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[发明专利]学习速率自调节方法、装置、终端设备和可读存储介质-CN202010438310.7有效
发明人：刘海军;李清江;陈长林;李纪伟;李楠;徐晖;刁节涛;宋兵;刘森;王义楠;王伟;于红旗;李智炜;步凯;王玺 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G06N3/09 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种学习速率自调节方法、装置、终端设备和可读存储介质，应用于忆阻器脉冲神经网络，所述忆阻器脉冲神经网络中每一突触仅包含一个忆阻器，该方法包括：根据所述忆阻器的实时电导值获取所述忆阻器的实时权值；获取所述忆阻器的电导的非线性度值；根据所述非线性度值确定对应的忆阻器电导响应参数；根据忆阻器两端的电势差、忆阻器电导响应参数和所述实时权值确定所述非线性度值对应的所述忆阻器的权值更新量以调节学习速率。本发明利用忆阻器的非线性电导响应特性，实现在训练初期较快的调整忆阻器的权值，随着训练时间的增加，逐渐减缓对忆阻器的权值的调整。
学习速率调节方法装置终端设备可读存储介质

[发明专利]一种流水处理方法、系统和忆阻器阵列-CN202110477328.2有效
发明人：梁峰;陈燕;于振华;梁辉;卞鼐;张洁;李佩蓉;张国和 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种流水处理方法、系统和忆阻器阵列，所述方法在神经网络各个网络层对忆阻器阵列的初始映射并行度下，确定各个网络层的初始计算周期；根据各个网络层的初始计算周期中的最长计算周期，利用当前可用的忆阻器阵列对各个网络层的初始映射并行度进行迭代更新，直到可用的忆阻器阵列的数量为零，和/或在迭代更新后的映射并行度下，最长计算周期对应的目标网络层出现置换；根据迭代更新结束时的映射并行度，生成神经网络在忆阻器阵列上的流水配置。本发明实施例基于神经网络在忆阻器阵列上计算的特性，通过降低最大的单级流水时延，减少流水空闲比例，提高流水线吞吐率，进而大幅提高硬件的运行速度。
一种流水处理方法系统忆阻器阵列

[发明专利]计算装置及其鲁棒性处理方法-CN202110823231.2有效
发明人：姚鹏;吴华强;高滨;唐建石;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：该计算装置的鲁棒性处理方法包括：基于目标算法模型的模型参数，得到模型参数与第一计算忆阻器阵列的映射关系；基于决定关键权重器件的影响因子，确定由影响因子得到多个忆阻器器件的权重关键度的方式；获得算法模型的输入集，根据前述方式，确定多个忆阻器器件中每个的关键度值；根据多个忆阻器器件中每个的关键度值，在多个忆阻器器件中确定关键权重器件；基于关键权重器件，对第一处理单元进行优化处理。该方法通过对关键的部分忆阻器器件进行针对性的鲁棒性提升，实现低成本、高鲁棒的计算装置。
计算装置及其鲁棒性处理方法

[发明专利]一种忆阻电路及集成电路-CN202310390685.4在审
发明人：张补;张军;董雷宏;潘严琴;桃李;王文峰;王浩 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本申请属于忆阻器技术领域，提供了一种忆阻电路及集成电路，忆阻电路包括：N个忆阻输入电路、M个忆阻输出电路、触发逻辑电路以及触发器；忆阻输入电路由输入阻变忆阻器和输入场效应管串联组成，忆阻输出电路由输出阻变忆阻器和输出场效应管串联组成，触发器的反相时钟端以及触发逻辑电路的输出端共接于反相时钟信号端，触发逻辑电路的第一输入端连接电源端，触发逻辑电路的N个第二输入端分别连接N个所述忆阻输入电路，通过设计新颖结构的忆阻电路可以降低运算复杂度
一种电路集成电路

[发明专利]一种用于模拟非线性现象的忆阻器模型-CN202111372705.2在审
发明人：环宇翔;李枫;徐佳唯;王德豫;郑立荣;梁龙飞 -专利权人：复旦大学;上海新氦类脑智能科技有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于模拟非线性现象的忆阻器模型，由VTEAM模型模块和窗函数模块构，所述窗函数模块包括用于控制幅度大小的j，和用于控制窗函数线性度的p，且j和p可以是任意正实数，可覆盖几乎整个矩形区域。本忆阻器模型可有效地模拟忆阻器非线性掺杂剂漂移现象，并且模型通过控制参数j和p来调节非线性度，可有效解决忆阻器窗函数模存在的边界效应、边界锁定、不灵活性和高复杂度问题。
一种用于模拟非线性现象忆阻器模型

