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[发明专利]用于跟踪半导体存储器读取电流的可编程跟踪电路-CN201180022206.9有效
发明人：王忠泽 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2011-04-05 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：一种实例存储器装置包含存储器阵列、感测放大器和跟踪电路。所述存储器阵列由多个存储器单元形成。所述感测放大器用于存取所述存储器阵列。所述跟踪电路用于跟踪所述存储器阵列的存储器读取电流。所述跟踪电路包括一列或一列以上跟踪单元。每一列耦合到对应的位线以在所述位线上提供用于触发所述感测放大器的存储器读取操作的驱动电流。所述列中的至少一者包括彼此串联连接的两个跟踪单元。
用于跟踪半导体存储器读取电流可编程电路

[发明专利]用于存储器的跟踪方案-CN201110343922.9有效
发明人：张勇;陶昌雄;郑东植;金英奭;许国原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于存储器的跟踪方案，其中公开了具有用于读取跟踪操作的跟踪电路的存储器，该存储器包括存储器位单元阵列、跟踪列、跟踪行，与存储器位单元阵列和跟踪行连接的读出放大器行和读出放大器启动逻辑。该存储器进一步包括与跟踪列和读出放大器启动逻辑连接的跟踪位线、以及与跟踪行和读出放大器行连接的跟踪字线。该跟踪电路被配置为在沿着跟踪行跟踪行时间延迟之前沿着跟踪列跟踪列时间延迟。
用于存储器跟踪方案

[发明专利]自适应粒度写入跟踪-CN201811424378.9在审
发明人： K.A.多施;F.吉姆伯纳特;D.里瓦斯巴拉甘;S.普拉巴卡兰 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：半导体封装设备的实施例可包括技术来创建用于存储器控制器的跟踪结构以跟踪持久性存储器的某个范围的存储器地址，在存储器控制器识别对在被跟踪存储器地址的该范围内的存储器位置的写入请求，以及在跟踪结构中设置标志以指示该存储器位置具有识别的写入请求
存储器控制器跟踪存储器位置写入请求半导体封装设备持久性存储器存储器地址跟踪存储器自适应写入创建

[发明专利]用于提升源线电压以减少电阻式存储器中的泄漏的设备-CN201580061614.3有效
发明人： U·阿斯兰;C·德雷 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G11C7/14 文献下载
摘要：描述了一种设备，所述设备包括：泄漏跟踪器，所述泄漏跟踪器用于跟踪电阻式存储器单元列的泄漏；以及电路，所述电路用于调整所述电阻式存储器单元列的源线(SL)上的电压。描述了一种设备，所述设备包括：存储器阵列，所述存储器阵列具有电阻式存储器单元行和列；泄漏跟踪器，所述泄漏跟踪器用于跟踪与所述存储器阵列相关联的电阻式存储器单元列的泄漏电流；以及电路，所述电路被耦合到所述泄漏跟踪器，用于在读取操作过程中自适应地提升所述电阻式存储器单元列的SL上的电压。
用于提升电压减少电阻存储器中的泄漏设备

[发明专利]信号控制电路-CN201910338197.2在审
发明人：本岛大地;冈部基彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝基础设施系统株式会社
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：防止由于向跟踪存储器区域以及公共存储器区域的数据保存的竞合从而高速串行总线I/F电路收发串行数据的总线转送功能劣化。实施方式的信号控制电路具备：高速串行总线I/F电路，通过高速串行总线通信从外部装置接收串行数据，并将串行数据变换为并行数据；数据变换电路，将并行数据中的一方变换为用于向外部存储器保存的公共数据；跟踪电路，将并行数据中的另一方变换为用于向外部存储器保存的跟踪数据；存储器调停电路，对于外部存储器的公共存储器区域保存公共数据，对于外部存储器的与公共存储器区域不同的跟踪存储器区域保存跟踪数据，在从外部输入了空的情况下，不进行跟踪数据向跟踪存储器区域的保存。
外部存储器高速串行总线跟踪存储器公共存储器并行数据串行数据跟踪数据保存信号控制电路公共数据数据变换电路调停电路跟踪电路数据保存外部装置存储器总线劣化转送收发外部通信

