专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]背照图像传感器及其形成方法-CN202111563810.4在审
  • 李梦 - 上海微阱电子科技有限公司
  • 2021-12-20 - 2022-03-08 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种背照图像传感器,包括半导体衬底,所述半导体衬底具有正表面和背表面;设于所述半导体衬底内的浅隔离槽和感光单元;设于所述半导体衬底内的深隔离槽;覆盖所述半导体衬底的正表面的第一介质层,所述第一介质层包括金属互连结构;覆盖所述半导体衬底的背表面的第二介质层,所述第二介质层包括金属栅格和导通结构,所述导通结构的一端与金属栅格导通,另一端与焊盘结构导通;焊盘结构,贯穿所述半导体衬底和所述第二介质层,且与所述金属互连结构连通该背照图像传感器的工艺步骤相比现有结构能够减少光罩版的使用,同时能实现金属栅格电势调节,减少工艺步骤,节约成本及改善图像传感器性能。
  • 背照式图像传感器及其形成方法
  • [发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201811363222.4有效
  • 龙海凤;李天慧;藤井光一;黄晓橹;夏睿 - 德淮半导体有限公司
  • 2018-11-15 - 2021-03-02 - H01L27/146
  • 一种图像传感器及其形成方法,图像传感器包括:半导体衬底,所述半导体衬底包括多个像素区、以及位于相邻所述像素区之间的隔离区,所述半导体衬底具有相对的第一面和第二面;位于半导体衬底像素区内的感光结构,所述半导体衬底第一面暴露出所述感光结构;位于半导体衬底第二面表面的阻挡层,所述阻挡层内具有第一凹槽,所述第一凹槽底部暴露出位于像素区的阻挡层表面,所述阻挡层材料为抗压材料;位于所述第一凹槽内的滤光层,所述阻挡层材料的热膨胀系数小于滤光层材料的热膨胀系数
  • 图像传感器及其形成方法
  • [发明专利]相位对焦图像传感器及其形成方法-CN201910492820.X有效
  • 林永璨;内藤逹也 - 德淮半导体有限公司
  • 2019-06-06 - 2021-09-14 - H01L27/146
  • 一种相位对焦图像传感器及其形成方法,图像传感器包括:半导体衬底,所述半导体衬底包括图像捕获区和相位对焦区,所述半导体衬底图像捕获区内具有第一感光层,所述半导体衬底相位对焦区内具有第二感光层;位于半导体衬底图像捕获区表面的第一抗反射结构;位于半导体衬底相位对焦区表面的第二抗反射结构,第二抗反射结构的反射率大于第一抗反射结构;位于第一抗反射结构表面的第一滤光层,所述第一滤光层通过单色光;位于第二抗反射结构表面的第二滤光层,所述第二滤光层通过自然光
  • 相位对焦图像传感器及其形成方法
  • [发明专利]集成半导体装置-CN200380108786.9无效
  • 根本和彦 - 索尼株式会社
  • 2003-12-22 - 2006-02-22 - G11B7/135
  • 本发明涉及一种用于提高半导体激光器的输出相关控制的可靠性的集成半导体装置,包括:粘附到半导体衬底上并具有光反射面和光透射面的棱镜,光反射面设置有反射从半导体激光器中发射的激光束的光反射膜,光透射面透射在物镜的孔径区域以外的从半导体激光器中发射的激光束;监控感光器,设置在半导体衬底的设置了棱镜的区域中并接收通过棱镜的光透射面的激光束;以及信号检测感光器,用于接收在棱镜的光反射面处反射并通过物镜会聚在圆盘形记录介质的记录面上的激光束作为返回光,并设置在其中设置有半导体衬底上的棱镜的区域的外部
  • 集成半导体装置
  • [实用新型]一种像素阵列及图像传感器-CN202320581118.2有效
  • 周子尧;王倩 - 思特威(上海)电子科技股份有限公司
  • 2023-03-21 - 2023-08-25 - H01L27/146
  • 本申请描述了一种像素阵列,由周期性排布的多个像素单元组成,其特征在于,至少一个像素单元的像素结构包括:半导体衬底;梯度化离子掺杂的感光区,位于半导体衬底内,梯度化离子掺杂的感光区包括离子掺杂浓度不同的至少两个子感光区;抗串扰晶体管栅极和传输栅,均位于至少两个子感光区中离子掺杂浓度最大的子感光区上;且传输栅与抗串扰晶体管栅极之间间距为单个像素单元边长的在本申请中,感光区内设置有具有电势差的各个子感光区,进而形成电荷传输呈现阶梯的流通路径,将抗串扰晶体管栅极以及传输栅均设于离子掺杂浓度最大的子感光区上,可以优化二者的电荷传输特性,从而有效的改善电子的传输效率,减少“图像拖影”的现象。
  • 一种像素阵列图像传感器

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