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[发明专利]一种低温键合光电探测器及其制备方法-CN201811143999.X在审
发明人：陆海;周东;渠凯军 -专利权人：镇江镓芯光电科技有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公布了一种低温键合光电探测器及其制备方法，一种低温键合光电探测器包括：衬底、N型掺杂硅层、P型掺杂硅层、N型键合层、P型键合层、吸收层、P型掺杂InP层、P型欧姆接触层、保护层、n型电极、p型电极，一种低温键合光电探测器制备方法包括：外延层生长、晶片键合、台面刻蚀和保护层制备、电极制备。本发明通过晶片键合、低温退火和相关结构的优化，将不同半导体结合在一起，结合了各半导体材料的优点，提供一种低温退火、避免晶格大失配、响应速度快、位错密度低的低温键合光电探测器及其制备方法。
光电探测器低温键合制备低温退火晶片键合保护层键合层半导体材料电极制备台面刻蚀外延层吸收层衬底晶格失配位错半导体生长响应优化

[发明专利]一种增加演色性的白光LED结构-CN201610425669.4有效
发明人：吴奇隆;张永;陈凯轩;李俊贤;陈亮 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开一种增加演色性的白光LED结构，包括蓝光外延芯片、红光四元外延芯片及键合层；蓝光外延芯片与红光四元外延芯片之间借助键合层键合；蓝光外延芯片的衬底研磨后蒸镀DBR层，红光四元外延芯片的四元外延层一侧生长GaP外延层，GaP外延层上生长P型欧姆接触层，四元外延层另一侧生长N型欧姆接触层，N型欧姆接触层上生长反射镜，反射镜上生长隔绝层，隔绝层上分别设置与N型欧姆接触层连接的N型电极和与P型欧姆接触层连接的P型电极；键合层一侧与DBR层键合，键合层另一侧与四元外延层的P型欧姆接触层键合。
一种增加演色性白光 led 结构

[发明专利]一种Mini-LED芯片及其制备方法-CN202210450618.2在审
发明人：郭文辉;贾钊;胡加辉;金从龙;窦志珍;杨琦;兰晓雯 -专利权人：江西耀驰科技有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mini‑LED芯片及其制备方法，涉及半导体工艺技术领域，包括透明基板，该Mini‑LED芯片还包括：依次层叠设于透明基板上的键合层、P型接触层、外延层及镜面反射层；以及分别设于P型接触层和外延层之上的P型金属电极层及N型金属电极层；其中，键合层包括第一键合层以及设于第一键合层之上的第二键合层，第一键合层为增透膜层，其设于透明基板之上，第二键合层包括n层透明导电层，n为3‑10。本发明能够解决现有技术中P型接触层与P型金属电极层接触会引起较高的接触电阻，影响Mini‑LED性能的技术问题。
一种 mini led 芯片及其制备方法

[发明专利]层合装置和层合方法-CN202010156737.8在审
发明人：孙良汉;金种焕;金英植;李庆洙 -专利权人：三星显示有限公司;淀川美科股份有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： B32B37/12 文献下载
摘要：本发明提供了层合装置和层合方法。所述层合装置包括：第一夹具；弹性构件，设置在所述第一夹具上；以及第二夹具，与所述第一夹具分开预定距离并且面对所述第一夹具，其中，所述第二夹具包括面对所述第一夹具的平坦表面，并且所述第二夹具在其两个边缘侧具有弯曲部分
装置方法

[发明专利]层合方法及层合产品-CN202080045799.X在审
发明人：托本·福克特曼;彼得·约翰森;拉尔斯·克里斯滕森 -专利权人：达纳帕克软包装有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： B32B15/082 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型的层合膜，其中接触层粘合层合于基底层，比如金属箔，或者其中包含接触层和至少一个连结层的共挤出层粘附于基底层；本发明还涉及该层合膜用于包裹API的用途，该API比如是尼古丁、芬太尼、利多卡因和利凡斯的明，其中该接触层包含COC、PA、EVOH、CBC、PVDF、COP、HDPE或EMAA。
方法产品

[发明专利]层合方法及层合产品-CN202080045887.X在审
发明人：托本·福克特曼;彼得·约翰森;拉尔斯·克里斯滕森 -专利权人：达纳帕克软包装有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： B32B15/082 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型的层合膜，其中接触层粘合层合于基底层，比如金属箔，或者其中包含接触层和至少一个连结层的共挤出层粘附于基底层；本发明还涉及该层合膜用于包裹API的用途，该API比如是尼古丁、芬太尼、利多卡因和利凡斯的明，其中该接触层包含COC、PA、EVOH、CBC、PVDF、COP、HDPE或EMAA。
方法产品

