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[发明专利]具有单一底部电极层的存储器装置-CN201710837641.6有效
发明人：庄学理;王宏烵;翁烔城;朱文定;廖钰文;沈桂弘;杜国源;黄胜煌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种具有单一底部电极层的存储器装置。本揭露涉及一种制造存储器装置的方法。所述方法通过在衬底上方形成层间介电ILD层且在所述ILD层上方的介电保护层内形成开口而执行。在所述开口内和所述介电保护层上方形成底部电极层。对所述底部电极层执行化学机械平面化CMP工艺以形成底部电极结构，所述底部电极结构具有平面上表面和从所述底部电极结构的下表面向外突出到所述开口内的凸出部。在所述底部电极结构上方形成存储器元件且在所述存储器元件上方形成顶部电极。
具有单一底部电极存储器装置

[发明专利]集成芯片、存储器装置及其形成方法-CN202110918486.7在审
发明人：卫怡扬;李璧伸;赖昕钰;金海光;林杏莲;匡训冲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：本发明各种实施例涉及一种集成芯片、存储器装置及其形成方法，所述存储器装置包括位于衬底之上的第一底部电极层。铁电开关层设置在第一底部电极层之上。第一顶部电极层设置在铁电开关层之上。第二底部电极层设置在第一底部电极层与铁电开关层之间。第二底部电极层与第一底部电极层相比更不容易氧化。
集成芯片存储器装置及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201410175272.5在审
发明人：何作鹏;李志超;肖保其 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有层间介电层，在层间介电层中形成有第一金属电极；形成用于填充底部电极的通孔，所述通孔露出部分第一金属电极的上表面；形成完全填充通孔的第一底部电极材料层；实施回蚀刻，以在第一底部电极材料层的顶部形成用于填充第二底部电极材料层的凹槽；在所述凹槽中形成第二底部电极材料层。所述第一底部电极材料层和所述第二底部电极材料层共同构成所述半导体器件中的底部电极。根据本发明，可以有效便捷地实现底部电极的导热性和电阻大小之间的平衡。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]电容结构及其制备方法、可调节谐振波段的红外探测器-CN201610564507.9有效
发明人：康晓旭;周炜捷;袁超 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种电容结构及其制备方法、可调节谐振波段的红外探测器，包括：位于硅衬底上的底部电极层，作为上电极层的引出极；在底部电极层的边缘区域上具有第一导电结构；位于底部电极层上方且与底部电极层之间具有间距的下电极层；与下电极层相接触的第二导电结构，第二导电结构作为下电极层的引出极；位于下电极层上方的上电极层，上电极层的边缘区域具有支撑结构，上电极层与下电极层之间形成有一空腔；支撑结构与第一导电结构相接触；其中，在向上电极层和下电极层施加电压时，上电极层和底部电极层共同构成下电极层的屏蔽结构。
电容结构及其制备方法调节谐振波段红外探测器

[发明专利]BAW谐振器、RF滤波器、多路复用器、以及制造BAW谐振器的方法-CN201980022610.2在审
发明人： W·艾格纳;M·希克;F·弗雷斯;C·许克 -专利权人： RF360欧洲有限责任公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：该谐振器具有底部电极层中的底部电极、顶部电极层中的顶部电极、以及底部电极层与顶部电极层之间的压电层。压电层包括具有压电极性不同的压电材料。
baw 谐振器 rf 滤波器多路复用以及制造方法

[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法-CN201110409682.8有效
发明人：朴鲜;朴钟贤;李律圭;朴景薰;文相皓 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：该有机发光显示装置包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括有源层、包括栅极底部电极和栅极顶部电极的栅电极、覆盖栅电极的绝缘层、位于绝缘层上的接触有源层的源电极和漏电极；有机发光器件，其被电连接到薄膜晶体管，且包括依次层叠的与栅极底部电极在相同层上的像素电极、发射层以及对立电极；与所述栅极底部电极在相同层上的焊盘底部电极和与栅极顶部电极在相同层上的焊盘顶部电极，焊盘顶部电极包括使焊盘底部电极暴露的开口，和位于焊盘底部电极的上表面上与绝缘层在相同层上的、覆盖焊盘顶部电极的上表面的绝缘图案
有机发光显示装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201811251089.3在审
发明人：金海光;林杏莲;江法伸 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种半导体装置，其包含底部电极、顶部电极、切换层及扩散阻障层。所述顶部电极在所述底部电极上方。所述切换层在所述底部电极与所述顶部电极之间，且经配置以存储数据。所述扩散阻障层在所述底部电极与所述切换层之间以阻碍所述切换层与所述底部电极之间的离子的扩散。
底部电极切换层半导体装置顶部电极扩散阻障层存储数据离子制造扩散阻碍配置