[发明专利]一种基于忆阻器阵列的紫外光辐射累积测量电路-CN201911022687.8有效
发明人：文常保;高南;刘维宇;全思;茹锋;李演明;王飚;巨永锋 -专利权人：长安大学
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G01T1/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器阵列的紫外光辐射累积测量电路，包括紫外光接收模块、忆阻器放大模块、测量开关、忆阻器阵列模块、忆阻器复位模块和忆阻器误差调理模块；紫外光接收模块连接忆阻器放大模块的输入端，忆阻器放大模块连接测量开关，开关另一端连接忆阻器阵列模块和忆阻器组织复位模块，忆阻器阵列模块与忆阻器复位模块的输出端连接，再与忆阻器误差调理模块的输入端连接；紫外光接收模块包括偏置电压、保护电阻、雪崩二极管和紫外偏振片；偏置电压的输出端连接保护电阻本发明利用忆阻器的阻值变化来测量紫外辐射的累积量，从而提高了累积测量准确度，解决了传统测量电路损耗过高的问题。
一种基于忆阻器阵列紫外光辐射累积测量电路

[发明专利]用于忆阻器阵列的权重更新方法和处理单元-CN202210592646.8在审
发明人：吴华强;张文彬;高滨;姚鹏;唐建石;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：一种用于忆阻器阵列的权重更新方法和处理单元，该忆阻器阵列设置为用于映射神经网络的网络层的权重矩阵，且忆阻器阵列包括阵列排布的多个忆阻器单元，且多个忆阻器单元的每个包括用于形成差分单元的两个忆阻器，该权重更新方法包括：获取权重矩阵中每个权重的权重更新方向；根据在先更新模式历史，选择用于忆阻器阵列的权重更新操作模式，并根据每个权重的权重更新方向改变忆阻器阵列中对应的忆阻器单元中至少一个忆阻器的电导值。该权重更新方法能够提高处理单元的权重表示范围，解决单向操作造成忆阻器电导饱和的问题，有效降低系统的能耗开销，简化系统设计的复杂度。
用于忆阻器阵列权重更新方法处理单元

[发明专利]忆阻器制备方法、忆阻器及设备-CN202110780449.4在审
发明人：刘碧录;陈文骏;张荣杰;郑荣戌 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种忆阻器制备方法、忆阻器及设备，其中，忆阻器制备方法包括：根据预设导电材料制备得到第一电极、第二电极；在第一电极的表面上设置介质层，其中，介质层为Bi2O2Se层；将第二电极转移至介质层远离第一电极一侧的表面上，以得到垂直结构忆阻器。本申请的忆阻器制备方法制备得到的忆阻器，能够降低忆阻器的面积，更利于集成度和兼容性的提高，并且，通过本申请制备方法制备得到的忆阻器具备单极性导电窗口。
忆阻器制备方法设备

[发明专利]用于忆阻器阵列的符号参数的映射方法和映射装置-CN202210469130.4在审
发明人：吴华强;秦琦;高滨;唐建石;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种用于忆阻器阵列的符号参数的映射方法和映射装置，该映射方法包括：选择忆阻器阵列中的多列为多个参考列，其中，该多个参考列中的忆阻器被按照目标电导值设置；对于该忆阻器阵列中的第一忆阻器，获取基于多个参考列中的多个忆阻器的多个电导值的参考电导值，其中，第一忆阻器不在该多个参考列中；使用参考电导值，将与第一忆阻器对应的第一符号参数映射到该第一忆阻器中。该映射方法能够有效减小由于读噪声、不均一性等器件非理想因素造成的计算误差，从而提高计算的准确度，并在大规模矩阵计算的情况下节省面积开销和减小功耗。
用于忆阻器阵列符号参数映射方法装置

[实用新型]—种新型忆阻器-CN202022357814.4有效
发明人：王梦月;刘砚一 -专利权人：南京林业大学
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了—种新型忆阻器，包括下电极、忆阻层和上电极，所述上电极固定在忆阻层的顶部表面，所述下电极固定在忆阻层的底部表面，所述忆阻层包括顶层电极材料、钨氧化物层、氮氧化钛层和底层电极材料，所述顶层电极材料氮氧化钛层和底层电极材料由上至下依次堆叠，所述下电极的底部表面覆盖设置有垫层，所述上电极的顶部表面覆盖设置有保护层；提高器件的初始电阻和低阻态电阻，减小了器件的波动性，大幅度降低了功耗，抑制了器件内部微结构变化，取得提高集成度、降低功耗的效果，结构简单，降低了工艺复杂度，节约了生产成本，垫层与保护层有效为忆阻器提供了保护，有效延长忆阻器的使用寿命。
新型忆阻器

