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- [发明专利]双栅高压N型金属氧化物半导体管-CN03158281.8无效
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孙伟锋;陆生礼;茆邦琴;李海松;时龙兴
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东南大学
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2003-09-22
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2004-09-08
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H01L29/78
- 双栅高压N型金属氧化物半导体管，至少含1个器件单元，该单元含P型衬底，P型衬底上有N型重掺杂埋层，埋层上设N型外延层，外延层上设深N型漏连接层，连接层上方设N型源区，外延层表面的非有元器件区域上设场氧，外延层表面的有源器件区域内设P阱，P阱内设N型源区，N型源区以外有源器件区域上方设多晶硅栅且多晶硅栅与N型源区以外的有源器件区域间设栅氧，场氧、多晶硅栅上方及多晶硅栅下方以外的其他有源器件区域上设氧化层，在N型漏、源区上分别有铝引线，N型源区由N型源和P阱接触层组成，P阱接触层设在N型源之间，外延层有源器件区域内且位于源区和P阱的侧旁设孔，孔内设纵向多晶硅栅，纵向多晶硅栅与孔之间设纵向栅氧化层。
- 高压金属氧化物半导体
- [发明专利]制造金属铜粉、铜氧化物和铜箔的方法-CN96191239.1无效
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D·P·伯杰斯;W·M·格特;R·K·海尼斯;J·G·詹肯斯;S·J·克胡特;P·派克哈姆
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电解铜产品有限公司
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1996-06-17
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1997-11-26
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C25C1/12
- 本发明涉及一种从含铜物质中制取金属铜粉的方法，其中包括(A)使含铜物质与有效数量的至少一种浸提水溶液接触，以便将铜离子溶在该浸提液中，形成富铜的浸提水溶液；(B)使富铜的浸提水溶液与有效数量的至少一种水不溶性萃取液接触形成富铜的反提液和贫铜的萃取液；(E)将富铜的反提液与贫铜的萃取液分离，形成第一电解液；(F)将第一电解液送入装有至少一个第一阳极和至少一个第一阴极的电解槽，在第一阳极和第一阴极之间施加有效数量的电压，以便将金属铜粉沉积在该第一阴极上；和(G)从第一阴极上取下金属铜粉。在一项实施方案中将金属铜粉转化成铜箔。在另一实施方案中，用于步骤(F)的第一电解液的特征在于氯离子浓度高达约5ppm。在一实施方案中，用于步骤(F)的第一电解液含至少一种三唑。在一实施方案中，金属铜粉被转化成氧化亚铜、氧化铜或其混合物；这些铜氧化物容易溶解在硫酸中用于制备铜箔。
- 制造金属氧化物铜箔方法
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