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[发明专利]基于非对称变压器的超宽带低功耗紧凑型低噪声放大器-CN202310893513.9在审
发明人：王浩;李振东;饶毅恒;吕琳;韩伟;冯辰胤;桃李 -专利权人：湖北大学
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本发明属于低噪声放大器技术领域，具体公开了一种基于非对称变压器的超宽带低功耗紧凑型低噪声放大器；其由匹配电感、级间变压器以及通过匹配电感级联的第一级放大结构和第二级放大结构构成；级间变压器由第一电感和第二电感反向耦合而成，第一级放大结构与第一电感的线圈异名端相连，第二级放大结构与第二电感的线圈异名端相连；第一电感的线圈同名端、第二电感的线圈同名端均连接偏置电压。本发明适用于改善低噪声放大器的性能，能够拓展电路带宽、降低电路面积、优化电路噪声。
基于对称变压器宽带功耗紧凑型低噪声放大器

[发明专利]一种基于神经元膜高低电位采样的脉冲电路-CN202310558303.4有效
发明人：马国坤;许事嘉;桃李;王浩;段金霞;吕琳 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G06N3/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于神经元膜高低电位采样的脉冲电路，提出膜电位高低位同步采样，在高低膜电位出现的时刻分别在对应端口输出一个指示脉冲；根据两个膜电位检测信号发放时间及相对位置综合判断神经元激活状态并发放脉冲。由于神经元阈值激活电压和保持电压相距较远，且触发脉冲发放需要两个检测脉冲按先后顺序在一定时间内成对出现，可以有效避免由于干扰或膜电位在所设置的基准电压附近波动而导致的脉冲少发或误发现象。该神经元激活状态识别和激活脉冲发放电路能够即时、准确地发放标准脉冲激活信号，为大规模多层脉冲神经网络的层间信号匹配与脉冲神经网络和各功能模块间的信号交互提供了有力支撑。
一种基于神经元高低电位采样脉冲电路

[发明专利]一种忆阻电路及集成电路-CN202310390685.4在审
发明人：张补;张军;董雷宏;潘严琴;桃李;王文峰;王浩 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本申请属于忆阻器技术领域，提供了一种忆阻电路及集成电路，忆阻电路包括：N个忆阻输入电路、M个忆阻输出电路、触发逻辑电路以及触发器；忆阻输入电路由输入阻变忆阻器和输入场效应管串联组成，忆阻输出电路由输出阻变忆阻器和输出场效应管串联组成，触发器的反相时钟端以及触发逻辑电路的输出端共接于反相时钟信号端，触发逻辑电路的第一输入端连接电源端，触发逻辑电路的N个第二输入端分别连接N个所述忆阻输入电路，通过设计新颖结构的忆阻电路可以降低运算复杂度，同时降低电路的面积和能耗。
一种电路集成电路

[发明专利]一种有限域加法器电路及集成电路-CN202310390694.3在审
发明人：张补;张军;潘杰;王培雄;桃李;王浩;王文峰 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06F7/501 文献下载
摘要：本申请属于加法器技术领域，提供了一种有限域加法器电路及集成电路，采用高频小信号作为激励，利用忆阻低通滤波器实现信号相位的调制，通过级联即可实现各个忆阻器的阻值映射到相位上的加法。由于相位本身的周期性，基于相位的加法可自然实现有限域的循环特性，而无需在相加之后判断其大小再做减法，这使得其电路结构更为简化，可应用于计算机编码、密码学以及神经元电路等相关领域的应用研究，具有重要意义。
一种有限加法器电路集成电路

[发明专利]基于钛掺杂的氧化铌选通管及其制备方法-CN202011442707.X有效
发明人：王浩;陈大磊;万厚钊;桃李;张军;汪汉斌;汪宝元;沈谅平;马国坤 -专利权人：湖北大学
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于钛掺杂的氧化铌选通管及其制备方法，该选通管包括：底电极；转换层，位于所述底电极一侧表面；顶电极，位于所述转换层远离所述底电极一侧表面；其中，所述转换层的材料为钛掺杂的氧化铌。未掺杂钛的氧化铌选通管相比于本发明，需要在选通管上外加‑5.15V的Forming电压，只有经过Forming过程选通管才能表现出阈值转变的性能。本发明的基于钛掺杂的氧化铌选通管，不需要Forming过程就可以直接表现出阈值转变的性能，具有Forming‑free的特性，可以极大地缓解外围电路的设计压力，并保护器件免受大电压的破坏。
基于掺杂氧化铌选通管及其制备方法

