专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]鳍式场效应晶体管器件的鳍结构的形成方法-CN201710129007.7有效
  • 柳青;N·劳贝特 - 意法半导体公司
  • 2014-04-14 - 2021-07-27 - H01L21/20
  • 半导体材料形成的SOI衬底层包括相邻的第一区域和第二区域。去除第二区域中的衬底层的一部分,使得第二区域保留由半导体材料制成的底部部分。进行锗半导体材料的外延生长以覆盖底部部分。然后将锗从外延生长的锗材料驱动到底部部分中以将底部部分转化成锗。执行进一步的锗生长,以在第一区域中的区域相邻的第二区域中限定锗区域。对区域进行构图以限定第一(例如n沟道)导电类型的鳍式FET的第一鳍结构。也对锗区域进行构图以限定第二(例如p沟道)导电类型的鳍式FET的第二鳍结构。
  • 场效应晶体管器件结构形成方法
  • [发明专利]多重图形化掩膜的制备方法-CN201611086146.8有效
  • 鲍宇;周海锋 - 上海华力微电子有限公司
  • 2016-11-30 - 2019-11-26 - H01L21/033
  • 本发明涉及一种多重图形化掩膜的制备方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成硬掩膜层;在部分所述硬掩膜层上形成依次层叠的非晶层和第一多晶层;在所述非晶层及所述第一多晶层的周围形成侧倾;在所述硬掩膜层、所述侧墙及所述非晶层上形成应力层;对所述半导体衬底进行热退火工艺,所述非晶层转变为第二多晶层,且所述第二多晶层的宽度大于所述第一多晶层的宽度;去除所述第二多晶层、所述应力层及所述第一多晶
  • 多重图形化掩膜制备方法
  • [发明专利]包括纳米管芯的多层结构及其制作方法-CN200810008557.4有效
  • 卓恩宗;赵志伟;彭佳添;刘婉懿;孙铭伟 - 友达光电股份有限公司
  • 2008-01-23 - 2008-07-30 - H01L21/00
  • 本发明公开了包括纳米管芯的多层结构及其制造方法、太阳能电池及形成其的方法、非易失性存储器单元及其制造方法、以及光感测单元及其制造方法。在一实施例中,包括纳米管芯的多层结构的制造方法包括步骤:于基底上形成第一导电层,于第一导电层上形成富介电层,至少对富介电层进行激光退火步骤,使富激发产生聚集,以于富介电层中形成多个纳米管芯。富介电层折射系数大体上为1.47~2.5的富氧化层,或折射系数约为1.7~2.5的富氮化层,包括纳米管芯的多层结构可用于太阳能电池、光侦测器、触控显示器、非易失性存储器元件的储存节点或液晶显示器
  • 包括纳米管芯多层结构及其制作方法
  • [发明专利]一种制作透镜的方法-CN201910465649.3有效
  • 龚国华;张浩 - 深圳通感微电子有限公司
  • 2019-05-30 - 2021-06-15 - G02B3/00
  • 本发明涉及一种制作透镜的方法,包括以下步骤:涂覆压印胶:在衬底上涂覆压印胶;压印:使用预先制备的纳米压印模具将所需形状尺寸的透镜结构图形复制到所述压印胶上,在所述衬底上形成与所述透镜结构图形相对应的三维聚合物结构;ICP干法刻蚀:在ICP刻蚀腔体内以预定的压印胶与的刻蚀比对压印步骤中所得到的衬底三维聚合物结构进行刻蚀,以将所述三维聚合物结构复制到所述衬底上,从而形成透镜阵列,适用于批量制作球面以及非球面的透镜及其透镜阵列,制作效率高,精度高,并且纳米压印模具可重复使用,大大降低了单个透镜的制作成本。
  • 一种制作透镜方法
  • [发明专利]一种连续制备高纯碳纳米材料的方法-CN202010074377.7有效
  • 不公告发明人 - 金雪莉
  • 2020-01-22 - 2021-08-10 - H01M4/36
  • 本发明属于纳米材料技术领域,涉及一种连续制备高纯碳纳米材料的方法,包括如下步骤:(1)将烃类气体和含类气体输入到发热体中,在发热体内对含烃类气体和含类气体进行热分解,生成碳、离子和氢离子,所述发热体采用等离子体弧产生热能;(2)将分解出的碳、离子于发热体内生成高纯度碳复合或/和混合体纳米材料;(3)将生成的高纯碳复合或/和混合体纳米材料极速进入第一冷却容器,得到稳定成形纳米尺寸的高纯碳材料。本发明提供的连续制备高纯碳纳米材料的方法,实现了碳纳米材料的工业化制备,大幅度提高了碳纳米材料的纯度。
  • 一种连续制备高纯纳米材料方法

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