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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]堆叠互补金属氧化物半导体图像传感器-CN201811220154.6有效
发明人：权杜原 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种堆叠互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器包括：第一半导体芯片，在第一半导体芯片中，多个像素以二维阵列结构位于上部区域中，并且第一布线层位于下部区域中；以及第二半导体芯片，在第二半导体芯片中，第二布线层布置在上部区域中，并且逻辑元件位于下部区域中，其中第一半导体芯片通过第一布线层的最下部中的第一焊盘绝缘层中的第一金属焊盘与第二布线层的最上部中的第二焊盘绝缘层中的第二金属焊盘之间的连接而联接到第二半导体芯片，以及其中金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器在第一焊盘绝缘层和第二焊盘绝缘层中的至少一个中。
堆叠互补金属氧化物半导体图像传感器

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法-CN201910706598.9有效
发明人：马春霞;林峰;许超奇;孙贵鹏 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法。
横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法-CN202310745856.0有效
发明人：赵晓龙 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，栅极形成于沟道区上，场板形成于漂移区上，场氧化层形成于栅极与场板之间并延伸至场板与漂移区之间以使场板与栅极相互隔离；即场板与栅极之间通过场氧化层进行间隔，也就是说，场板与栅极之间的距离为场氧化层的厚度，场板与栅极之间不需要设置开口，如此，可以在不依赖于光刻机的精度的前提下，减小场板与栅极之间的距离，增加器件的密度，从而降低器件的特征导通电阻。
横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]金属氧化物半导体晶体管及其制造方法-CN201910125919.6有效
发明人：许祥华;黄良安;钟昇镇;郭镇铵;李秋德;王智充;陈广修;林克峰;李彦辉;胡凯婷 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种金属氧化物半导体晶体管，其包括基板。基板具有延伸于第一方向的多个沟槽在该基板的顶部。栅极结构线是在该基板上延伸于与该第一方向交叉的第二方向，且跨过该多个沟槽。
金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

[发明专利]过渡金属镍、钴氧化物纳米线阵列制备方法-CN201010213221.9无效
发明人：魏志鹏;方铉;李金华;王晓华;方芳;赵东旭;王菲;吴韬 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：过渡金属镍、钴氧化物纳米线阵列制备方法属于纳米材料技术领域。现有技术采用化学方法制备NiO纳米材料，但是，所制备的NiO纳米线排列混乱，未形成良好的阵列形貌。本发明采用管式炉、真空管等进行制备，将过渡金属衬底置于真空管中，将过渡金属氯化物等重量地分别置于两个一端封闭的管状容器中，并将这两个管状容器也置于真空管中，这两个管状容器的开口端相对朝向过渡金属衬底两侧边缘
过渡金属氧化物纳米阵列制备方法

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构-CN200910199442.2无效
发明人：刘龙平;令海阳;陈爱军 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-11-26 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管(LDNMOS)结构，包括自下而上分布的基底层、氧化层和多晶硅层，多晶硅层作为LDNMOS的栅极。两个N型漂移区，分别位于基底层内的氧化层的两侧，以做为LDNMOS的源极和漏极。P型漂移区，在基底层内环设在LDNMOS的栅极、源极和漏极外，以作为LDNMOS的基电极。其中，环形P型漂移区在源极和漏极之间向氧化层的另外两侧延伸至距离氧化层的边缘0～0.2μm处。本发明提出的LDNMOS结构能够使LDNMOS的栅氧化层GOX中较薄的部分受到环形P型漂移区中P型离子的补偿，保持器件的阈值电压Vt恒定，从而限制LDNMOS的双峰效应。
横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构

[发明专利]形成金属氧化物半导体晶体管的方法-CN200910134316.9无效
发明人：陈能国;蔡腾群;黄建中 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-04-30 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成金属氧化物半导体晶体管的方法，包括：提供基底，该基底上已形成栅极结构；于该栅极结构两侧的该基底中形成源极与漏极；于该基底上沉积压缩介电层，以覆盖该栅极结构与该源极与漏极，其中沉积该压缩介电层的方法包括在化学气相沉积工艺期间通入特定气体，其中该特定气体是选自包括氩气、氮气、氪气和氙气的其中一种气体或其组合；进行退火工艺；去除该压缩介电层；以及于各该栅极结构顶面以及该源极与漏极的表面形成金属硅化物层。
形成金属氧化物半导体晶体管方法