[发明专利]一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法-CN202110170101.3有效
发明人：王浩;余志颖;季杰;檀秋阳;潘希彦;马国坤;饶毅恒;万厚钊;桃李;彭小牛;段金霞;汪汉斌;汪宝元 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转换层；阻变层；顶电极；转换层为钛掺杂的氧化铌。本申请的器件，转换层为钛掺杂的氧化铌，基于该材料制得的选通管有操作电压十分稳定、抗高脉冲电流等优点；阻变层采用氮化硅薄膜，由于氮化物的存在使得氧空位移动受到限制，使得氧空位更为可控。本申请采用掺钛氧化铌作为选通管功能层和氮化硅薄膜作为阻变层，使制得的1S1R器件具有稳定的SET电压、RESET电压、负极性阈值电压和正极性保持电压等相关操作电压，明显的存储窗口和选通比(非线性值)，在直流耐受性测试中表现出较强的稳定性，因此能够有效地减小漏电流，有一定的抗串扰能力。
一种基于氧化 s1r 器件及其制备方法

[发明专利]一种基于铝掺杂氧化铌的选通器件及其制备方法-CN202110395190.1有效
发明人：马国坤;桃李;万厚钊;段金霞;饶毅恒;董文静;刘能帆;陈傲;王浩 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的选通器件及其制备方法，该选通器件包括底电极；转变层，位于底电极一侧表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为m，0.1％≤m＜1.5％。本发明的基于铝掺杂氧化铌的选通器件，转变层为铝掺杂氧化铌薄膜，通过铝掺杂提升了氧化铌高阻态的势垒，增加高阻态电阻，相比传统的转换层为氧化铌的选通管具有更高的选通比。
一种基于掺杂氧化器件及其制备方法

[发明专利]一种无机钙钛矿纳米线薄膜的制备方法-CN202211228067.1在审
发明人：谢剑;郭忠献;张凯;桃李;王浩;张军 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本申请属于太阳能电池技术领域，提供了一种无机钙钛矿纳米线薄膜的制备方法。首先将碘化铅溶解并在恒温条件下搅拌均匀得到碘化铅前驱液；在碘化铅前驱液中加入沉淀剂，得到淡黄色絮状物，并对淡黄色絮状物离心处理得到淡黄色胶体状物质，淡黄色胶体状物质真空干燥得到碘化铅复合产物；基于碘化铅复合产物得到前驱旋涂溶液，将前驱旋涂溶液在衬底上进行旋涂制膜，并退火处理得到疏松的碘化铅薄膜层；将碘化铅薄膜层依次置于碘化铯溶液、溴化铯溶液中浸泡处理后退火得到无机钙钛矿薄膜，从而基于疏松的PbI2纳米结构，可以充分与碘化铯溶液、溴化铯溶液接触并反应，制备取向性好、物化稳定性优、结晶性高的一维无机钙钛矿纳米线材料。
一种无机钙钛矿纳米薄膜制备方法

[发明专利]一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法-CN202210587796.X在审
发明人：沈谅平;危家昀;桃李;万厚钊;马国坤;王浩 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供了一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法，该日盲型紫外光电探测器，包括：导电基底，其上开设有沟道；In掺杂的Ga2O3纳米柱阵列，其位于沟道上。本发明的日盲型紫外光电探测器，导电基底为自带沟道的导电基底，因而在导电基底的沟道两侧自然形成电极，而且目前大多数器件都需要额外制作电极，不仅增加了实验步骤还大大增加了实验成本，本发明采用自带沟道的导电基底不需要额外制备电极，大大简化了实验步骤和实验成本；同时本申请采用In掺杂的Ga2O3纳米柱阵列，使得日盲型紫外光电探测器器件具有更低的暗电流，在低光强下仍具有较高的开关比。
一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种忆阻器的状态检测方法及其读写装置-CN202210674740.8在审
发明人：王浩;郑卓成;沈谅平;马国坤;万厚钊;饶毅恒;桃李 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种忆阻器的状态检测及其读写装置，属于忆阻器的应用技术领域；本发明的装置包括：模拟模块、数字模块、忆阻器模块以及检测电路；通过分析比较忆阻器的几类窗函数模型，使其能在电气特性方面和阻变存储单元的阻变转变特性相一致；并对状态检测读写电路进行仿真验证，并对状态检测电路进行优化。
一种忆阻器状态检测方法及其读写装置

