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[实用新型]一种非晶合金的高能量密度焊接系统-CN202121766120.4有效
发明人：王成勇;陈伟专;唐梓敏;丁峰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： B23K31/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及非晶合金焊接设备技术领域，尤其涉及一种非晶合金的高能量密度焊接系统，包括第一平台和第二平台，包括冷却装置和压辊能沿着第一非晶合金板与第二非晶合金板的焊接移动路径同步移动；温度传感器能沿着第一非晶合金板与第二非晶合金板的焊接移动路径而移动；高能量密度装置的喷头指向第一非晶合金板的焊接端与第二非晶合金板的焊接端之间的位置并能移动；主机系统根据温度传感器测量的温度来控制冷却装置、压辊和高能量密度装置的喷头的工作状态，该系统能快速准确地升温和快速冷却非晶合金焊接位以避免非晶合金晶化的问题
一种合金高能量密度焊接系统

[发明专利]一种放电等离子烧结制备非晶合金内部温度场的标定方法-CN202110134598.3有效
发明人：龚攀;丁华平;庄成康;王新云;金俊松;邓磊;张茂;唐学峰 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-01-31 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G01N25/12 文献下载
摘要：本发明属于非晶合金领域，更具体地，涉及一种放电等离子烧结制备非晶合金内部温度场的标定方法。首先将放电等离子烧结得到的块体非晶合金样品内部待标定温度场处切割为一系列非晶合金小样品，进行等温晶化处理，得到样品内部不同部位的晶化时间。对所用的非晶合金粉末在不同退火温度下进行退火‑等温晶化实验，得到退火温度与晶化时间函数关系式。将非晶合金样品内部不同部位的晶化时间代入该函数关系式，即可得到非晶合金样品内部不同部位烧结时保温阶段的温度分布。该方法利用非晶合金的独特热效应以及对热历史敏感的特点实现内部温度场的精确标定,可以得到SPS烧结制备的非晶合金样品内部任意部位的烧结温度。
一种放电等离子烧结制备合金内部温度场标定方法

[发明专利]一种非晶硅薄膜及一种半导体器件的制造方法-CN201510179485.X在审
发明人：肖天金;温振平;康俊龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶硅薄膜及一种半导体器件的制造方法，所述非晶硅薄膜的制造方法采用两步成膜工艺，第一步成膜阶段使用原子层沉积方式沉积晶粒较小和均匀性良好的第一非晶硅层，第二步成膜阶段在第一非晶硅层上沉积掺杂碳原子或氮原子的第二非晶硅层，在第二非晶硅层的晶格中掺杂碳原子或氮原子，可避免硅原子在第一非晶硅层的硅晶粒上连续沉积，进而得到晶粒尺寸较小的非晶硅薄膜。同时，所述半导体器件的制造方法，采用非晶硅薄膜的制造方法获得较小晶粒尺寸的非晶硅，以满足器件性能要求，尤其是较小晶粒尺寸的非晶硅用作虚拟非晶硅栅极后，可以在其去除后形成侧壁较为平整的沟槽，以改善后续金属栅的沉积形貌
一种非晶硅薄膜半导体器件制造方法

[发明专利]一种非晶合金的焊接工艺和块体非晶合金-CN202110876015.4在审
发明人：王成勇;陈伟专;唐梓敏;丁峰;甄铁城 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： B23K20/00 文献下载
摘要：本发明涉及非晶合金焊接技术领域，特别是涉及一种非晶合金的焊接工艺和块体非晶合金，该焊接工艺包括以下步骤，S1、清洁非晶合金板的表面；使加热板的板面温度达到待焊接的非晶合金的玻璃转变温度；S2、将两块清洁后的非晶合金板分别叠放在S1处理后的加热板的两个相对面上；S3、压合前退出加热板以，在气氛保护下将板面叠合的两块非晶合金板送入压合设备中热压合，制得焊接成型的非晶合金板；S4、采用两块S3制得的焊接成型的非晶合金板，将其重复S2～S3步骤，获得厚度增加的非晶合金板，该非晶合金的焊接工艺能在厚度方向上焊接成型块体非晶合金，且该焊接工艺具有容易操作的优点。
一种合金焊接工艺块体

[发明专利]一种用于大尺寸非晶合金的电焊接成型方法和块体非晶合金-CN202110893551.5在审
发明人：王成勇;王相煜;唐梓敏;甄铁城;陈伟专 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： B23K20/00 文献下载
摘要：本发明涉及非晶合金连接技术领域，具体涉及一种用于大尺寸非晶合金的放电焊接成型方法和电加热焊接成型方法，该放电焊接成型方法包括以下步骤，S1、采用第一非晶合金和第二非晶合金，在待焊接界面上加工出尖端微型结构；S2、使第一非晶合金的待焊接界面与第二非晶合金的待焊接界面相对并留有一定间距；S3、对所述第一非晶合金和所述第二非晶合金均施加磁场和连接放电系统；S4、开启放电系统，然后驱动所述第一非晶合金与所述第二非晶合金压合并施加压合压力，至第一非晶合金与第二非晶合金焊接成型，该放电焊接方法具有焊接速度快和焊接质量高的优点；该电加热焊接成型方法通过增加磁场控制以及辅助加热装置，提高了加热均匀度。
一种用于尺寸合金焊接成型方法块体

