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[发明专利]一种降低硅片崩边脱晶的装置和方法-CN202110686810.7在审
发明人：周其斌;殷强强;唐福云 -专利权人：江苏润阳世纪光伏科技有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开一种降低硅片崩边脱晶的装置和方法，其装置包括运输网带，所述运输网带的两侧均相对设有若干金属顶针，所述金属顶针包括支撑斜杆，所述支撑斜杆上套设有软壳保护套，其方法包括：将待烧结硅片的两端分别卡放在两侧相应设置的软壳保护套上本发明与现有技术相比的优点在于：可防止硅片在运输网带传送的过程中发生偏移，同时可减少硅片与金属顶针的硬性碰撞，从而降低硅片崩边与脱晶不良好的问题。
一种降低硅片崩边脱晶装置方法

[实用新型]晶圆脱环辅助工具-CN201320208922.2有效
发明人：徐占勤;骆曙康;孙岩;王光伟;冯东明;王新潮 -专利权人：江阴新顺微电子有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶圆脱环辅助工具，包括空心的圆柱形盖子，所述圆柱形盖子的直径根据划片环的直径而定，确保圆柱形盖子盖在芯片上时恰好位于划片环内，在所述圆柱形盖子上设置有把手，所述把手制成近似圆柱体，便于脱环时的揭膜操作本实用新型改变了传统蓝膜与划片环的脱环方法，利用本实用新型一种脱环辅助工具盖住芯片进行脱环，有效地避免在脱环过程中芯片之间挤压等导致芯片的崩边、崩角问题，全面提高产品稳定性。
晶圆脱环辅助工具

[实用新型]一种晶棒开方防崩边装置-CN202220890656.5有效
发明人：张功蒙;梁旭松;樊听听;吴建忠;周洪富 -专利权人：四川永祥光伏科技有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶棒加工技术领域，提供一种晶棒开方防崩边装置，包括主台面及边皮支撑组件，边皮支撑组件围绕主台面均匀分布有四套；每套边皮支撑组件包括底座及对称设于底座上的两根支撑件，每根支撑件的顶端在自由状态时高于主台面、其可弹性伸缩以贴合晶棒开方前凹凸不平的截断端面。本实用新型通过支撑件弹性伸缩的顶端能够在在开方过程中始终将边皮支撑住而不悬空，有效防止了在切断瞬间边皮掉落造成方棒崩边的现象，避免了因崩边造成的硅料损失，提高了生产效率。
一种开方防崩边装置

[发明专利]一种硅晶切割机-CN201810691784.5在审
发明人：陈金平;朱文志;林孝狮;林冬;黄田玉;王小钊;程保传 -专利权人：福州天瑞线锯科技有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及了一种硅晶切割机，包括底座、机架、升降机构和装夹切割单元；装夹切割单元包括双工位回转工作台和防崩边切割装置，双工位回转工作台设置于底座上，防崩边切割装置设置于回转工作台上方；升降机构安装于机架的横梁上，升降机构用于带动线锯切割机构切割硅晶棒。本方案中的双工位回转工作台，实现工作台上两夹持工位的位置互换，棒料切割与上下料同时进行，切割区无需等待上下料时间，提高生产效率；而且防崩边切割装置将线锯切割机构和夹爪机构结合设计，在切割过程中夹爪机构夹持住硅晶棒切缝两侧的棒体，既能起到对硅晶棒的切割固定作用，还能防止切割端面出现“崩边”，硅晶切割机加工效率高、硅晶品质好，市场竞争力强。
回转工作台崩边硅晶切割机切割装置升降机构硅晶棒双工位切割切割单元切割机构上下料夹持线锯装夹底座市场竞争力固定作用夹爪机构加工效率切割端面切割过程生产效率位置互换切割区中夹爪横梁棒料棒体工位切缝

[实用新型]一种硅晶切割机-CN201821011652.5有效
发明人：陈金平;朱文志;林孝狮;林冬;黄田玉;王小钊;程保传 -专利权人：福州天瑞线锯科技有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及了一种硅晶切割机，包括底座、机架、升降机构和装夹切割单元；装夹切割单元包括双工位回转工作台和防崩边切割装置，双工位回转工作台设置于底座上，防崩边切割装置设置于回转工作台上方；升降机构安装于机架的横梁上，升降机构用于带动线锯切割机构切割硅晶棒。本方案中的双工位回转工作台，实现工作台上两夹持工位的位置互换，棒料切割与上下料同时进行，切割区无需等待上下料时间，提高生产效率；而且防崩边切割装置将线锯切割机构和夹爪机构结合设计，在切割过程中夹爪机构夹持住硅晶棒切缝两侧的棒体，既能起到对硅晶棒的切割固定作用，还能防止切割端面出现“崩边”，硅晶切割机加工效率高、硅晶品质好，市场竞争力强。
回转工作台崩边硅晶切割机切割装置升降机构硅晶棒双工位切割切割单元切割机构上下料夹持线锯装夹底座本实用新型市场竞争力固定作用夹爪机构加工效率切割端面切割过程生产效率位置互换切割区中夹爪横梁棒料棒体工位切缝

