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[发明专利]一种高精度栅源跟随采样开关-CN200910030786.0有效
发明人：龙善丽;吴建辉;汤黎明;袁渊;朱贾峰;曲子华;张萌;李红;茆邦琴 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种高精度栅源跟随采样开关电路涉及利用栅源跟随技术的采样开关，特别是用于采样保持电路的一种高精度栅源跟随采样开关设计方法及其开关电路：通过增加驱动电路，避免了SHA的运放直接驱动栅压导通开关电路中的电容，从而通过提高存储电压电容容值，就可以提高采样开关的栅端和源端的电压，减小MOS开关的导通电阻，可有效降低采样开关管栅极的寄生电容，从而提高采样开关管的栅源提升电压。
一种高精度跟随采样开关

[发明专利]用于基准电压源的电压预调节电路-CN200810020325.0无效
发明人：吴建辉;潘开阳;王沛;翁强;吴雯雯;李红;张萌;茆邦琴 -专利权人：东南大学
申请日： 2008-02-29 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：基准电压源电路的电压预调节电路的输出电压可作为基准电压源电路的工作电压，减小基准输出对于电源电压的依赖，有效的提高基准电压输出的电源抑制能力。该电压预调节电路包含电压缓起电路(11)，偏置电路(12)以及负反馈调节电路(13)，电压缓起电路(11)为偏置电路(12)提供偏置电压，并且为负反馈调节电路(13)提供参考电压，偏置电路(12)为负反馈调节电路(13)提供偏置电压。本发明分别将两个随电源电压变化很小的电压放大为两路电流的变化，将两路变化的电流相减并构成负反馈，通过利用负反馈抑制了电压预调节电路的输出电压跟随电源电压产生的波动，具有使输出电压不受电源电压影响的优点。
用于基准电压调节电路

[发明专利]一种改进的栅源跟随采样开关设计方法及其开关电路-CN200710025686.X无效
发明人：吴建辉;潘开阳;王沛;龙善丽;杜振场;李红;张萌;茆邦琴 -专利权人：东南大学
申请日： 2007-08-14 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种改进的栅源跟随采样开关设计方法，通过减少常规栅源跟随开关中栅压导通开关在采样相时充电环路上的MOS管，降低了环路上的寄生电容，从而减少了分配到寄生电容上的电荷，提高了采样开关管的栅源提升电压，减小MOS开关的导通电阻。按所述方法设计的开关电路，设有时钟倍乘电路、栅压导通开关和采样开关，其特征在于，用一个电容代替栅压导通开关电路中的一个NMOS管，并在栅压导通开关电路中增加了一个PMOS管。
一种改进跟随采样开关设计方法及其开关电路

[发明专利]开关电容系统的共模反馈电路-CN200710020547.8无效
发明人：吴建辉;潘开阳;殷勤;李红;张萌;茆邦琴 -专利权人：东南大学
申请日： 2007-03-12 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：开关电容系统的共模反馈电路，属于运算放大器电路设计的技术领域。该共模反馈电路由采样相共模反馈电路和传输相共模反馈电路组成，它们的相应输出、输入端连接在一起，作为该共模反馈电路的输出、输入端，通过在采样相和传输相分别利用相应不同的反馈电路交替进行共模反馈，改变了常规电路中运算放大器输出端负载的共模反馈结构，避免了常规结构中共模反馈建立端的极零点对，减小了共模反馈的建立时间，提高了共模反馈的建立速度。在多通道时分交织型模数转换器中使用时，使第一电容、第二电容、第三电容、第四电容的电容值相等，则采样相与输出相具有相同的输出负载，还可以避免不同通道间出现失配，从而能够较大幅度地减小输出误差。
开关电容系统反馈电路

[发明专利]高速双模16/17预分频器-CN200710020546.3无效
发明人：吴建辉;陈作添;戴学强;李红;张萌;茆邦琴 -专利权人：东南大学
申请日： 2007-03-12 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H03K23/64 文献下载
摘要：高速双模16/17预分频器电路，属于高速频率合成器以及高频收发技术领域。该预分频器电路由三个正沿触发器、一个两输入或门、一个两输入与非门、一个三输入与非门和两个负沿触发器组成。其中，三个正沿触发器、两输入或门和两输入与非门构成的除4/5同步分频单元采用上升沿触发，两个负沿触发器构成的除4异步分频单元用下降沿触发，反馈控制逻辑单元采用三输入与非门。该预分频器电路消除了现有技术中，17分频时反馈路径对预分频器速度的影响，减少了反馈路径的延迟，从而避开产生反馈状态对同步4/5分频速度的影响，提高了预分频器的速度，解决了频率合成器的速度瓶颈问题，良好地实现预分频器的16/17的高速分频。
高速双模 16 17 分频器

[发明专利]用于逐次逼近型模数转换器的失调位补偿电路-CN200710020386.2无效
发明人：吴建辉;龙善丽;王沛;茆邦琴;张萌;李红 -专利权人：东南大学
申请日： 2007-02-16 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H03M1/38 文献下载
摘要：用于逐次逼近型模数转换器的失调位补偿电路，属于数模混合信号处理技术领域，该电路中的比较器输出产生电路和失调位补偿产生电路的第一输入端接第一时钟信号，比较器输出产生电路和失调位补偿产生电路的第二输入端接比较器比较结果，比较器输出产生电路的输出端和失调位补偿产生电路的输出端分别对应连接模数转换器输出调整电路的两个输入端，模数转换器输出调整电路的时钟输入端接入第二时钟信号，从模数转换器输出调整电路的输出端引出模数转换器的输出数据信号和溢出信号。该电路设置的置位功能，提高了模数转换器的转换速度，同时通过增加补偿位和利用输出调整电路对输出信号进行调整，消除提前置位所可能引起的误差并产生溢出信号。
用于逐次逼近型模数转换器失调补偿电路

