专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]超结纵向双扩散金属氧化半导体管-CN201120391574.8有效
  • 孙伟锋;祝靖;张龙;曹鹏飞;钱钦松;陆生礼;时龙兴 - 东南大学
  • 2011-10-15 - 2012-08-22 - H01L29/78
  • 一种超结纵向双扩散金属氧化半导体管,包括一个或一个以上的管单元,管单元包括漏极金属,在漏极金属上设有作为漏区的重掺杂N型硅衬底,在硅衬底上设N型掺杂外延层,在外延层中设有P型掺杂柱状半导体区,在柱状半导体区上设有P型掺杂半导体体区,且体区位于N型掺杂外延层内,在体区中设有N型重掺杂半导体源区和P型重掺杂半导体接触区,在源区和接触区以外的N型掺杂外延层表面区域设有栅氧化层,在栅氧化层上方设有多晶硅栅,在多晶硅栅的上方及两侧设有氧化层,在源区和接触区上连接有源极金属,P型重掺杂半导体接触区左右两侧的突起部分将N型重掺杂半导体源区分割为三个不连通的块体,且N型重掺杂半导体源区呈现“品”字形状。
  • 纵向扩散金属氧化物半导体

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