[发明专利]一种超薄晶圆的划切方法-CN202110369726.2在审
发明人：张迪;邵俊永;王战;闫贺亮;陈月涛 -专利权人：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：一种超薄晶圆的划切方法，利用跳步划切的方式，首先将晶圆划切为较大芯片颗粒，将晶圆内应力进行释放，然后再将较大芯片颗粒划切为更小颗粒，直至划切为目标尺寸，该方法适用于30～200μm厚度晶圆的划切，完美解决了超薄晶圆容易发生裂片、崩边的问题，降低划切过程中飞晶发生概率，降低超薄晶圆划切正面、背面崩边不良率，提高超薄晶圆划切效率。
一种超薄方法

[发明专利]一种任意倾斜角晶圆直线边长的提取与晶粒区隔离方法-CN201910524038.1在审
发明人：王进;喻志勇;郑涛;陆国栋 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可用于晶圆缺陷检测的任意倾斜角晶圆直线边长的提取与晶粒区隔离方法，首选进行晶圆数字图像的采集作为原图像；对原图像进行2次降采样，然后进行滤波处理，然后灰度化二值化；最小轮廓矩的求解得到晶圆的几何中心与倾斜角度；将倾斜的晶圆进行旋转操作保证旋转中心为几何中心，旋转后的晶圆图像垂直；基于设定的形态学结构元素进行水平与竖直的直线提取并计算其长度；根据长度与设定的阈值比较即可判断晶圆是否有崩边或是崩角缺陷；基于全局轮廓与最外层轮廓相减的方法，层层递进得到晶粒区晶圆的特征轮廓信息，对其包围面积值判断即可对缺陷的检测；本发明实现了较高精度的崩边、崩角、晶粒区的检测及提供了一种方法指导。
晶圆晶粒区几何中心原图像边长崩边晶圆缺陷检测隔离形态学结构层层递进晶圆图像滤波处理数字图像特征轮廓旋转操作旋转中心最小轮廓阈值比较二值化灰度化降采样最外层检测可用求解竖直相减垂直采集包围全局保证

[发明专利]一种改善砷化镓通孔蚀刻工艺中崩边的方法-CN202310063614.3在审
发明人：黄光伟;林进福;张朝闵;陈建星;吴靖 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供的一种改善砷化镓通孔蚀刻工艺中崩边的方法，包括以下步骤：S1、在已完成正面工艺的晶背的表面溅镀金属层；S2、在金属层上附着第一光阻层，经对准显影，去除待蚀刻通孔处的第一光阻层；S3、对待蚀刻通孔处的金属层进行蚀刻；S4、进行ICP蚀刻通孔，产生崩边；S5、去除第一光阻层和金属层；S6、在晶背的表面涂布聚酰亚胺，用于填充崩边形成的孔洞。本发明采用光阻层和金属层组合作为掩膜，避免了因光阻不够厚，或光阻过厚导致的形貌问题，用聚酰亚胺填充崩边形成的孔洞，可以避免金属布线时因崩边孔导致的异常形貌。
一种改善砷化镓通孔蚀刻工艺中崩边方法

[实用新型]一种硅晶棒防崩边切割装置-CN202021836564.6有效
发明人：杨光宇 -专利权人：锐捷芯盛（天津）电子科技有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种硅晶棒防崩边切割装置，属于硅晶切割装置技术领域。该硅晶棒防崩边切割装置包括主体支撑机构、切割机构、底部支撑机构和夹持固定机构。其中，第一弧形夹板和第二弧形夹板将硅晶棒两端包裹住，仅预留出需要切割的部分，使得切割时硅晶棒其它部分不易受到切割刀片震动带来的干扰，降低硅晶棒切割崩边的可能性。
一种硅晶棒防崩边切割装置

[发明专利]一种防崩边的晶圆划片切割设备-CN202211360376.4有效
发明人：张帆;张延颇 -专利权人：江苏宝浦莱半导体有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种防崩边的晶圆划片切割设备，包括底座，所述底座具有固定基座，以及安装在所述底座顶部的移动座，所述移动座的顶部滑动连接有升降调节框，所述底座靠近移动座的位置固定连接有放置架；承重臂，所述承重臂具有安装端，以及安装在所述承重臂外表面的冲洗管，所述冲洗管远离承重臂的位置与升降调节框滑动连接，所述承重臂远离升降调节框的位置转动连接有切割轮，本发明涉及晶圆技术领域。该防崩边的晶圆划片切割设备，避免了晶圆切割位置堆积过多的杂质影响切割质量，安装筒在防护架上对晶圆进行保护，防止晶圆切割时边缘位置出现崩边或卷曲的情况，进而避免了晶圆切割时出现晃动的情况，进一步提高了晶圆加工时自身的利用率
一种防崩边划片切割设备