[实用新型]一种频率可调的自激多谐振荡器-CN201220098108.5有效
发明人：孙华军;沙鹏;缪向水;张金箭;王青;徐小华;闫鹏 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H03B5/32 文献下载
摘要：一种频率可调的自激多谐振荡器，包括忆阻器控制电路、忆阻器、反馈延时电路和施密特开关电路，忆阻器控制电路、忆阻器与反馈延时电路顺序串联，反馈延时电路的输出端与忆阻器控制电路的输出端之间接有施密特开关电路。本实用新型频率稳定度高，可调整范围宽，电路所需元件简单，调试简单，容易起振，体积小，成本低，容易做成集成芯片。
一种频率可调多谐振荡器

[发明专利]一种Toffoli门电路及其操作方法-CN201910734839.0在审
发明人：李祎;程龙;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种Toffoli门电路及其操作方法，其中Toffoli门电路包括控制位忆阻器、操作位忆阻器、控制器，其中控制位忆阻器和操作位忆阻器的正极共同连接在一条阵列字线上，负极分别连接在不同的阵列位线上利用忆阻器在不同操作电压下具有多阻态的特点，通过分别在控制位忆阻器和操作位忆阻器所在的字线和位线上输入不同的控制信号来控制忆阻器两端输入的电压从而改变忆阻器的状态，进而分别存储控制位信息和操作位信息。本发明仅采用两个忆阻器即可实现Toffoli可逆逻辑功能，电路复杂度较低，电路所占面积也较小。同时由于忆阻器具有非易失的特点，在逻辑功能完成后，逻辑输出直接存储在忆阻器中，无需额外的数据传输与存储，故延时及功耗较低。
忆阻器操作位控制位电路位线字线电路复杂度正极操作电压存储控制可逆逻辑控制信号逻辑功能逻辑输出数据传输直接存储控制器负极非易失位信息功耗延时阻态存储

[发明专利]一种基于忆阻器的新型可重构双频带通滤波器-CN201910865886.9有效
发明人：游彬;赵国凯;高坤坤;俞梦缘 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于忆阻器的新型可重构双频带通滤波器。本发明引入了一种忆阻器调控电路，可以有效避免忆阻器调控电压对整体电路测试的干扰。同时本发明提出一种利用具有宽调谐范围的忆阻器作为基础并且通过控制调控电压能够实现滤波器通带可重构的射频滤波器结构。加载的忆阻器拥有低功耗、高频下极好线性度等优点，迎合了现代射频通信系统的发展需求。忆阻器尺寸小的特点为缩小整体电路尺寸带来了优势，同时加载的忆阻器能够实现射频滤波器中多模式切换的功能。
一种基于忆阻器新型可重构双频带通滤波器

[发明专利]一种地铁列车防电压波动装置-CN201711023927.7在审
发明人：王波;邹富成;成军 -专利权人：西华大学
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： B60M3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种地铁列车防电压波动装置，包括电压互感器1、电压检测模块2、忆阻器控制模块3、忆阻器驱动模块4和忆阻器Rm。当受电弓的电压通过主变压器时，输入的电压发生改变，电压互感器1将电压信号通过电压检测模块2转换成数值信号送入忆阻器控制模块3，忆阻器控制模块3通过忆阻器驱动模块4改变忆阻器Rm的忆阻值，从而实现输入电压的稳定本发明公开了一种地铁列车防电压波动装置，能够有效解决接触网供电存在的电压波动问题，提高了地铁列车运行稳定度，改善了地铁乘坐舒适度。
忆阻器地铁列车防电压波动控制模块电压检测模块电压互感器驱动模块电压波动电压信号输入电压数值信号有效解决运行稳定主变压器接触网受电弓舒适度送入地铁供电转换

[发明专利]一种基于混合型忆阻器的分数阶混沌电路设计方法-CN202210133064.3在审
发明人：张小红;杨港;马存良 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G06F30/331 文献下载
摘要：一种基于混合型忆阻器的分数阶混沌电路设计方法，由磁控忆阻器、荷控忆阻器构建的五维整数阶混合型忆阻电路，其中磁控忆阻器模型含有平方根算法和绝对值算法，荷控忆阻器是一种新颖的广义忆阻器模型。本发明根据分数阶微积分Grunwald‑Letnikov定义，从整数阶电路模型推导出分数阶混合型忆阻混沌电路模型，采用0‑1测试、SALI检测、Lyapunov指数以及复杂度方法验证了该分数阶电路具有复杂的非线性动力学行为；结合FPGA技术，设计了同阶次和不同阶次的分数阶混合型忆阻混沌模型，硬件仿真与数值计算结果一致，在复杂动力学和数字电路领域具有着广泛的应用潜力。
一种基于混合型忆阻器分数混沌电路设计方法

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