专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]导体器件-CN201210265578.0有效
  • 石黑哲郎 - 富士通株式会社
  • 2012-07-27 - 2013-04-10 - H01L29/778
  • 本发明涉及半导体器件。所述半导体器件包括:形成在衬底上的高电阻层,该高电阻层利用掺杂有杂质元素的半导体材料形成,该杂质元素使半导体材料变为高电阻的;形成在高电阻层上的多层中间层;在多层中间层上利用半导体材料形成的电子传输层;以及在电子传输层上利用半导体材料形成的电子供给层,其中所述多层中间层利用多层膜形成,在该多层膜中GaN层和AlN层交替地层叠。
  • 半导体器件
  • [发明专利]一种保护导体测量电路和测量装置-CN201010617491.6有效
  • 胡文南 - 优利德科技(中国)有限公司
  • 2010-12-30 - 2011-07-06 - G01R27/20
  • 本发明公开了一种保护导体的测量电路和测量装置,包括:限流电阻、分压电阻、取样电阻、电流正反切换继电器和模数转换器,所述限流电阻、所述分压电阻和所述取样电阻串联接于直流稳压电源和参考地之间,其中所述限流电阻的一端与所述直流稳压电源相连,所述取样电阻的一端与参考地相连;所述限流电阻和所述分压电阻的公共端与所述电流正反切换继电器相连;所述分压电阻和所述采样电阻的公共端与所述数模转换器相连;所述电流正反切换继电器与被测设备的保护导体接线端和外壳接地端相连本发明提供的保护导体测量电路能比较准确的测量保护导体的阻值。
  • 一种保护导体测量电路装置
  • [发明专利]一种半导体IC芯片-CN202210137935.9在审
  • 哈克布·阿圭伦·加西亚;王乐知 - 广东致能科技有限公司
  • 2022-02-15 - 2023-08-25 - H02M1/08
  • 本申请提供一种半导体IC芯片,半导体IC芯片集成了半导体开关器件、驱动电流单元和可调电阻单元,通过可调电阻单元的电阻值改变驱动电流单元生成的驱动电流,以控制半导体开关器件的导通或关断的速度,因此,该半导体IC芯片具有自带的调节半导体开关器件的导通或关断的速度的功能,能够通过降低开关特性来避免快速响应以及晶体管能量的快速上升而产生的EMI噪声。并且,由于半导体IC芯片是将半导体开关器件、驱动电流单元和可调电阻单元形成的集成电路放在一块塑基上,做成一块芯片,起到镇流器作用的可调电阻单元与半导体开关器件的距离更近,能够更好地调节半导体开关器件的导通或关断速度
  • 一种半导体ic芯片
  • [发明专利]一种可变栅电阻的半导体器件及制作方法-CN202310770320.4在审
  • 钟炜;杨承晋;刘涛 - 深圳市森国科科技股份有限公司
  • 2023-06-28 - 2023-08-08 - H01L29/78
  • 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种可变栅电阻的半导体器件,该半导体器件包括:晶圆、以及设置在所述晶圆上的主芯片元胞区、主芯片终端区和可变电阻区,所述主芯片终端区设置在所述主芯片元胞区和所述可变电阻区之间;所述可变电阻区包括可变电阻区掺杂区和可变栅电阻控制电极金属,所述可变栅电阻控制电极金属设置在所述可变电阻区掺杂区上,所述可变栅电阻控制电极属用于控制所述可变电阻区掺杂区的载流子浓度。该半导体器件将可变栅电阻集成在芯片内部,通过单独的电极调控栅电阻,能根据外部电路的需求给定特定电压后,得到特定的栅极电阻值,降低器件调整栅电阻的成本,提高栅电阻的调整效率。
  • 一种可变电阻半导体器件制作方法
  • [发明专利]导体电阻-CN201410822102.1有效
  • 潘光燃;王焜;文燕;石金成;高振杰 - 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
  • 2014-12-25 - 2019-04-16 - H01L29/8605
  • 本发明公开了一种半导体电阻,包括:N型衬底;P型栅极,形成于所述N型衬底之上;形成于所述P型栅极两侧且位于所述N型衬底中的P型源极和P型漏极;N型掺杂区,形成于所述N型衬底内且靠近所述P型源极;金属连接线,连接于所述N型掺杂区、所述P型源极和所述P型栅极,所述N型掺杂区、所述P型源极和所述P型栅极构成所述半导体电阻的一端,所述P型漏极构成所述半导体电阻的另一端。本发明的半导体电阻,无需设置另外的功能模块给栅极施加电压以使半导体电阻起到等效电阻的作用,并且无需在源极和漏极之间另外构造P型导电沟道,简化了半导体电阻的结构及制造工艺,节约了成本。
  • 半导体电阻
  • [发明专利]一种磁电阻传感器芯片-CN202111258971.2有效
  • 刘明;关蒙萌;胡忠强;朱红艳;朱家训 - 珠海多创科技有限公司
  • 2021-10-28 - 2022-04-01 - G01R33/09
  • 一种磁电阻传感器芯片,包括:第一、第二磁感应单元,感应单元均包括连接成惠斯通电桥的磁电阻单元,其中两个磁电阻单元被软磁材料屏蔽;罩在第二磁感应单元之外的导体罩,导体罩和第二磁感应单元由绝缘材料隔开;与第二磁感应单元的输出端相连的反馈调节电路;与反馈调节电路相连的导体导体上的电流方向和磁电阻单元的磁敏感方向相垂直,第二磁感应单元与反馈调节电路及导体组成闭环零磁通电路;第一、第二磁感应单元位于导体的同一侧且与导体间的距离相同,能够感应外磁场的磁电阻单元在导体所在平面上的投影位于导体在其所在平面上的投影内本发明的磁电阻传感器芯片在高频磁场的应用中具有对来自低频磁场的抗干扰能力,拥有更精准的输出。
  • 一种磁电传感器芯片

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