[发明专利]改善二极管晶圆沟槽钝化崩边的加工方法-CN202210465693.6在审
发明人：汪良恩;李建利;汪曦凌 -专利权人：安徽芯旭半导体有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供改善二极管晶圆沟槽钝化崩边的加工方法，涉及半导体加工的光刻技术领域，在对二极管晶圆进行光刻时，同时对二极管晶圆沟槽处的玻璃进行腐蚀处理。本发明将沟槽玻璃厚度减薄后，在钝化切割工序中，切割应力会减小，从而降低二极管晶圆产品切割崩边问题的发生概率，提高二极管晶圆产品的可靠性与安全性。
改善二极管沟槽钝化加工方法

[发明专利]一种超薄晶圆减薄方法-CN201410265367.6有效
发明人：秦飞;孙敬龙;安彤;王仲康;唐亮 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供了一种超薄晶圆减薄方法，属于超薄晶圆加工领域。包括下列步骤：提供待减薄晶圆；对待减薄晶圆边缘圆角进行修整，以防止磨削过程产生崩边现象；对所述晶圆背面进行磨削减薄直至目标厚度。磨削过程采用分段式，即随着晶圆磨削余量的变化采用不同的磨削参数，此方法可充分去除前道磨削引起的损伤。本发明可以避免晶圆磨削过程中出现崩边现象，并充分去除前道磨削引起的损伤，提高了磨削质量，保证了晶圆的强度。
一种超薄晶圆减薄方法

[发明专利]一种蓝宝石晶棒的表面染色检验手法-CN201910807158.2在审
发明人：姚健;宋述远;蔡金荣 -专利权人：江苏吉星新材料有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G01N21/91 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝宝石晶棒的表面染色检验手法，步骤如下：清洗待检测蓝宝石晶棒，干燥备用；向干燥后的蓝宝石晶棒上喷涂红色渗透液，渗透时间为3‑4分钟，间隔5分钟后，重复以上操作，确保渗透时间在10‑15分钟；渗透处理结束后，清理蓝宝石晶棒上残留的渗透液，再用含有洗涤液的无尘布擦拭干净；向渗透处理后的蓝宝石晶棒上涂抹白色显象液，白色显象液干燥后，渗透在裂纹崩边位置的渗透液出现吸收上浮现象，并且在崩边位置白色显象液干燥后的粉末上出现鲜明的红色，即未出现红色的部位可以判定为无缺陷，红色渗出的部位可用其形状及大小来判定裂纹崩边的大小及深度。
蓝宝石晶棒渗透液显象液崩边表面染色渗透处理判定检验环境要求无尘布洗涤液可用喷涂上浮渗出擦拭涂抹备用清洗残留检测重复吸收

[实用新型]一种降低晶体硅片崩边的装置-CN201320420350.4有效
发明人：谢勇波;汪军;尚鹏飞;张文;黄志强 -专利权人：江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
申请日： 2013-07-16 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：一种降低晶体硅片崩边的装置，包括硅块、晶托，所述硅块下表面与切割线网长垂直的方向平行的粘接两根导向条，所述硅块上表面设有玻璃板，玻璃板上表面设有金属垫条，金属垫条上设有晶托，所述晶托与金属垫条之间靠往放线轮一侧设有金属垫片解决了多晶硅片切片倒角崩边异常的问题。具有结构简单、效果好的特点，提高了硅片成品率。
一种降低晶体硅片装置

[实用新型]一种便于晶圆放置的保护装置-CN202021543605.2有效
发明人：李秀丽;邹宇;张平 -专利权人：江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于晶圆放置的保护装置包括底座和支撑台。使用时，支撑台放置在底座上，晶圆盒套设在支撑台上，且晶圆盒的下端面与支撑台的上端面相抵，此时支撑台的上端伸入晶圆盒内。通过镊子或者真空吸笔将晶圆放置在晶圆盒的沟槽内时，晶圆会直接落在支撑台的上端面，缩短了晶圆自由下降的距离，从而也就减小了晶圆与支撑台接触时的速度，降低了晶圆与支撑台接触时的力，避免晶圆出现崩边或者裂纹，在晶圆在沟槽内放置完成后，缓慢向上提起晶圆盒，使晶圆完全落入沟槽内。本方案公开的便于晶圆放置的保护装置能够有效降低晶圆放置时出现崩边或者裂纹的概率，保证了晶圆的质量。
一种便于放置保护装置

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