[发明专利]一种基于碳布生长的金属掺杂碳酸锰电极材料及其制备方法和应用-CN202110212580.0有效
发明人：王浩;刘鹏程;段金霞;王浚英;汪汉斌;马国坤;桃李;彭小牛;张军;万厚钊 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碳布生长的金属掺杂碳酸锰电极材料及其制备方法和应用，属于水系锌离子电池阴极储能材料技术领域。本发明以碳布为基底，将碳布预处理后置于配有适当比例的金属盐、锰盐和尿素的反应釜内胆的混合溶液中，并将碳布用聚四氟乙烯板固定，最后将反应釜装置放入干燥箱中进行水热反应，其中：反应温度设置为100～180℃，反应时间设置为16～24h，反应完成后清洗干净并干燥即可。本发明的金属掺杂碳酸锰后，形貌发生改变，在提高结构的稳定性同时，增大了反应过程的表面积，也提升了其能量密度。此外，本发明制备的电极材料在电池充放电过程中对进入阴极材料内部嵌入脱嵌的锌离子的静电作用力减少，电导率增大，提升了电池的电化学性能。
一种基于生长金属掺杂碳酸电极材料及其制备方法应用

[实用新型]一种阈值转换忆阻器仿真模型的电路-CN202120654257.4有效
发明人：彭芷昕;桃李;万厚钊;马国坤;王浩 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种阈值转换忆阻器仿真模型的电路，本实用新型电路仅含有运算放大器、滞回比较器、压控开关和电阻。巧妙地利用了滞回比较器功能，不仅满足TSM实际器件阈值设置需求，还可以通过参数调节实现三种不同情况下的阈值电压设置。在用于IF神经元电路测试中，高度匹配类突触脉冲信号输出仿真，得到了稳定、连续的脉冲信号输出，该TSM模型仿真不仅仅限于IF电路使用，适用于所有需要TSM器件特性的仿真电路。同时，该模型实现了电路设计简单，成本低，仿真速度快、仿真文件小、可靠性高，高效等特性。
一种阈值转换忆阻器仿真模型电路

[发明专利]一种基于超临界二氧化碳流体处理MOS管的方法-CN202110373948.1在审
发明人：王浩;湛飞;马国坤;饶毅恒;桃李;段金霞;彭小牛;万厚钊 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于超临界二氧化碳流体处理MOS管的方法，包括以下步骤：将MOS管置于超临界流体反应腔体内，向反应腔体内加入水；向反应腔体内通入超临界二氧化碳流体，控制反应腔体内的压力为2800～3200psi、温度为100～140℃，反应1～2h。本发明的方法，超临界二氧化碳流体能够顺利进入MOS管纳米级孔隙或空间而不造成损伤，通过超临界流体携带有效的反应性物质水进入MOS管内部，从而有效的钝化界面缺陷，改善其介电常数；本发明能显著地降低MOS管的漏电流和提升漏极饱和电流，解决了MOS管尺寸减小引发的漏电流升高和漏极饱和电流降低的难题，达到了提升MOS管器件性能的目的。
一种基于临界二氧化碳流体处理 mos 方法

[发明专利]一种基于铝掺杂氧化铌的抗串扰阻变器件及其制备方法-CN202110395182.7在审
发明人：王浩;桃李;万厚钊;段金霞;饶毅恒;董文静;马国坤;陈傲;刘能帆 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的抗串扰阻变器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转变层，位于底电极表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为1.5～5％。本发明的抗串扰阻变器件，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，通过高浓度铝掺杂提升抗串扰阻变器件的稳定性，铝原子可以起到固定五氧化二铌区域导电丝的作用，极大增加抗串扰阻变器件的耐受性；相比传统的1S1R器件，可减少集成中的光刻及刻蚀步骤，降低工艺复杂度，节约成本；相比纯氧化铌阻变器件，本申请的的抗串扰阻变器件，耐受性有极大提升，并且抗串扰阻变器件的阈值电压和电阻稳定性均有提升。
一种基于掺杂氧化抗串扰阻变器件及其制备方法

[发明专利]TiO2-CN201810312071.3有效
发明人：王浩;陈柯宇;桃李 -专利权人：湖北大学
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了TiO2曲奇状微球的制备方法以及制备钙钛矿太阳能电池的方法，TiO2微球为乙腈、异丙醇、乙酰丙酮混合后，滴加钛酸正四丁酯，四丁基氢氧化铵作为控制剂，在160℃‑200℃加热12h‑20h，沉淀离心洗涤并干燥，再经高温退火得到TiO2微球粉末。将所得粉末与P25混合制备成浆料，旋涂在已涂有致密层的FTO上并作为钙钛矿太阳能电池的介孔层。在TiO2薄膜上先后旋涂MAPbI3和Spiro‑OMeTAD，最后蒸镀一层Au。该高比表面积的TiO2微球采用一步水热法，制备工艺简单，成本低廉；所制备的TiO2薄膜表现出优异的导电性及对可见光的吸收效应，同时将其应用在钙钛矿太阳能电池获得了优良的光电转化效率，为制备大面积、低成本、高效率的钙钛矿太阳能电池提供了可能。
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