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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种简单的忆阻器仿真器-CN201410008607.4在审
发明人：张徐亮;于永斌;张文姝;金菊;金勇;陈文宇;屈鸿 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-01-08 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及基于仿真器研究忆阻器特性的方法，提供了一种简单的忆阻器仿真器。其目的在于使用简单的电路元器件构成仿真器用于模拟忆阻器的特性，进而帮助探索忆阻器的潜在应用。这种简单的仿真器是使用电容器，电感器和电阻构成的。在忆阻器模拟电路中通过控制仿真器参数提供电路的非线性特性，从而达到模拟忆阻器的效果。传统忆阻器仿真器一般基于运算放大器或者微处理器，它们的实现往往需要建立复杂的电路才能达到较好的效果。而本发明在有效规避了建立复杂电路的基础上较真实地模拟了忆阻器的行为，使得将来基于忆阻器仿真器的研究变得更加简单高效。
一种简单忆阻器仿真器

[发明专利]一种基于忆阻突触的智能寻址系统-CN201911049147.9在审
发明人：缪向水;何毓辉;杨辉 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： G05D1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻突触的智能寻址系统，包括输入层神经元、忆阻突触、隐藏层神经元、连接电阻和输出层神经元，忆阻突触用于根据该忆阻突触中忆阻器的阻值将输入层神经元的脉冲信号经过调节后传递给隐藏层神经元；该基于忆阻突触的智能寻址系统，在智能寻址的训练过程中，其中的忆阻突触能够根据输入层神经元与隐藏层神经元的激发时间的时间差，以及根据外部环境提供的反馈信号来更新该忆阻突触中忆阻器的阻值，从而使结束训练后忆阻器阻值固定的智能寻址系统能够实现智能寻址功能本发明通过对该系统的细节网络结构进行改进，利用忆阻器参与构建智能寻址网络系统，训练好的忆阻器阻值固定的智能寻址网络系统，就能够实现智能寻址功能。
一种基于突触智能寻址系统

[发明专利]1‑选择器N‑电阻器忆阻设备-CN201480077686.2在审
发明人：杨建华;G·吉布森;李智勇 -专利权人：慧与发展有限责任合伙企业
申请日： 2014-04-10 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种1‑选择器n‑电阻器忆阻设备，其包括第一电极、选择器、多个忆阻器和多个第二电极。该选择器经由该选择器的第一界面耦合到该第一电极。每个忆阻器经由每个忆阻器的第一界面耦合到该选择器的第二界面。每个第二电极经由每个忆阻器的第二界面耦合到一个忆阻器。
选择器电阻器设备

[发明专利]基于忆阻器阵列的数据处理方法、电子装置-CN202210016618.1在审
发明人：吴华强;刘正午;赵涵;唐建石;高滨;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G06F17/16 文献下载
摘要：本公开至少一实施例提供一种基于忆阻器阵列的数据处理方法和电子装置。该基于忆阻器阵列的数据处理方法包括：获取多个第一模拟信号；设置忆阻器阵列，将对应于数据处理的参数矩阵的数据写入忆阻器阵列；将多个第一模拟信号分别输入设置后的忆阻器阵列的多个列信号输入端，控制忆阻器阵列操作以对多个第一模拟信号进行数据处理，在忆阻器阵列的多个行信号输出端分别得到执行数据处理后的多个第二模拟信号。该基于忆阻器阵列的数据处理方法通过将复数域矩阵向量乘法对应的参数矩阵映射到忆阻器阵列，实现一次计算即可得到复数域矩阵向量乘法运算结果，从而减少了忆阻器阵列外围的辅助运算电路的面积和功耗开销。
基于忆阻器阵列数据处理方法电子装置

[发明专利]用于忆阻器单元编程的方法和装置-CN202310644161.3在审
发明人：高滨;许璞凡;姚鹏;伍冬;唐建石;钱鹤;吴华强 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开提供用于忆阻器单元编程的方法，方法包括执行至少一个编程循环，其中，每个编程循环包括：基于用于忆阻器单元的编程操作电压和编程目标电阻值生成参考电流，其中，编程操作电压是要用于置位或复位忆阻器单元的操作电压；检测被施加编程操作电压的忆阻器单元的第一电流；基于要对忆阻器单元执行的编程操作以及第一电流与参考电流之间的比较，更新编程操作电压，并对忆阻器单元施加更新的编程操作电压以对忆阻器单元进行编程以改变忆阻器单元的阻值本公开所提供的用于忆阻器单元编程的方法和装置避免了忆阻器单元在编程状态和校验状态之间的切换和过操作现象的发生，提升了编程的效率。
用于忆阻器单元编程方法装置

