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[发明专利]对准标记结构、掩膜板和半导体结构-CN202210266509.5在审
发明人：胡帅;张鹏真;徐陈林;彭熙锦;王梦婷;崔佳森 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于光刻设备的对准标记结构、掩膜板以及半导体结构。所述对准标记结构包括多个主标记，用于实现光刻工艺中的对准；所述多个主标记中的每个主标记包括相互平行且间隔设置的多个对准栅条；以及虚设标记，用于匹配所述光刻设备的尺寸需求；所述虚设标记包括呈阵列间隔排布的多个点状结构
对准标记结构掩膜板半导体

[发明专利]一种接近式纳米光刻双光栅自动对准标记-CN201410620137.7在审
发明人：徐锋 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：一种用于接近式纳米光刻双光栅自动对准标记，由分别位于掩模与硅片上的两组对准标记组成，任意一组对准标记由位于中心的圆型光栅与位于四边角的线型拼接光栅组成。任意一组对准标记中间部分为圆型光栅，用于实现粗对准；任意一组对准标记四个边角位置分别为两组周期相邻的线型拼接光栅组成，其中两个上边角为纵向拼接，两个下边角为横向拼接，分别用于在x,y方向上实现精对准。通过两组对准标记可实现掩模与硅片的高精度快速自动化对准。
一种接近纳米光刻光栅自动对准标记

[发明专利]全局对准标记以及全局对准方法-CN201110342062.7无效
发明人：孙贤波;孔蔚然 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种全局对准标记以及全局对准方法。根据本发明的全局对准标记包括：布置在密封圈的第一侧壁和第二侧壁之间的单个对准标记，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁用作对准标记，并且所述第一侧壁、所述单个对准标记和所述第二侧壁被用作全局对准标记所需的三根信号源根据本发明，利用第一侧壁和第二侧壁代替现有技术的两根信号源来用作全局对准标记通常所需的三根信号源中的两根，从而可以减小全局对准标记所占用的横向尺寸，能够减少切割道尺寸。
全局对准标记以及方法

[发明专利]对准衬底的方法-CN201010256233.X有效
发明人：吴昇勋;金性秀;程成德;文元根 -专利权人： AP系统股份有限公司
申请日： 2010-08-16 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供一种对准衬底结合设备的第一衬底与第二衬底的方法，所述衬底结合设备包含用于对准各自包括多个对准标记的所述第一衬底与所述第二衬底的对准单元。所述第一衬底的所述多个对准标记中的一个与所述第二衬底的所述多个对准标记中的对应者被定义成一对对准标记。所述方法包含减少多个未对准值中的最大未对准值以便对准所述第一衬底与所述第二衬底，每一未对准值是从每一对对准标记获得。通过算术运算，搜索X、Y和θ方向上使多对对准标记的未对准值皆落在容许范围内的虚拟移动算术值，且将所述衬底移动到所述虚拟移动算术值。这样，可通过移动所述衬底一次而无需移动多次来使所述衬底对准。因此，可缩短对准所述衬底所需的时间。
对准衬底方法

[发明专利]半导体装置封装及其制造方法-CN201910988197.7在审
发明人：廖国成;丁一权 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种封装衬底包含第一介电层、第一图案化导电层及第一组对准标记。所述第一图案化导电层安置在所述第一介电层上。所述第一组对准标记安置在所述第一介电层上且邻近所述第一介电层的第一边缘。所述第一组对准标记包含多个对准标记。所述第一组对准标记中的所述对准标记与所述第一边缘之间的距离彼此不同。
半导体装置封装及其制造方法

[发明专利]显示装置和制造该显示装置的方法-CN202210015439.6在审
发明人：河英相 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G02B30/27 文献下载
摘要：提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法，所述显示装置包括：光学构件，包括多个透镜和被设置为与所述多个透镜中的至少一个透镜叠置的第一对准标记；以及显示面板，包括多个子像素和第二对准标记，第二对准标记设置在所述多个子像素之间并且与第一对准标记叠置，其中，第一对准标记和第二对准标记中的每个包括磁性物质。
显示装置制造方法

[发明专利]对准标记及其形成方法、半导体的对准方法-CN200810095458.4无效
发明人：林鸿铭;林晓江;蔡孟峰;邱德安 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2008-04-23 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种对准标记及其形成方法、以及半导体的对准方法。该对准标记配置于基底上。对准标记包括第一介电层和金属层。第一介电层配置于基底上，包括标记沟渠以及接触窗。金属层配置于标记沟渠与接触窗中，其中金属层的表面与第一介电层的表面齐平。由于金属层与第一介电层具有不同的反射率和折射率，因此对准光束以此作为侦测出对准标记的依据。
对准标记及其形成方法半导体

[发明专利]套刻误差修正方法及装置、电子设备和存储介质-CN202310014488.2在审
发明人：樊贝贝 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：该方法包括：获取当前批次晶圆，确定当前批次晶圆对应的多个对准标记以及各对准标记的套刻误差与套刻误差偏差；基于套刻误差与套刻误差偏差确定各对准标记的标记质量值；基于标记质量值，对多个对准标记进行筛选，确定出目标对准标记；基于目标对准标记，确定当前批次晶圆对应的误差修正结果，以基于误差修正结果对下一批次晶圆进行曝光对准处理。本公开可以基于未被破坏的目标对准标记确定套刻误差，从而有效控制工艺制程中产生的套刻误差。
误差修正方法装置电子设备存储介质

