置照明具有无尘室