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[发明专利]一种与Si‑CMOS工艺兼容的AlGaN/GaN异质结HEMT器件及其制作方法-CN201711169060.6在审
发明人：王洪;周泉斌;李祈昕 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种与Si‑CMOS工艺兼容的AlGaN/GaN异质结HEMT器件及制作方法。该器件包括AlGaN/GaN异质结外延层、钝化层、栅介质层、无金栅电极、无金源漏电极。所述AlGaN/GaN异质结外延层从下往上依次包括衬底、氮化物成核层、氮化物缓冲层、GaN沟道层、AlGaN本征势垒层和AlGaN重掺杂层，AlGaN重掺杂层通过电离施主产生电荷以补偿半导体的表面受主能级从而抑制电流崩塌本发明通过在AlGaN/GaN异质结中采用双层AlGaN层，结合无金电极工艺和低温欧姆工艺，可以有效抑制HEMT器件的电流崩塌，提高器件性能，同时降低工艺温度、简化工艺流程，解决了AlGaN/GaN异质结HEMT与Si‑CMOS工艺兼容的技术瓶颈，有助于降低AlGaN/GaN异质结HEMT的制造成本。
一种 si cmos 工艺兼容 algan gan 异质结 hemt 器件及其制作方法

[发明专利]一种单层MoS2-CN201911084034.2在审
发明人：张永哲;李毓佛;陈永锋;王佳蕊;安博星;马洋;严辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L29/225 文献下载
摘要：一种单层MoS2‑WS2横向异质结的制备方法，属于纳米材料生长领域。对选择的前驱体源进行电化学氧化处理，实现对应钼、钨两种金属的前驱体源在不同温度挥发，通过化学气相沉积法一步制备微米级清晰界面的横向异质结。本发明生长横向异质结的方法是，在可精确控温的管式炉中，使用惰性气体作为反应源(钼源、钨源和硫源)的输运气体，控制发生不同的化学气相沉积反应形成横向异质结。本发明制备的单层MoS2‑WS2横向异质结，具有微米级清晰的异质结分界线，横向尺寸可达到一百微米以上。
一种单层 mos base sub

[发明专利]一种异质结光伏电池栅线电极制作方法-CN202110153567.2在审
发明人：黄子健;刘仁生 -专利权人：苏州元昱新能源有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结光伏电池栅线电极制作方法，包括通过使用超声波焊接装置，利用超声波的空洞效应，将熔化状态低温焊锡合金直接与异质结光伏电池表面上透明导电膜焊接并电学连接，焊头连续移动形成直线焊锡合金栅线电极电池栅线电极分布在异质结光伏电池正电极表面透明导电膜上和负电极表面透明导电膜上。本发明的异质结电池栅线电极制作方法，取代了用低温银浆制作电池栅线电极的工艺，降低了异质结光伏电池的生产成本，提高了异质结电池长期使用可靠性。
一种异质结光伏电池电极制作方法

[发明专利]双面异质结太阳能电池及光伏组件-CN202011054163.X在审
发明人：张达奇;姚铮;吴华德;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明提供了一种双面异质结太阳能电池及光伏组件，其所涉及双面异质结太阳能电池中位于单晶硅衬底背光面的第二掺杂非晶层包括位于第二本征非晶层表面的第一掺杂非晶硅膜以及位于第一掺杂非晶硅膜表面的第一掺杂非晶氧化硅膜或第一掺杂非晶碳化硅膜；基于该结构，可以在确保第二掺杂非晶层与第二本征非晶硅层具有良好接触的前提下提高第二掺杂非晶层的透光性，如此能降低太阳光在由背光面进入双面异质结太阳能电池内部时的损耗，可提高双面异质结太阳能电池的短路电流，进而可在优化双面异质结太阳能电池光电转化效率的同时也能提高双面异质结太阳能电池的双面率。
双面异质结太阳能电池组件

[发明专利]一种MXene/MoS2-CN202210512053.6在审
发明人：陈莉;孙函舒;何洋;寇淼深 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B01D71/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种MXene/MoS2异质结功能化修饰聚合物膜及其制备方法与应用。该制备方法包括以下步骤：(1)制备MXene粉末；(2)制备MXene‑四硫代钼酸铵混合粉末；(3)制备MXene/MoS2异质结粉末；(4)制备MXene/MoS2异质结乙醇悬浮液；(5)制备聚合物基膜，并将上述MXene/MoS2异质结乙醇悬浮液中的异质结材料固定在基膜上，得MXene/MoS2异质结功能化修饰聚合物膜。
一种 mxene mos base sub

