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[发明专利]数据处理方法及电子装置-CN202111289608.7在审
发明人：吴华强;周颖;高滨;唐建石;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G06F7/487 文献下载
摘要：一种基于忆阻器阵列的数据处理方法及电子装置。数据处理方法包括获取待处理对象，其中，待处理对象包括阵列排布的多个像素点；设置忆阻器阵列，将待处理对象中的每个像素点的值映射至忆阻器阵列中对应的忆阻器单元；通过忆阻器阵列计算待处理对象对应的中心坐标，其中，忆阻器阵列被配置为可进行乘和运算。该基于忆阻器阵列的数据处理方法减少了很多不必要的数据搬运过程，减小了硬件实现的能耗和延迟开销。
数据处理方法电子装置

[发明专利]忆阻器的仿真方法、装置、计算设备及可读存储介质-CN202211003064.8有效
发明人：郭克;卢彦;孟杰 -专利权人：统信软件技术有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明涉及计算机技术领域，公开了一种忆阻器的仿真方法、装置、计算设备及可读存储介质，忆阻器包括忆阻器阵列和缓存，方法包括：响应于设置权重阵列的指令，将权重阵列填充至忆阻器阵列上；在随机时长的延迟期间模拟电脉冲的设置；基于模拟电脉冲的设置，对缓存中的数据在忆阻器阵列中与权重阵列的计算过程进行仿真。本发明的技术方案实现了对忆阻器计算过程的仿真，提升了忆阻器仿真的准确性。
忆阻器仿真方法装置计算设备可读存储介质

[发明专利]一种同步读写观测的忆阻器阵列优化编程系统和编程方法-CN202310673207.4在审
发明人：杨玉超;岳文硕;张腾;杨振;杨宇翔 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种同步读写观测的忆阻器阵列优化编程系统和编程方法。该编程系统包括集成在芯片上的忆阻器阵列模块、忆阻器编程模块、忆阻器状态监测模块与逻辑判断模块，忆阻器阵列利用了SL与WL平行，二者与BL垂直的阵列架构，可以无串扰、无漏电地支持实时编程与批量编程。该编程系统利用实时监测机制，在器件达到预定状态时就立刻结束编程，有效节约忆阻器阵列编程时间；利用实时观测器件状态并调整编程强度的方式，更加细致地调控器件编程阻态大小；结合本发明的阵列操作方式，可以对忆阻器阵列进行批量并行编程，进一步提高忆阻器阵列编程速度。
一种同步读写观测忆阻器阵列优化编程系统方法

[发明专利]一种用于存算融合架构的神经网络剪枝装置及方法-CN202110457638.8有效
发明人：唐建石;牟星;张清天;高滨;钱鹤;吴华强 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：该装置包括：写电压模块，读电流模块和由多个既具有动态特性又具有非易失特性的双模态忆阻器构成的忆阻器阵列。该方法首先通过写电压模块向忆阻器阵列中施加一个弱正向电压刺激，使得忆阻器阵列中所有忆阻器均处在动态模式；在神经网络学习中，每次训练通过改变忆阻器的电导值更新其权重值，同时在训练之间插入一系列休息阶段，最终，权重更新多的忆阻器会达到阻态稳定条件，而权重更新少的忆阻器则会衰减到高阻状态，忆阻器阵列经过训练成为一个稀疏神经网络。
一种用于融合架构神经网络剪枝装置方法

[发明专利]一种双极选通忆阻器的制备方法及双极选通忆阻器-CN202110639876.0有效
发明人：李祎;何毓辉;付瑶瑶;黄晓弟;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种双极选通忆阻器的制备方法及双极选通忆阻器，包括：制备下电极；在下电极上沉积阻变材料层；在阻变材料层上沉积上电极：采用磁控溅射方式沉积上电极，通过控制溅射功率以控制上电极金属粒子具备合适的动能，并控制上电极和阻变材料层所处区域的真空度，以使得在上电极沉积的过程中上电极与阻变材料层自发发生氧化还原反应，形成内建双极选通层，并继续在内建双极选通层上沉积上电极；或选用相比阻变材料层金属元素活性高的材料作为上电极的金属材料，使得在上电极沉积的过程中上电极与阻变材料层自发发生氧化还原反应，形成内建双极选通层，并继续在内建双极选通层上沉积出上电极。本发明提高了双极选通器件的性能。
一种双极选通忆阻器制备方法