[发明专利]用于处置虚拟化环境中的过量使用的存储器的物理页跟踪-CN202010218218.X在审
发明人： V.C.巴希尔吉;T.E.奥普费曼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：用于计算机存储器管理的系统包括：存储器池表，表中的每个存储器池表示通过共同属性而相关的存储器页，并且每个存储器池与虚拟机索引相关联；每页跟踪表，每页跟踪表中的每个条目用于将存储器页与存储器池表的虚拟机索引相关；以及处理电路，用于：扫描每页跟踪表中的每个条目，并且对于每个条目：确定在与该条目相关的存储器页被交换的情况下释放的存储器的量；以及聚合用于与存储器页相关的相应虚拟机的存储器的量，以使用相应虚拟机索引来产生每虚拟机存储器聚合，存储器页与每页跟踪表中的条目相关；以及输出针对与每页跟踪表中的存储器页相关的虚拟机的每虚拟机存储器聚合。
用于处置虚拟环境中的过量使用存储器物理跟踪

[发明专利]存储器器件及其形成方法-CN202310417648.8在审
发明人：洪显星 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储器器件。在一个方面，存储器器件包括耦合到字线的存储器单元的组，以及耦合到跟踪字线和跟踪位线的跟踪单元。在一个方面，存储器器件包括耦合到跟踪字线的跟踪升压器电路。在一个方面，跟踪升压器电路被配置成升压施加于跟踪字线的第一脉冲的第一边缘。在一个方面，跟踪单元被配置成响应于具有升压的第一边缘的第一脉冲，在跟踪位线上生成第二脉冲。在一个方面，存储器器件包括字线控制器，该字线控制器被配置为基于第二脉冲将第三脉冲施加于字线。本申请还公开了形成存储器器件的方法。
存储器器件及其形成方法

[发明专利]用于收集冷页的装置、方法和系统-CN201980093104.2在审
发明人：卓秋旭;A·勒克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：一种用于高效地标识并跟踪冷存储器页的装置。装置包括：存储器，用于存储存储器页；一个或多个处理器核，用于通过发布对存储器的访问请求来访问存储在存储器中的存储器页；以及页索引位映射，用于跟踪由一个或多个处理器核作出的、对存储在存储器中的存储器页的访问被跟踪的访问能够用于标识不频繁地被访问的存储器页，其中，不频繁地被访问的存储器页从存储器移除，并被存储在次级存储中。
用于收集装置方法系统

[发明专利]用于阈值电压变动系统及方法的存储器循环跟踪-CN202111213354.0在审
发明人： H·吉杜图里 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本申请案涉及用于阈值电压变动系统及方法的存储器循环跟踪。存储器系统可包含用于存储逻辑数据的多个存储器单元及用于跟踪与所述存储器单元相关联的循环数目的循环跟踪电路系统。所述循环可表示所述存储器单元的一或多个过去存取。所述存储器系统还可包含用于存取所述存储器单元的控制电路系统。对所述存储器单元的存取可包含读取操作、写入操作或两者。在所述存储器单元的所述存取期间，所述控制电路系统可至少部分基于所述被跟踪循环数目确定所述存取的电压参数。
用于阈值电压变动系统方法存储器循环跟踪

[发明专利]静态随机存取存储器装置-CN202210409553.7在审
发明人：李仁学;白尚叶;朴永焕;崔在圣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：公开了静态随机存取存储器(SRAM)装置。根据本公开的示例实施例，所述SRAM装置的控制逻辑可包括与用于跟踪存储器单元阵列的列的数量和存储器单元阵列的行的数量的金属线连接的跟踪电路。通过跟踪电路，存储器单元阵列的字线的长度和存储器单元阵列的位线的长度可被跟踪。所述SRAM装置的控制逻辑可基于跟踪电路的一个或多个跟踪结果来生成针对存储器单元阵列的尺寸进行优化的控制脉冲。
静态随机存取存储器装置