[发明专利]一种基于混维Sn-CdS/碲化钼异质结的光电探测器及其制备方法-CN202111493107.0在审
发明人：张黎;韩晓宁;张诗豪;李京波 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明属于电子器件技术领域，公开了一种基于混维Sn‑CdS/碲化钼异质结的光电探测器及其制备方法。所述光电探测器的结构为电极/Sn‑CdS/MoTe2异质结/电极；所述Sn‑CdS/MoTe2异质结中Sn‑CdS为Sn掺杂CdS纳米线，MoTe2为纳米片；Sn‑CdS/MoTe2异质结不与电极接触。该基于混维Sn‑CdS/MoTe2异质结的光电探测器具有优越的吸光能力与载流子传输能力。本发明的工艺简单易操作，为基于混维半导体材料异质结的高性能光电探测器的研究提供了思路。
一种基于 sn cds 碲化钼异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种具有高效析氧电催化性能的富缺陷氢氧化钴-二氧化铈异质结材料及制备方法-CN202211177617.1在审
发明人：王学敏;张翠;刘双喜 -专利权人：南开大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高效析氧电催化性能的富缺陷氢氧化钴‑二氧化铈异质结材料及制备方法，属于新材料技术领域。其中氢氧化钴‑二氧化铈异质结属于p‑n异质结，CeO2在带铈离子的氢氧化钴工作电极接触电解液后便可原位生成，产生的CeO2异质结的制备，该制备策略简单高效，异质结分散均匀，不仅有利于提高催化剂的性能，而且有望为其他金属异质结催化剂的定向设计提供指导。
一种具有高效电催化性能缺陷氢氧化氧化铈异质结材料制备方法

[发明专利]一维同轴硒化铌/碳纳米管异质结及其制备方法-CN202211558944.1在审
发明人：康黎星;朱思齐 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种一维同轴硒化铌/碳纳米管异质结及其制备方法。所述制备方法包括：采用限域填充法，使开口的碳纳米管、硒单质、铌单质于密闭反应腔室中进行固相合成和化学气相传输反应，制得一维同轴硒化铌/碳纳米管异质结。本发明提供的方法可以显著地提升材料的稳定性，避免传统异质结产生的应力，更体现一维同轴范德华异质结优异的超导性能，并且这种限域填充与改进的硒化处理相结合的一步法制备大大的简化了制造过程。本发明制得的一维异质结超导体比其他二维超导异质结具有更简单的结构，因此对其进行电‑声相互作用、电子/空穴输运、相变等研究理论上更为简单，更能够通过理论研究掌握规律，以便更好地调控和优化材料性能。
同轴硒化铌纳米管异质结及其制备方法

[发明专利]一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202211407852.3在审
发明人：张昊 -专利权人：张昊
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10K30/57 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括透明玻璃衬底、ITO层、电子传输层、双异质结钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极层。双异质结钙钛矿层由三层带隙可调的Sn、Pb基钙钛矿结构组成，双异质结的钙钛矿层，吸收光谱更宽，更加容易与电子传输层和空穴传输层的能级匹配，同时光损失更低，转换效率更高，双异质结钙钛矿层由于能带重叠的区域多同时对于钙钛矿层，保护层材料为2‑莰酮含有醛基，起到钝化表面缺陷的作用，能够提高双异质结钙钛矿层质量，提升转换效率。
一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种苝四羧酸-石墨烯异质结基光阳极材料的制备方法-CN201310330862.6有效
发明人：李红波;李静;王伟;高雷;李威 -专利权人：盐城工学院
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明公开一种苝四羧酸-石墨烯异质结基光阳极材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）将0.5×10-4–2×10-4molL-1的苝四羧酸DMF溶液和0.5×10-2–2×10-2mgmL-1的石墨烯悬浮液按照2:1–8:1的比例在室温条件下混合超声1～4小时，再搅拌1～4小时静置过夜，生成苝四羧酸/石墨烯异质结；（2）将苝四羧酸/石墨烯异质结悬浮液滴涂在抛光后的玻碳电极表面于室温下晾干后得到苝四羧酸-石墨烯异质结基光阳极材料本发明方法制备的苝四羧酸-石墨烯异质结基光阳极材料，为带有活性基团的异质结半导体，其能与探针分子稳定性结合，从而可以提高光电化学传感器的综合分析性能。
一种羧酸石墨烯异质结基光阳极材料制备方法