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202211406598.5在审
发明人：沈柏志;刘光益;刘中伟;梁晋魁;邱意为;林进兴;许立德;蔡瀚霆;吴正一;林世和 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：所述方法包括在衬底上方形成底部电极层。在所述底部电极层上方形成磁隧道结(MTJ)层。在所述MTJ层上方形成顶部电极层。图案化所述顶部电极层。在图案化所述顶部电极层之后，在所述MTJ层和所述底部电极层上实施一个或者多个工艺周期。图案化的顶部电极层、图案化的MTJ层、以及图案化的底部电极层形成MTJ结构。所述一个或者多个工艺周期的每一个包括：在所述MTJ层和所述底部电极层上以第一持续时间实施蚀刻工艺，以及在所述MTJ层和所述底部电极层上以第二持续时间实施磁处理。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201911205480.4有效
发明人：沈柏志;刘光益;刘中伟;梁晋魁;邱意为;林进兴;许立德;蔡瀚霆;吴正一;林世和 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：所述方法包括在衬底上方形成底部电极层。在所述底部电极层上方形成磁隧道结(MTJ)层。在所述MTJ层上方形成顶部电极层。图案化所述顶部电极层。在图案化所述顶部电极层之后，在所述MTJ层和所述底部电极层上实施一个或者多个工艺周期。图案化的顶部电极层、图案化的MTJ层、以及图案化的底部电极层形成MTJ结构。所述一个或者多个工艺周期的每一个包括：在所述MTJ层和所述底部电极层上以第一持续时间实施蚀刻工艺，以及在所述MTJ层和所述底部电极层上以第二持续时间实施磁处理。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN202010708073.1有效
发明人：单利军;康赐俊;刘宇;邱泰玮;王丹云;沈鼎瀛 -专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：该半导体器件包括：位于半导体衬底上的底部电极金属层和顶部电极金属层；位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的电介质层，所述电介质层的横向宽度小于所述底部电极金属层和顶部电极金属层的横向宽度；位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的阻变层，所述阻变层覆盖所述电介质层的侧壁，所述阻变层具有可变电阻。
半导体器件制造方法

[发明专利]触摸基板、触控显示面板和触控显示装置-CN201780000219.3在审
发明人：徐佳伟;李必生;张雷;郭总杰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： A99Z99/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种触控显示面板，包括：底部基板；辅助电极层，其位于所述底部基板上；绝缘层，其位于所述辅助电极层的远离所述底部基板的一侧；以及第一触摸电极层和第二触摸电极层，其位于绝缘层的远离辅助电极层的一侧第一触摸电极层和辅助电极层并联地电连接；并且所述第二触摸电极层与所述第一触摸电极层和所述辅助电极层绝缘。
辅助电极层触摸电极底部基板绝缘层触控显示面板触控显示装置触摸基板并联地电绝缘申请

[发明专利]具有倾斜底部电极的电阻式存储器单元-CN201580004568.3在审
发明人：詹姆士·沃尔斯;保罗·菲思特 -专利权人：密克罗奇普技术公司
申请日： 2015-02-18 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种形成电阻式存储器单元(例如导电桥接随机存取存储器CBRAM或电阻式随机存取存储器ReRAM单元)的方法，其可包含：形成多个底部电极连接件；将底部电极层沉积于所述底部电极连接件上；执行第一蚀刻以移除所述底部电极层的部分，使得剩余底部电极层界定至少一个倾斜表面；使氧化层形成于所述剩余底部电极层的每一倾斜表面上；对所述剩余底部电极层及每一倾斜表面上的氧化层执行第二蚀刻，以界定每一底部电极连接件上方的至少一个指向上底部电极区域，每一指向上底部电极区域界定底部电极尖端；及使电解质区域及顶部电极形成于每一底部电极尖端上，使得所述电解质区域布置于所述顶部电极与所述相应底部电极顶部之间。
具有倾斜底部电极电阻存储器单元

[发明专利]体声波谐振器及其制造方法、滤波器、电子设备-CN202010519683.7在审
发明人：黄河 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：一种体声波谐振器及其制造方法、滤波器、电子设备，制造方法包括：提供衬底，衬底中形成有凹槽；形成位于凹槽中的牺牲层；形成位于牺牲层上的底部电极，底部电极的部分边界位于凹槽上方，部分延伸至凹槽外周的衬底上；形成位于底部电极露出的衬底上并与底部电极侧壁相接触的平坦层，平坦层顶面和底部电极顶面相齐平；形成覆盖底部电极和平坦层的压电层；在压电层上形成顶部电极，压电声学共振叠层包括底部电极、压电层和顶部电极；形成贯穿压电声学共振叠层的释放孔；通过释放孔去除牺牲层，形成空腔。本发明形成底部电极和平坦层，为压电层的形成提供平坦面，使压电层能够保持平整，从而消除边界驻波和杂波，进而提高谐振器的品质因数。
声波谐振器及其制造方法滤波器电子设备

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN202010697207.4有效
发明人：邱泰玮;沈鼎瀛;钱鹤 -专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及半导体器件的制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的底部电极金属层和顶部电极金属层；位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的阻变层，所述阻变层的横向宽度大于所述底部电极金属层和/或顶部电极金属层的横向宽度，所述阻变层具有可变电阻；位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的阻氧层，所述阻氧层位于所述阻变层之上；位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的抓氧层，所述抓氧层的横向宽度小于所述阻变层的横向宽度，所述抓氧层位于所述阻氧层之上。
半导体器件制造方法

[发明专利]电容结构及电容结构的形成方法-CN202011104674.8在审
发明人：汪昌州 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种电容结构及电容结构的形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的底部电极复合层，所述底部电极复合层包括第一电极层和位于第一电极层上的第二电极层，所述第二电极层材料的氧化速率小于第一电极层材料的氧化速率；位于底部电极复合层上的介电结构层
电容结构形成方法

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