[发明专利]一种忆阻器交叉阵列-CN202110044218.7有效
发明人：梁峰;张洁;李冰;张国和 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种忆阻器交叉阵列，包括：忆阻器基本单元，控制导线；所述忆阻器基本单元包括：忆阻器、MOS管；所述控制导线包括：横向的字线、纵向的位线、MOS管栅极控制线；所述字线作为所述忆阻器交叉阵列的激励电压输入端；其中，奇数行的字线输入的激励电压从所述忆阻器交叉阵列的一侧输入，偶数行的字线输入的激励电压从所述忆阻器交叉阵列的另一侧输入，在每一列忆阻器的电导相同的条件下，所述忆阻器交叉阵列每一列位线最终输出的电流相等或相近本发明实施例提供的忆阻器交叉阵列，使每一列受到的线寄生电阻影响相似，避免了线寄生电阻影响的累加，各列位线最终输出的电流更加接近，减少了线寄生电阻对阵列的计算准确度的影响。
一种忆阻器交叉阵列

[实用新型]一种忆阻器状态读取电路-CN202120959666.5有效
发明人：吴建锋;周明娟;赵文静;阮越;蒋燕君;尉理哲;徐振宇;叶芳芳;江俊;许森;王金铭;吕何新;王章权 -专利权人：浙江树人学院(浙江树人大学)
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种忆阻器状态读取电路，该读取电路并接在忆阻器两端，其在忆阻器的一端产生激励信号，并在忆阻器的另一端读取输出状态以此获取忆阻器的状态；所述读取电路至少包括第一电阻R1、激励模块和状态获取模块，其中，激励模块与忆阻器的一端相连接，用于向忆阻器输出电压信号；忆阻器的另一端与第一电阻R1的一端相连接作为状态输出端，第一电阻R1的另一端接地；状态获取模块与状态输出端相连接，用于获取状态输出端的电压状态并以此获取忆阻器的状态与现有技术相比，本实用新型的技术方案能够以更为简单的电路结构实现忆阻器状态的读取。
一种忆阻器状态读取电路

[实用新型]一种基于忆阻器的直流断路器电路-CN201620498613.7有效
发明人：陈艳峰;谭斌冠;张波 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H02H3/087 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于忆阻器的直流断路器电路，由过电流检测装置、判断装置、基于忆阻器的直流断路器，开关K和负载组成。该基于忆阻器的直流断路器由忆阻器和PI控制器组成。在电路正常运行时，通过开关接入PI控制器，这时忆阻器维持在低阻态；当电路出现过电流时，触发开关切换出PI控制器，这时忆阻器的阻值随着流过的电流而不断增大，在很快的时间内，忆阻器呈现出高阻态，从而限制住电流的增加
一种基于忆阻器直流断路器电路

[发明专利]一种基于碘氧化铋薄膜的忆阻器、其制备方法及应用-CN201810847058.8有效
发明人：闫小兵;赵孟柳;王宏;任德亮 -专利权人：河北大学
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于碘氧化铋薄膜的忆阻器、其制备方法及应用。本发明中的忆阻器包括底电极，在所述底电极上制有由碘氧化铋薄膜构成的阻变功能层，在所述阻变功能层上制有顶电极。本发明采用碘氧化铋薄膜作为忆阻器的阻变功能层，碘氧化铋能够使器件内的氧空位变多，这些氧空位可作为顶电极和底电极之间稳定的导电通道，进而使得器件的电阻在发生变化时不会出现突变现象。本发明中的忆阻器由于采用了碘氧化铋薄膜作为器件的阻变功能层，因此，实现了器件对生物突触功能的模拟，包括短期可塑性、长期可塑性、双脉冲易化、尖峰时刻可塑性、学习‑遗忘‑再学习等，这意味着模拟人脑强大的计算能力和高效率的人工智能芯片有着乐观的发展前景
一种基于氧化薄膜忆阻器制备方法应用