[发明专利]一种半导体异质结DNA生物传感器及其制备与应用-CN201610212731.1有效
发明人：顾文;李文尧;刘宏波 -专利权人：上海工程技术大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C12M1/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体异质结DNA生物传感器及其制备方法与应用，该传感器包括半导体异质结器件和DNA分子探针(5)，半导体异质结器件包括基板衬底(1)、第一半导体层(2)、第二半导体层(3)和源漏电极(4)，DNA分子探针(5)位于第二半导体层(3)表面；该生物传感器是先通过光刻制作源漏电极(4)，再通过真空蒸镀或溅射或旋涂的方法制作半导体异质结器件，最后将DNA分子探针(5)固定在第二半导体层(3)上；本生物传感器通过DNA分子探针和目标DNA分子杂交所引起半导体异质结电导率变化来检测DNA。与现有技术相比，本发明提供的半导体异质结DNA生物传感器具有结构简单、制作成本低、灵敏度高、检测方法多样化等特点。
一种半导体异质结 dna 生物传感器及其制备应用

[发明专利]基于异质结薄膜的远程电气火灾监测系统及其制备方法-CN201710636334.1有效
发明人：王旭兰 -专利权人：王旭兰
申请日： 2017-07-30 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G08B17/12 文献下载
摘要：本发明涉及基于异质结薄膜的远程电气火灾监测系统及其制作方法，由氧化銪/氧化镓异质结薄膜芯片、紫外光电探测外围电路、LED指示灯以及网络通讯模块组成，所述氧化銪/氧化镓异质结薄膜芯片包括氧化銪薄膜、氧化镓薄膜、Ti/Au薄膜电极以及n型Si衬底，所述氧化銪薄膜的厚度为100‑150nm，氧化镓薄膜的厚度为200‑250nm，氧化銪薄膜和氧化镓薄膜形成氧化銪/氧化镓异质结，n型Si衬底作为氧化镓薄膜的衬底。本发明的基于异质结薄膜的远程电气火灾监测系统可以将火灾报警信息发送到计算机或移动手机终端，实现远程监测和报警，氧化銪/氧化镓异质结薄膜芯片性能稳定、响应度高和灵敏度高，可应用于远程电气火灾报警和高压线电晕远程监测
基于异质结薄膜远程电气火灾监测系统及其制备方法

[发明专利]一种垂直双异质结光探测器面阵及其制作方法-CN202010386632.1有效
发明人：彭铭曾;郑新和;卫会云 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直双异质结光探测器面阵及其制作方法，该垂直双异质结光探测器面阵包括透明基底，该透明基底上设置有下欧姆接触层，该下欧姆接触层上设置有多个柱形双异质结探测器单元，多个柱形双异质结探测器单元在下欧姆接触层上有序排列，形成柱形双异质结探测器阵列；每一柱形双异质结探测器单元分别包括自下而上设置的下光吸收层、中光吸收层、上光吸收层以及上欧姆接触层；在下欧姆接触层上设置有共电极，每一上欧姆接触层上分别设置有上电极，多个上电极形成上电极阵列
一种垂直双异质结光探测器及其制作方法

[发明专利]一种硫化铜/氧化锌异质结柔性透明自驱动紫外光电探测器-CN202110684755.8有效
发明人：李谊;王跃;张杰;杨秋月;韦晓静;马延文 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明涉及一种硫化铜/氧化锌异质结柔性透明自驱动紫外光电探测器，包括柔性透明衬底、硫化铜/氧化锌异质结活性层和电极层。将铜纳米线进行硫化处理，得到p型硫化铜层包裹的铜纳米线；在p型硫化铜层表面生长n型氧化锌纳米线层后制得硫化铜/氧化锌p‑n异质结纳米线；将硫化铜/氧化锌p‑n异质结纳米线喷涂于柔性透明衬底上，制得硫化铜/氧化锌p‑n异质结薄膜活性层；在硫化铜/氧化锌p‑n异质结薄膜活性层上沉积叉指结构透明电极，获得柔性透明自驱动紫外光电探测器。
一种硫化铜氧化锌异质结柔性透明驱动紫外光电探测器

[发明专利]一种复合衬底及制备方法、射频集成芯片制备方法-CN202110374676.7有效
发明人：朱庆芳;蔡文必;罗捷 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种复合衬底及制备方法、射频集成芯片制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：提供砷化镓基底，在高电子迁移率晶体管区域刻蚀异质结双极晶体管外延层结构以露出高电子迁移率晶体管外延层结构，高电子迁移率晶体管外延层结构位于高电子迁移率晶体管区域、异质结双极晶体管区域和键合区域，异质结双极晶体管外延层结构位于异质结双极晶体管区域和键合区域；在键合区域的异质结双极晶体管外延层结构上沉积结合层。在结合层上通过键合形成键合压电层，从而可以将高电子迁移率晶体管外延层结构、异质结双极晶体管外延层结构和键合压电层集成，在封装时，能够提高芯片集成化，减小打线，减小体积。
一种复合衬底制备方法射频集成芯片