[实用新型]一种电压源串联遗忘忆阻突触结构及图片存储器-CN202023025542.4有效
发明人：陈玲;刘轶;李传东;周颖华 -专利权人：西南大学
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电压源串联遗忘忆阻突触结构及图片存储器，涉及电力电子技术领域，解决了现有忆阻器突触功能单一、对忆阻器要求较高的问题，其技术方案要点是：包括电压源、第一忆阻器、第二忆阻器，电压源的正极与第一忆阻器、第二忆阻器依次串联后连接电流输出端，电压源的负极接地。本实用新型提供的电压源串联遗忘忆阻突触结构，设置不同参数对忆阻器的遗忘特性进行调整和控制，同时具有长短时记忆功能；其短时记忆权值通过时间变化自动切换成长时记忆权值，不需要外加信号，因此遗忘突触也不会增加系统的功耗
一种电压串联遗忘突触结构图片存储器

[发明专利]一种基于模拟型阻变和阈值型阻变的堆叠忆阻器及其制备方法-CN202210057163.8在审
发明人：王中强;卞景垚;陶冶;徐海阳;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于模拟型阻变和阈值型阻变的堆叠忆阻器及其制备方法，该堆叠忆阻器包括模拟型忆阻器和阈值型忆阻器，模拟型忆阻器包括顶电极Au、阻变层氧化钨(WOX)薄膜及底电极W；阈值型忆阻器包括顶电级W、阻变层银掺杂卡胶(Ag:ι‑car)薄膜及底电极Pt。该在堆叠忆阻器单个Au/氧化钨/W/银掺杂卡胶(Ag:ι‑car)/Pt/Ti/SiO2/Si忆阻器件中演示了人工神经元的LIF行为，通过调整施加脉冲的间隔和幅值
一种基于模拟型阻变阈值堆叠忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种具有双极特性的浮地型HP忆阻等效电路-CN201710231830.9有效
发明人：王将;钱辉;居朱涛;徐犇;包伯成;陈墨;徐权 -专利权人：常州大学
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双极特性的浮地型HP忆阻等效电路，包括运放U1、电流传输器U2和U3、乘法器U4以及电阻R1和R2、电容C1；其中电阻R1、电容C1和电流传输器U2相连构成积分电路；运放U1的正输入端连接输入信号，输出端与负输入端连接实现电压跟随；乘法器U4实现信号的相乘；电流传输器U3与R2以及乘法器输出相连，实现输出电流与输入电流的镜像。本发明利用模拟电路实现了HP TiO2忆阻的伏安特性，结构简单，而且改变乘法器的输入端口连接可实现增量忆阻与减量忆阻的变换，更加符合HP忆阻特性。
一种具有特性 hp 等效电路

[发明专利]一种基于忆阻器的数据选择器电路及数据选择方法-CN202211213280.5在审
发明人：王兴晟;张晨宇;宋玉洁;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H03K19/173 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的数据选择器电路及数据选择方法，属于微电子器件技术领域；其中，基于忆阻器的2选1数据选择器用于基于逻辑值s从逻辑值a和逻辑值b中选出一个数据；该数据选择器电路包括三个忆阻器和一个电阻，结构简单，电路的复杂度低，电路面积小，可扩展性强；具体地，逻辑值s以电压的形式定义在忆阻器M1和忆阻器M2的电压输入端，逻辑值a定义为忆阻器M1的阻态，逻辑值b定义为忆阻器M2的阻态，忆阻器M3的阻态作为输出；只需对忆阻器M1和忆阻器M2进行置态以及对忆阻器和电阻进行加压三步操作即可实现数据选择功能，与现有的2选1数据选择器相比，能够在较少的器件和操作步数的条件下以较高的计算效率实现数据选择运算。
一种基于忆阻器数据选择器电路选择方法

[发明专利]一种基于忆阻器的多进制加法运算电路-CN201610160051.X有效
发明人：李祎;王卓睿;周亚雄;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G06F7/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的多进制加法运算电路，包括第一忆阻器、第二忆阻器、第三忆阻器、第一右旋逻辑门、第二右旋逻辑门、第一电压转换器和第二电压转换器；第一右旋逻辑门的输入端作为多进制加法运算电路的输入端，第一右旋逻辑门、第一电压转换器、第二右旋逻辑门和第二电压转换器依次连接，第一忆阻器的一端、第二忆阻器的一端和第三忆阻器的一端连接后作为多进制加法运算电路的输出端，第一忆阻器的另一端连接至第一右旋逻辑门的输入端，第二忆阻器的另一端连接至第一电压转换器与第二右旋逻辑门的连接端；第三忆阻器的另一端连接至第二电压转换器的输出端。本发明能够基于忆阻器所具有的多电阻状态转变并可以发生非易失性变化的特性实现多值逻辑运算。
一种基于忆阻器多进制加法运算电路及其操作方法