[发明专利]一种非晶产品的制备方法-CN202210079238.2在审
发明人：陈建新;朱旭光;李文浩;许夕;郭彦峰 -专利权人：东莞市逸昊金属材料科技有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： B22F3/093 文献下载
摘要：本发明提供了一种针对形成能力差的非晶合金产品的成型制备方法，包括：通过电弧熔炼将配制的合金熔炼成成份均匀的合金铸锭，然后通过真空感应甩带的方法将铸锭制成完全非晶合金薄带，再通过真空气流磨将非晶合金甩带制成非晶粉体，再通过低温热压方法将非晶粉体压制成非晶产品粗坯，再通过超声震荡颗粒之间相互摩擦焊接将非晶粉体焊接成一个整体，再通过超声震荡使过冷液相原子团产生共震，从而快速使焊接的块体体非晶软化变为半固态，半固态在压力作用下，填充焊接形成非晶块之间的缝隙的，得到完整致密的非晶产品。本发明提供的方法可用于高强度、高弹性的非晶小型零部件的制备，特别是非晶形成能力差的非晶合金的制备。
一种产品制备方法

[发明专利]一种硅异质结光伏电池及其制造方法-CN201811034073.7有效
发明人：管先炳 -专利权人：苏州元联科技创业园管理有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅异质结光伏电池及其制造方法，该方法包括以下步骤：对所述N型单晶硅片进行双面制绒处理；在所述N型单晶硅片的上表面依次沉积第一本征非晶硅层、第一P型非晶硅层、第二P型非晶硅层、第三P型非晶硅层、第四P型非晶硅层；接着在所述N型单晶硅片的下表面依次沉积第二本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、第二N型非晶硅层、第三N型非晶硅层以及第四N型非晶硅层；接着在所述第四P型非晶硅层上沉积第一透明导电层，接着在所述第四N型非晶硅层上沉积第二透明导电层；接着在所述第一透明导电层上沉积正面电极，并在所述第二透明导电层上沉积背面电极。
沉积透明导电层本征非晶硅层光伏电池硅异质结背面电极正面电极制绒处理上表面下表面制造

[发明专利]非晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法-CN201610601867.1有效
发明人：刘坤;姚文浩;邓文宇;陈树雷;王东阳;巴德纯 -专利权人：东北大学
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种非晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法，所述非晶硅薄膜太阳能电池由依次连接的柔性PET基片层、SiO2陷光层、第一电极TCO层、p型非晶硅层、p型缓冲层、i型非晶硅层、n型非晶硅层、第二电极TCO层和背反射层组成制备方法包括提供柔性PET基片层；在柔性PET基片层上依次沉积SiO2陷光层、第一电极TCO层、p型非晶硅层、p型缓冲层、i型非晶硅层、n型非晶硅层、第二电极TCO层和背反射层。本发明的非晶硅薄膜太阳能电池的光电转换效率达到10~14%，较现有的单节非晶硅薄膜太阳能电池的光电转换效率提高了3~8%，并有效防止本征层i型非晶硅层和n型非晶硅层受到污染，适于大批量生产。
非晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种非晶合金网、其制备方法及其在污水处理中的应用-CN201911263058.4有效
发明人：谢盛辉;解岳霖;林梓彬;曾燮榕 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶合金网、其制备方法及其在污水处理中的应用。一种非晶合金网包括：非晶合金网基底；以及固定在所述非晶合金网基底表面的铁硼化合物颗粒。所述非晶合金网的制备方法包括如下步骤：提供由铁粉及铁硼粉或纯硼粉制备的铁硼化合物颗粒，以及制作非晶合金网基底；将所述铁硼化合物颗粒转移到所述非晶合金网基底上，使得所述非晶合金网基底的每单位面积上附着有预定数量的铁硼化合物颗粒；对所述非晶合金网基底进行加热及加压处理，使得所述非晶合金网基底表面的铁硼化合物颗粒镶嵌到非晶合金网基底表面上。本发明制备的非晶合金网具有良好的污水处理能力，污水的降解效率高，成本低廉且可回收再利用。
一种合金制备方法及其污水处理中的应用