[发明专利]测量两激光干涉仪相交角度非正交性的方法-CN201511024102.8有效
发明人：唐彩红 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量两激光干涉仪相交角度非正交性的方法，包括：上载掩模版至掩模台上，所述掩模版上设置有若干标记组；工件台步进，使同轴对准传感器对准标记组中的第一个同轴对准标记，激光干涉仪记录当前工件台的位置；步骤3：移动工件台，使同轴对准传感器对准该标记组中的下一同轴对准标记，激光干涉仪记录当前工件台的位置，重复上述动作直至该标记组中的所有同轴对准标记对准完毕；步骤4：工件台步进至下一标记组，重复步骤2‑3；步骤5：根据激光干涉仪记录的数据和已知的标记组数据，计算两激光干涉仪相交角度非正交角度。
测量激光干涉仪相交角度正交方法

[发明专利]对准标记的识别和位置确定方法、成像设备及存储介质-CN201710859487.2有效
发明人：荣成城;周强强 -专利权人：上海联影医疗科技有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： A61N5/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种对准标记的位置确定方法，包括：获取在初始对准标记状态下的受检者的扫描图像序列；根据所述扫描图像序列确定初始对准标记状态下的等中心点，包括：识别所述扫描图像序列中各层扫描图像中的初始对准标记；和根据所述初始对准标记确定所述等中心点；利用神经网络模型根据所述扫描图像序列计算出目标对象的中心点；以及根据所述等中心点和所述目标对象的中心点的空间偏移量确定所述对准标记的位置。上述方法无需工作人员手动对扫描图像序列进行遍历以识别标注初始对准标记，不会引入人工误差，可以提高标记的准确度。本发明还涉及一种成像设备、存储介质及一种对准标记的识别方法。
对准标记识别位置确定方法成像设备存储介质

[发明专利]对准标记及半导体结构-CN201910177005.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种对准标记及半导体结构。所述对准标记能够设置在半导体衬底上，且所述对准标记包括第一区域和第二区域，所述第一区域设置有对准图案，所述第二区域设置有标识图案，所述标识图案用于表示所述对准标记所对应的制程工序。本方案中，易于辨识此对准标记对应哪道制程工序，从而可提高对准效率，以利于提高产品的产率，此外，还便于后续快速验证此对准标记对应的制程工序是否出错，以提高验证效率。
对准标记半导体结构

[实用新型]对准标记及半导体结构-CN201920295821.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种对准标记及半导体结构。所述对准标记能够设置在半导体衬底上，且所述对准标记包括第一区域和第二区域，所述第一区域设置有对准图案，所述第二区域设置有标识图案，所述标识图案用于表示所述对准标记所对应的制程工序。本方案中，易于辨识此对准标记对应哪道制程工序，从而可提高对准效率，以利于提高产品的产率，此外，还便于后续快速验证此对准标记对应的制程工序是否出错，以提高验证效率。
对准标记制程半导体结构标识图案第二区域第一区域半导体技术领域验证对准图案辨识产率衬底半导体出错对准申请

[发明专利]形成半导体结构的方法和处理系统-CN202110060982.3在审
发明人：林勇志;李静宜;邱德洋;陈思帆;胡翰叡;王景宏;李汝谅;喻中一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：该方法包括在半导体晶圆上形成多个上部对准标记。多个下部对准标记在操作晶圆上形成并且对应于上部对准标记。半导体晶圆接合至操作晶圆，使得上部对准标记的中心与相应的下部对准标记的中心横向偏移。通过检测多个上部对准标记和下部对准标记，测量操作晶圆与半导体晶圆之间的重叠(OVL)偏移。通过光刻工具执行光刻工艺以在半导体晶圆的上方部分地形成集成电路(IC)结构。在光刻工艺期间，光刻工具根据OVL偏移执行补偿对准。根据本申请的其他实施例，还提供了一种处理系统。
形成半导体结构方法处理系统

[发明专利]用于电子束曝光的待曝光衬底及对准标记定位的方法-CN201510039895.4有效
发明人：邓辉;金贻荣;朱晓波;郑东宁 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-01-27 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于电子束曝光的待曝光衬底及对准标记定位的方法，包括在待曝光衬底上形成方位标记、引导标记和对准标记；引导标记邻近于待曝光衬底的边缘；记录引导标记和对准标记在待曝光衬底上的位置信息；将待曝光衬底平置于样品台上，基于方位标记调节待曝光衬底在样品台上的朝向或转动角度，使得引导标记邻近于样品台的预定位置；调节电子束曝光系统，使得预定位置出现在视场中，并继而使得引导标记出现在视场中；步骤S4根据引导标记和对准标记的位置信息确定对准标记相对于引导标记的位置，调节电子束曝光系统使得对准标记出现在视场内。该方法在电子束曝光套刻时能够快速简便地实现了衬底的对准，使得寻标、定标直观化。
用于电子束曝光衬底对准标记定位方法

[发明专利]凹陷型SOI衬底电子束套刻对准标记结构及其制备方法-CN202110396502.0在审
发明人：周瑾;刘志宏;李蔚然;黎培森;李祥东;张苇杭;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种凹陷型SOI衬底电子束套刻对准标记结构及其制备方法，该方法包括：S1：清洗SOI衬底；S2：在SOI衬底上涂覆反转光刻胶；S3：利用对准标记掩模版，采用光刻反转工艺在反转光刻胶上形成对准标记光刻图形；S4：根据对准标记光刻图形，在没有被反转光刻胶覆盖的区域进行干法刻蚀处理，刻蚀完成后去除样品表面残留的反转光刻胶，得到凹陷型电子束套刻对准标记；其中，凹陷型电子束套刻对准标记为尺寸≥20μm×20μm，深度≥500nm的方形结构；凹陷型电子束套刻对准标记的外周凹槽的宽度≥50μm。本发明的方法，利用光刻反转工艺在反转光刻胶上形成对准标记光刻图形后，只需通过一次刻蚀即可得到凹陷型对准标记，制备工艺流程更为简单。
凹陷 soi 衬底电子束对准标记结构及其制备方法