[实用新型]一种含正阈值忆阻器的混沌电路-CN202221768813.1有效
发明人：闵富红;胡飞;陈成杰;承亦梓 -专利权人：南京师范大学
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H04L9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种含正阈值忆阻器的混沌电路，通过调节可调节电阻，产生极限环、单涡卷、双涡卷吸引子以及对应的振荡信号，通过正阈值忆阻器实现输出的振荡信号含有正阈值区间的函数，利用观测器能够观测到含有正阈值区间的振荡信号
一种阈值忆阻器混沌电路

[发明专利]忆阻器制备方法、忆阻器及设备-CN202110780449.4在审
发明人：刘碧录;陈文骏;张荣杰;郑荣戌 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种忆阻器制备方法、忆阻器及设备，其中，忆阻器制备方法包括：根据预设导电材料制备得到第一电极、第二电极；在第一电极的表面上设置介质层，其中，介质层为Bi2O2Se层；将第二电极转移至介质层远离第一电极一侧的表面上，以得到垂直结构忆阻器。本申请的忆阻器制备方法制备得到的忆阻器，能够降低忆阻器的面积，更利于集成度和兼容性的提高，并且，通过本申请制备方法制备得到的忆阻器具备单极性导电窗口。
忆阻器制备方法设备

[发明专利]一种二极管桥电路实现的新型二阶忆阻模拟器-CN201510249605.9在审
发明人：包伯成;姜盼;于晶晶;林毅 -专利权人：常州大学
申请日： 2015-05-16 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种由二极管桥电路实现的新型二阶忆阻模拟器，即由二极管整流桥电路与二阶并联LC震荡电路构成的新型忆阻器实现电路。本发明实现了由二极管整流桥电路与二阶谐振电路构成的新型忆阻模拟器；此模拟器具有结构简单(只由三种基本电路元器件构成：二极管、电感、电容)，并具有可双端输入特性，对于忆阻器应用上的突破性进展将会有巨大的帮助作用
一种二极管电路实现新型二阶忆阻模拟器

[发明专利]一种基于离子扩散和相变机制实现忆阻器忆阻的方法-CN202210843363.6在审
发明人：吴劲松;郭安安;白辉;罗豪 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体储存相关技术领域，提出了一种基于离子扩散和相变机制实现忆阻器忆阻的方法，所述忆阻器的结构包含上下电极层、中间功能层Ag2Te半导体，其特征在于：对所述忆阻器施加超低电压，引起Ag2Te半导体发生相变和离子扩散，进而引起阻变实现忆阻器忆阻。本发明设计了一种单向正脉冲电压信号输入模式，这能稳定实现阻变，不但避免了离子扩散带来的缺点，还使所述忆阻器的电阻可发生可控的高低阻态切换。
一种基于离子扩散相变机制实现忆阻器忆阻方法

[发明专利]一种忆阻忆容混沌电路系统的构造方法-CN201911317465.9在审
发明人：陈啸 -专利权人：宁波海特技术转移有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H04L9/00 文献下载
摘要：本发明是一种忆阻忆容混沌电路系统的构造方法。所述方法为确定忆阻器和忆容器的数学模型，然后利用忆阻器模型，忆容器模型和一个电感器，构建得到最终的新型最简忆阻忆容混沌电路，并利用数字信号处理技术，设计数字电路作为混沌序列发生器。本发明构造的新新型最简忆阻忆容混沌系统的动力学特性十分丰富，包括存在多种混沌吸引子，状态转移，混沌退化和多吸引子共存等复杂现象。新型最简忆阻忆容混沌系统是只有三个电路元件的最简并联电路，所以该系统会更易于硬件实现。
一种忆阻忆容混沌电路系统构造方法

[发明专利]一种忆阻器及其制备方法-CN202211596050.1在审
发明人：李京波;杨亚妮;霍能杰 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种忆阻器及其制备方法。本发明提供的忆阻器包括衬底，位于衬底表面的第一金属电极和第二金属电极，位于第一金属电极和第二金属电极表面的二维碲纳米片，以及二维碲纳米片表面的氧化铝层。二维碲纳米片的表面被氧化铝包裹，使得忆阻器具有忆阻的特性。忆阻器的高阻态电阻Roff和低阻态电阻Ron的比值可达到106，使得忆阻器能够更好的区分出忆阻器的高阻态和低阻态同时忆阻器具有低功耗，制备过程简单，有利于推动忆阻器以及存储器等领域的进一步发展。
一种忆阻器及其制备方法

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