[发明专利]层合系统和层合方法-CN202280014556.9在审
发明人：赖安·J·艾斯明;大卫·J·麦克丹尼尔;郝恩才 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2022-02-04 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B32B37/12 文献下载
摘要：一种用于将粘合剂层合到部件的系统，该系统包括衬层，该衬层包括面向部件的第一主表面和与第一主表面相背的第二主表面。粘合剂设置在第一主表面上。粘合剂被配置为层合到部件。支撑垫接合衬层的第二主表面以将粘合剂层合到部件。支撑垫和衬层中的每一者在支撑垫与衬层接合时经历变形。衬层包括衬层弹性模量为约5兆帕(MPa)至约650MPa的可适形的衬层材料。
系统方法

[实用新型]一种型线绞合导体高阻燃B1级隔离型防火电缆-CN202120869728.3有效
发明人：杨孟衡 -专利权人：广州市新兴电缆实业有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01B7/295 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种型线绞合导体高阻燃B1级隔离型防火电缆，包括外护层，外护层内侧设有外阻燃层，外阻燃层内侧设有隔氧层，隔氧层为密实挤包在外阻燃层外，隔氧层内侧设有陶瓷化硅橡胶带，陶瓷化硅橡胶带内侧设有高阻燃带，隔氧层外绕包在高阻燃带，高阻燃带内侧设有四个型线绞合导体，型线绞合导体上下左右均匀排列，型线绞合导体外侧均设有耐火层，耐火层外侧均设有内阻燃层，内阻燃层外侧均设有金属护层，高阻燃带与型线绞合导体之间均设有填充层，填充层由无机阻燃玻纤绳组成；本实用新型一种型线绞合导体高阻燃B1级隔离型防火电缆具有易于安装敷设、生产效率高、很强的抗外界机械冲击的优点。
一种型线绞合导体阻燃 b1 隔离防火电缆

[发明专利]一种显示面板及其制备方法-CN202211043484.9在审
发明人：张箫巍;黄凯;李金钗;杨旭;张荣 -专利权人：厦门大学;嘉庚创新实验室
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种显示面板及其制备方法，制备方法包括：提供第一基板，第一基板的一侧有若干间隔的Mi cro‑LED芯片；提供第二基板，第二基板的一侧表面有若干导电层；在第二基板上形成隔离层，隔离层中有若干开口组，每个开口组均包括暴露出导电层的表面的第一开口和第二开口，第一开口的宽度小于P型电极的宽度，第二开口的宽度小于N型电极的宽度；在第一开口中形成第一键合层，在第二开口中形成第二键合层；以隔离层对芯片本体支撑将P型电极与第一键合层进行键合的同时将N型电极与第二键合层进行键合，P型电极嵌入第一键合层中，N型电极嵌入第二键合层中。所述方法避免M i cro‑LED芯片与第一键合层、第二键合层之间键合失效。
一种显示面板及其制备方法

[发明专利]一种超薄垂直结构黄光LED及其制备方法-CN201910801271.X在审
发明人：王永进 -专利权人：南京南邮信息产业技术研究院有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄垂直结构黄光LED及其制备方法，超薄垂直结构黄光LED，包括自下而上依次设置的电子沉积底层、n型GaN层、超晶格层、量子阱层、p型电子阻挡层、p型GaN层、Ag电极层、Sn/Au金属键合层、低阻硅衬底和电子沉积顶层，其中Ag电极层和Sn/Au金属键合层键合而成；原始晶圆的缓冲层、n型GaN层、超晶格层、量子阱层、p型电子阻挡层和p型GaN层的总体厚度为
垂直结构黄光LED 量子阱层金属键合层超晶格层硅衬底缓冲层低阻晶圆沉积电光转换效率衬底剥离电极沉积发光波长金属沉积金属键合依次设置顶层减薄键合去除制备保证