[发明专利]复合外套带脱离器金属氧化物避雷器-CN201110119545.0无效
发明人：朱才良;许贤明;郭洁 -专利权人：江苏新澳电力技术有限公司
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01C7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合外套带脱离器金属氧化物避雷器，包括避雷器本体（1），避雷器本体（1）通过连接金具（2）与避雷器本体（1）上侧的高压端（3）相连，所述避雷器本体（1）的下侧设有脱离器（4），所述脱离器
复合外套脱离金属氧化物避雷器

[发明专利]一种横向扩散金属氧化物功率MOS器件-CN201110243454.8无效
发明人：陈伟元 -专利权人：苏州市职业大学
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种横向扩散金属氧化物功率MOS器件，包括：位于P型的衬底层内的P型阱层和N型轻掺杂层；所述N型轻掺杂层由第一N型轻掺杂区、第二N型轻掺杂区和P型轻掺杂区组成；所述第一N型轻掺杂区的掺杂浓度高于所述
一种横向扩散金属氧化物功率 mos 器件

[发明专利]制作互补型金属氧化物半导体器件的方法-CN201010124554.4无效
发明人：黄敬勇;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作互补型金属氧化物半导体器件(CMOS器件)的方法，所述CMOS器件包括具有张应力层的NMOS区域和具有压应力层的PMOS区域，所述方法包括：提供一个具有NMOS区域和PMOS区域的半导体器件采用本发明的方法不会在该张应力层上残余氧化层，简化了制备具有应力层的CMOS器件的步骤。
制作互补金属氧化物半导体器件方法

[发明专利]金属氧化物电阻片直流参数自动测试系统-CN201210060814.5无效
发明人：朱才良;许贤明 -专利权人：江苏新澳电力技术有限公司
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化物电阻片直流参数自动测试系统，包括直流参数测试仪（1）和主机（3），其特征在于所述的直流参数测试仪（1）内设有A/D转换单元（2），所述的A/D转换单元（2）通过数据线与主机（3
金属氧化物电阻直流参数自动测试系统

[发明专利]内置保护P型高压金属氧化物半导体管-CN03112625.1无效
发明人：时龙兴;孙伟锋;易扬波;陆生礼 -专利权人：东南大学
申请日： 2003-01-08 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种内置保护P型高压金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底的上方设有N型外延接触孔、源、漏、场氧化层和多晶栅，在多晶栅的下方有栅氧化层，在N型外延接触孔、源、漏、场氧化层及多晶栅的上方有氧化层，在漏和场氧化层的下方设有P型漂移区，在N型外延接触孔及源上设有铝引线、在多晶栅和漏上分别设有铝引线，在N型外延接触孔、源及P型漂移区与P型衬底之间设有N型杂质区，位于多晶栅的末端下方并在场氧化层的下面设有
内置保护高压金属氧化物半导体

[发明专利]内置保护N型高压金属氧化物半导体管-CN03112626.X无效
发明人：孙伟锋;易扬波;陆生礼;宋慧滨;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2003-01-08 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种内置保护N型高压金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底的上方设有源、P型接触孔、场氧化层、漏和多晶栅，在多晶栅的下面设有栅氧化层，在P型接触孔、源、多晶栅、场氧化层和漏的上方设有氧化层，在P型接触孔及源上设有铝引线、在多晶栅和漏上分别设有铝引线，在P型衬底上方设有N型杂质区，并使漏和场氧化层位于该N型杂质区内，在位于多晶栅末端下方的N型杂质区内设有P型保护阱，且该P型保护阱位于场氧化层的下面
内置保护高压金属氧化物半导体

[发明专利]高增益互补金属氧化物运算放大器-CN03131564.X无效
发明人：吴建辉;袁文师;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2003-05-27 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：高增益互补金属氧化物运算放大器涉及一种高输入范围、高增益的互补金属氧化物运算放大器，特别适合在对单位增益带宽要求不是很高的场合，如可以应用在基准电压源等电路中，该放大器由制备在基片上的晶体管和电阻所组成
增益互补金属氧化物运算放大器

[发明专利]制造金属氧化物半导体晶体管的方法-CN99109412.3无效
发明人：赵昶贤;李美香;高宽协;河大元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1999-06-29 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：向半导体衬底中注入第一导电杂质离子，由此形成阱区，其上再形成栅极。向栅极两侧的阱区中注入第一非导电杂质，以便控制其中的衬底缺陷，从而形成具有第一深度的第一沉淀区。向栅极两侧的阱区中注入第二非导电杂质离子，从而形成具有比第一深度相对浅的第二深度的源/漏区。向源/漏区中注入第二非导电杂质，以便控制其中的衬底缺陷，从而形成第二沉淀区。这种衬底缺陷如位错、扩展缺陷和堆垛层错同P-N结区隔离开，由此形成稳定P-N结。
制造金属氧化物半导体晶体管方法

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