[发明专利]一种基于氧化铌的莫特忆阻器阵列及其制备方法、莫特忆阻器和应用-CN202310785834.7在审
发明人：张彦忠;王宇;王沿霁;安欣悦;童袆 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10N79/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氧化铌的莫特忆阻器阵列及其制备方法、莫特忆阻器和应用，所述莫特忆阻器由下至上分为底电极层、阻变层和顶电极层，所述阻变层为氧化铌，所述莫特忆阻器的顶电极层的电极和底电极的电极由多个相互平行且设有间隙的电极组成，所述顶电极层与底电极层呈交叉状布设，以提高莫特忆阻器的集成度。本发明通过将氧化铌作为阻变层材料，使莫特忆阻器阵列、莫特忆阻器表现出良好的阈值切换特性以及良好的器件稳定性和循环稳定性，能够更好地应用于神经元电路的搭建，且制备莫特忆阻器阵列的方法较为简单、高效，适合在产业上推广使用
一种基于氧化莫特忆阻器阵列及其制备方法应用

[发明专利]一种光控忆阻器及其制备方法-CN202210487825.5在审
发明人：臧春和;王斌 -专利权人：光子集成（温州）创新研究院
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光控忆阻器及其制备方法，属于忆阻器技术领域，能够增大现有忆阻器的叠层密度并减小其功耗。所述光控忆阻器包括依次堆叠设置的第一光源层、忆阻器阵列层和第二光源层；所述忆阻器阵列层包括呈阵列分布的多个忆阻器器件；所述第一光源层包括呈阵列分布的多个第一发光器件；所述第二光源层包括呈阵列分布的多个第二发光器件；所述忆阻器器件、所述第一发光器件和所述第二发光器件均一一对应；所述第一发光器件用于发射第一波段光；所述第一波段光用于控制对应的所述忆阻器器件开启；所述第二发光器件用于发射第二波段光；所述第二波段光用于控制对应的所述忆阻器器件关闭
一种光控忆阻器及其制备方法

[发明专利]基于忆阻器的存算一体存算单元和存算阵列-CN202210461837.0在审
发明人：高润雄;段杰斌 -专利权人：深圳市金和思锐科技有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的存算一体存算单元和存算阵列，该存算单元包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第一忆阻器、第二忆阻器、第一偏置电流源和第二偏置电流源，其中，第一场效应管、第一忆阻器、第二忆阻器和第三忆阻器依次串联，第一偏置电流源、第二场效应管、第三场效应管和第二偏置电流源依次串联，且第一忆阻器和第二忆阻器均与第二场效应管连接，第二忆阻器和第三忆阻器均与第三场效应管连接，实现了单个存算单元可以输出1.5比特的三种乘加结果
基于忆阻器一体单元阵列

[发明专利]感算一体目标高精度检测识别系统及方法-CN202310763155.X在审
发明人：宋博;蔡斌;苗金水;张强;孙智涌 -专利权人：江淮前沿技术协同创新中心
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G06V10/82 文献下载
摘要：本发明提供感算一体目标高精度检测识别系统及方法，方法包括：利用忆阻器阵列以及适用外围电路构建目标检测网络；采用复杂teacher网络指导目标检测网络的特征提取过程；从感存算一体化芯片获取忆阻器阻值漂移、不稳定参数，建模忆阻器可用阻态、高斯、椒盐噪声函数，构建忆阻器非理想特性模型；以忆阻器非理想特性模型将忆阻器非理想特性转化为目标检测网络权重的叠加噪声；以叠加噪声生成新权重值，将新权重值转化为忆阻器阻值本发明解决了忆阻器非理想特性导致忆阻器权重扰动，权重表征能力较差，导致目标检测识别精度偏低的技术问题。
一体目标高精度检测识别系统方法

[发明专利]一种阻态依赖阈值开关性质的实现方法-CN202010987506.1在审
发明人：陈心满;钟智坚;蒋治国;黄健宁;章勇 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种忆阻器，包括衬底、第一电极、氧化铪层和第二电极，各个材料之间依次叠加，功能性材料氧化铪层设置在第一电极和第二电极之间，本发明还公开了一种忆阻器的制备方法和一种忆阻器的阻态依赖阈值开关特性的实现方法，本发明实现了忆阻器的可调控的阈值开关阻变性质，忆阻器的结构简单、制作工艺简便，使忆阻器在不同阻态下呈现出具有差异性的阈值开关特性。
一种依赖阈值开关性质实现方法

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