[发明专利]激光器阵列与合波器单片集成芯片的制作方法-CN201310503604.3有效
发明人：梁松;朱洪亮;王圩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种激光器阵列与合波器单片集成芯片的制作方法，包括：在n型InP衬底上依次生长n型InP缓冲层，n型AlGaInAs包层，AlGaInAs多量子阱层，p型AlGaInAs包层，InP间隔层，InGaAsP光栅层和InP牺牲层，形成基片，该基片的一侧为有源区，另一侧为合波器区；在合波器区的InP牺牲层中注入P离子并快速热退火；去掉InP牺牲层，在有源区的InGaAsP光栅层中制作光栅；在有源区和合波器区的InGaAsP光栅层上生长p型InP包层及p型InGaAs接触层；采用干法刻蚀去除p型InGaAs接触层，p型InP包层，InGaAsP光栅层，InP间隔层，在有源区形成各激光器单元的脊型波导及合波器区形成合波器脊型波导；在有源区的脊型波导上制作p电极；减薄n型InP衬底，并在其背面制作n电极，完成制备。
激光器阵列合波器单片集成芯片制作方法

[发明专利]发光二极管以及具有该发光二极管的发光元件-CN201910461798.2有效
发明人：禹尚沅;金艺瑟;朴泰俊;徐德壹 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：根据一实施例的发光二极管包括：n型半导体层；台面，以使n型半导体层的上表面部分暴露的方式位于n型半导体层上，并包括活性层及位于活性层上的p型半导体层；第一键合垫，电连接于n型半导体层；引线键合用第二键合垫，电连接于p型半导体层；以及第一绝缘层，至少一部分布置于通过台面暴露的n型半导体层的暴露区域与第二键合垫之间，其中，第一绝缘层覆盖通过台面暴露的n型半导体层的暴露区域中的最靠近第二键合垫的暴露区域与第二键合垫之间的p型半导体层区域的一部分，第一绝缘层沿邻近于暴露的n型半导体层的p型半导体层的边缘部位而布置。
发光二极管以及具有发光元件

[实用新型]一种抗拉伸的高分子覆型离型膜-CN202022168947.7有效
发明人：蔡高明;杨桂林 -专利权人：深圳市瑞昌星科技有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗拉伸的高分子覆型离型膜，包括：第一离型膜层，硅胶层，第二离型膜层，其中，所述第一离型膜层与第二离型膜层分别设置于所述硅胶层的两面，所述第一离型膜层、硅胶层、第二离型膜层的内部分别设置有玻纤布；本实用新型通过第一离型膜层、硅胶层、第二离型膜层的设置，利用硅胶层良好的覆型作用，及芳纶制成的第一离型膜层、第二离型膜层的一定的覆型和离型作用，实现离型功能，在各层中间设置玻纤布，能够有效提升压合辅助膜的抗拉伸强度，起到稳定压合辅助垫和电路板涨缩的效果，提升电路板压合加工品质，且辅助膜本身的抗拉伸强度增强，反复应用的次数将增加，能够节约电路板压合的物料成本。
一种拉伸高分子覆型离型膜

[实用新型]一种一层三户空中合院别墅-CN202121435041.5有效
发明人：贾子健;孙程 -专利权人：贾子健;孙程
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： E04H1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种一层三户空中合院别墅，包括基准层和对称层，每个基准层均包括三个基准层套型，任意两个相邻的基准层套型之间的夹角均不小于90°；每个对称层均包括三个对称层套型，任意两个相邻的对称层套型之间的夹角均不小于90°；每个对称层套型的外墙面外均设置有对称层室外空中合院，每个基准层套型的外墙面外均设置有基准层室外空中合院，对称层室外空中合院的投影与基准层室外空中合院的投影均相对于对应的竖直对称轴的投影相互对称。本实用新型充分利用了室内功能空间的可替换性及外墙空间的潜力，让每一户都可以享有别墅般体验效果，可以便捷的观看自家合院景色，同时保证合院充足私密性，为高层住户真正带来别墅般的居住感。
一种一层空中别墅

[发明专利]微型LED显示器及其制造方法-CN202110322711.0有效
发明人：庄永漳 -专利权人：镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种微型LED显示器，包括基板、键合层、第一掺杂型半导体层、多重量子阱层(MQW层)、第二掺杂型半导体层、钝化层以及电极层。键合层形成在基板上，并且第一掺杂型半导体层形成在键合层上。MQW层形成在第一掺杂型半导体层上，第二掺杂型半导体层形成在MQW层上。第二掺杂型半导体层包括通过离子注入制成的隔离材料，并且钝化层形成在第二掺杂型半导体层上。电极层形成在钝化层上，通过钝化层上的第一开口与第二掺杂型半导体层的一部分接触。
微型 led 显示器及其制造方法

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