[发明专利]包括存储器芯片共享通道的存储系统和存储模块-CN202111411528.4在审
发明人：金雄来 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括存储器芯片共享通道的存储系统和存储模块。所述存储系统包括：多个存储器芯片，每个存储器芯片包括多个存储体，并且每个存储器芯片适于通过对存储体之中的选中的存储体的行锤击风险进行跟踪来生成跟踪地址、使用加密密钥对跟踪地址进行加密以将跟踪信息输出到多个数据总线中的对应的数据总线、以及根据通过命令/地址总线发送的行锤击地址来执行目标刷新操作；以及存储器控制器，该存储器控制器适于收集通过多个数据总线发送的针对存储体的跟踪信息，以生成行锤击地址并将该行锤击地址输出到命令/地址总线。
包括存储器芯片共享通道存储系统存储模块

[发明专利]阈值电压漂移跟踪系统和方法-CN202111036953.X在审
发明人： H·吉杜图里 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及阈值电压漂移跟踪系统和方法。一种系统可包含用以存储逻辑数据的多个存储器单元、用以跟踪自从特定存储器单元的前一存取以来的时间的年龄跟踪电路系统，和用以存取所述存储器单元的控制电路系统。此类存取可包含所述存储器单元的读取操作、到所述存储器单元的写入操作或这两者。所述控制电路系统可至少部分地基于自从所述存储器单元的所述前一存取以来的所跟踪时间确定所述存储器单元的电参数。
阈值电压漂移跟踪系统方法

[发明专利]在跟踪重放期间存储器值的有效检索-CN201880009735.7有效
发明人： J·莫拉 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G06F11/34 文献下载
摘要：在重放期间保持存储器值包括识别跟踪部分，每个跟踪部分表示实体在一段时间内执行的事件。在多个处理单元处执行跟踪部分的并行重放。在执行并行重放时，维持对应于每个跟踪部分的持久性数据结构。这包括对于每个跟踪部分，在跟踪部分的持久性数据结构中存储处理单元在重放跟踪部分时所消耗的每个存储器地址以及存储在每个存储器地址处的最近存储器值的记录。在重放期间返回存储器值包括识别相关的持久性数据结构，并且依次基于定义排序搜索这些数据结构。当在搜索期间识别出相关存储器地址时，停止搜索并返回在储器地址处被关联的、存储在持久性数据结构中的值。
跟踪重放期间存储器有效检索

[发明专利]无序存储器请求跟踪结构和技术-CN202110244828.1在审
发明人： M·A·费特曼;M·格布哈特;S·加德雷;M·哈延加;S·海因里希;R·扬德雅拉;R·马达范;O·帕兰杰佩;J·罗伯逊;J·舍特米勒 -专利权人：辉达公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G06F12/0846 文献下载
摘要：本申请涉及无序存储器请求跟踪结构和技术。在流式高速缓存中，采用了多个动态大小的跟踪队列。请求跟踪信息分布在多个跟踪队列中，以有选择地启用无序存储器请求返回。动态控制的策略将未决请求分配给跟踪队列，例如在某些情况下和/或为某些流量提供有序存储器返回，在其他情况下和/或为其他流量提供无序存储器返回。
无序存储器请求跟踪结构技术

[发明专利]一种技术研发同步跟踪信息分析系统与跟踪信息分析方法-CN201711244848.9在审
发明人：张岩;刘波;黄甜甜;李朋;赵然;杨亚杰;田甜;吴桐;姚鹏飞 -专利权人：中科钢研节能科技有限公司;国宏华业投资有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： G06Q10/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种技术研发同步跟踪信息分析系统，该项目获利核算的计算系统包括中央计算器、原材料信息存储器、研发成本信息存储器、人力成本信息存储器、研发过程信息存储器、竞争技术原材料信息存储器、竞争技术研发成本信息存储器、竞争技术人力成本信息存储器、同类技术案例信息存储器、还包括若干个调查终端。本发明还提供了一种技术研发同步跟踪信息分析方法，其包括，技术信息补全步骤、竞争技术技术信息补全步骤、本技术产品成本价计算步骤、本技术产品成本变化系数计算步骤、本技术研发完成周期计算步骤、本技术产品周期变化系数计算步骤、初步同步跟踪报告生成、初步同步跟踪报告置信分析步骤、根据置信度调整步骤、最终同步跟踪报告生成步骤。
一种技术研发同步跟踪信息分析系统方法

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