[发明专利]里德所罗门解码器的关键方程与错误值求解优化电路-CN200610096837.6无效
发明人：吴建辉;吴俊;晏飞;李红;茆邦琴 -专利权人：东南大学
申请日： 2006-10-20 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H03M13/05 文献下载
摘要：为了解决现有技术中里德所罗门解码器电路设计上电路面积大、电路成本高的问题，本发明提供一种里德所罗门解码器的关键方程与错误值求解优化电路，它通过选择器、乘法器、加法器、三路选择器、赋初值与三态功能电路、触发器、锁存器、静态存储器、选择与取倒数电路及选择与触发电路的组合完成了错误位置多项式Λ(x)，错误值多项式Ω(x)和最终错误值的求解。它采用单块电路的复用而实现原本需要两块电路才能完成的功能，从而尽可能地缩小了电路面积，减小了电路的复杂度，降低了电路成本。
所罗门解码器关键方程错误求解优化电路

[发明专利]数字时钟恢复装置-CN200610039304.4无效
发明人：吴建辉;刘昕;张萌;茆邦琴;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2006-04-05 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H04L7/027 文献下载
摘要：本发明提供一种数字时钟恢复装置，包含插值滤波器1、数控振荡器2、时钟误差检测与环路滤波电路3及判决器4。插值滤波器1根据数控振荡器2提供的插值距离U和数据有效信号EN，将正交幅度调制基带信号插值调整为正交幅度调制信号，时钟误差检测与环路滤波电路3根据插值滤波器1输出的正交幅度调制信号和正交幅度调制信号经判决器4后的判决值，输出步长控制信号W给数控振荡器2，数控振荡器2根据振荡步长控制信号W周期性的给出插值距离U和数据有效信号EN。其中时钟误差检测与环路滤波电路3只使用了两个乘法器，节约了芯片资源，降低了成本。
数字时钟恢复装置

[发明专利]用于正交调幅信号解调的载波恢复方法及其电路-CN200610038898.7无效
发明人：吴建辉;晏飞;邓青;茆邦琴;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2006-03-16 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H04L27/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于正交调幅信号解调的载波恢复方法及其电路；该方法主要是通过自动模式转换控制器控制载波恢复中、采用极性判决相位检测方法实现的鉴频功能和采用带加权的极性判决导向方法实现的鉴相功能的两种不同方法的切换，以适应载波恢复环路不同时刻要求，从而获得稳定的载波恢复性能；同时本发明还给出了该方法的具体实现电路，并通过星座图体现电路的纠偏性能，各阶QAM信号已基本达到纠正9％符号率频偏和45度相偏的性能。
用于正交调幅信号解调载波恢复方法及其电路

[发明专利]互补金属氧化物半导体比较器-CN200410065841.7无效
发明人：吴建辉;吴光林;茆邦琴;饶进;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2004-12-22 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种互补金属氧化物半导体比较器，反馈失调调整电路5由开关电容滤波器6和电压调节电路7组成，输出锁存器4的输出端WA1与开关电容滤波器6的输入端连接，开关电容滤波器6的输出端与电压调节电路的输入端连接，电压调节电路的输出端与比较器失调校准电容C3一端连接，比较器失调校准电容C3的另一端接第一级放大器1的输入端IN，比较器失调校准电容C3的对称电容C4一端接第一级放大器1的反输入端INR，另一端接地，开关电容滤波器6由第一支路61和第二支路62组成，第一支路61由第一传输门TF1和第二传输门TF2组成，第二支路62由倒相器INV4、第三传输门TF3和第四传输门TF4组成，倒相器INV4的输入端与输出锁存器的输出端WA1连接。
互补金属氧化物半导体比较

[发明专利]双栅高压N型金属氧化物半导体管-CN03158281.8无效
发明人：孙伟锋;陆生礼;茆邦琴;李海松;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2003-09-22 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：双栅高压N型金属氧化物半导体管，至少含1个器件单元，该单元含P型衬底，P型衬底上有N型重掺杂埋层，埋层上设N型外延层，外延层上设深N型漏连接层，连接层上方设N型源区，外延层表面的非有元器件区域上设场氧，外延层表面的有源器件区域内设P阱，P阱内设N型源区，N型源区以外有源器件区域上方设多晶硅栅且多晶硅栅与N型源区以外的有源器件区域间设栅氧，场氧、多晶硅栅上方及多晶硅栅下方以外的其他有源器件区域上设氧化层，在N型漏、源区上分别有铝引线，N型源区由N型源和P阱接触层组成，P阱接触层设在N型源之间，外延层有源器件区域内且位于源区和P阱的侧旁设孔，孔内设纵向多晶硅栅，纵向多晶硅栅与孔之间设纵向栅氧化层。
高压金属氧化物半导体

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