[发明专利]一种非晶合金件孔的加工方法-CN202010682408.7有效
发明人：张涛;王晓龙;胡小垒;高宽;杨洁丹;汤铁装;李卫荣;李扬德 -专利权人：东莞宜安新材料研究院有限公司;东莞市逸昊金属材料科技有限公司;东莞宜安科技股份有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： B22D17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种非晶合金件孔的加工方法，该非晶合金件孔的加工方法包括以下步骤：S1：在铸造模具中植入石墨棒：非晶合金件成型前，在铸造模具模腔内需要孔的位置预先植入对应尺寸的石墨棒；S2：非晶合金件压铸：在铸造模具内进行非晶合金件的压铸；S3：机械加工去除石墨棒：通过机械加工方法去除步骤S2中制备的非晶合金件中的石墨棒；S4：对所述非晶合金件进行清洗并且烘干。本发明的一种非晶合金件孔的加工方法，在非晶合金件的铸造模具中预先植入石墨棒，直接压铸成型，最后去除石墨棒从而使非晶合金件获得孔，该方法不必通过机加工的方式即可在非晶合金件上获得任意尺寸的孔，拓宽了非晶合金材料在微型轻薄结构件中的应用
一种合金加工方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示器件-CN202110935939.7有效
发明人：邹富伟;魏悦;唐霞 -专利权人：成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示器件，该制作方法包括：形成栅极、有源层、源极和漏极的图形；有源层包括：源极接触区域、漏极接触区域和位于源极接触区域和漏极接触区域之间的沟道区域，源极接触区域和漏极接触区域包括：层叠设置的非晶硅层和非晶硅掺杂层，非晶硅层和非晶硅掺杂层通过对一非晶硅薄膜的表面进行离子注入得到，其中，非晶硅薄膜的被离子注入的上层膜层形成非晶硅掺杂层，未被离子注入的下层膜层形成非晶硅层；沟道区域包括非晶硅层，沟道区域的非晶硅层与源极接触区域和漏极接触区域的非晶硅层相连本发明能够改善源漏电极和有源层之间的接触电阻，有利于非晶硅薄膜晶体管的性能的提高。
薄膜晶体管及其制作方法显示器件

[发明专利]一种梯度复合非晶铁基涂层及其制备方法-CN202110883412.4有效
发明人：王豫跃;牛强;张景纯;杨冠军;李长久 -专利权人：西安交通大学;西安重装铜川煤矿机械有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种梯度复合非晶铁基涂层及其制备方法，属于表面工程技术领域，包括冶金结合形成在基体表面的纯镍过渡层和冶金结合形成在纯镍过渡层表面的铁基非晶涂层，铁基非晶涂层的表面经激光后重熔处理后的非晶含量大于60％，纯镍过渡层的存在降低了由于铁基非晶合金和基体27simn之间由于线膨胀系数差导致的热应力，从而降低铁基非晶涂层的表面缺陷发生率，防止在铁基非晶涂层制备的过程中裂纹的产生，而且，采用激光后重熔技术对铁基非晶涂层表面进行处理，进一步消除表面缺陷提高非晶含量，从而实现提高铁基非晶涂层耐蚀性能的需求，解决传统铁基非晶涂层制备方法所存在的缺陷，能够有效解决铁基非晶合金涂层在制备过程中的开裂现象。
一种梯度复合非晶铁基涂层及其制备方法

[发明专利]一种激光辅助压轧大块非晶合金的系统和方法-CN202010473130.2有效
发明人：王成勇;唐梓敏;杨琮;郑李娟;杜策之;丁峰;陈伟专 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： B21B1/02 文献下载
摘要：本发明涉及了一种激光辅助压轧大块非晶合金的系统,包括压轧系统和激光系统。其中，压轧系统包括工作台和装夹压辊；两非晶合金装夹于所述工作台和装夹压辊之间；所述装夹压辊通过驱动沿所述工作台的一方向滚转平行移动以压轧两非晶合金形成大块非晶合金；激光系统，其与所述压轧系统联动连接且位于所述压轧系统的上方本发明提供的激光辅助压轧大块非晶合金的系统在非晶合金的过冷液相区完成工作时，非晶合金不会晶化，确保了压轧非晶合金前后材料的非晶态，非晶合金的性能不会受到影响，克服了传统的焊接方法带来的材料性能下降的缺点；本发明还提供一种使用该激光辅助压轧大块非晶合金的系统实现的激光辅助压轧大块非晶合金的方法。
一种激光辅助大块合金系统方法

[发明专利]一种非晶合金抗菌表面及其制造方法-CN202110318507.1有效
发明人：王成勇;杜策之;张涛 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明涉及医疗器械技术领域，特别是涉及一种非晶合金抗菌表面的制造方法，其包括以下步骤，S1：对非晶合金表面抛光；S2：用激光辐射S1抛光后的非晶合金表面，诱导出非晶合金微结构表面；S3：先用乙醇超声清洗S2制得的非晶合金微结构表面，然后用去离子水对非晶合金微结构表面进行清洗；S4：对S3清洗后的非晶合金微结构表面依次进行硝酸银溶液处理，过氧化氢溶液处理，无菌去离子浸泡；S5：先用乙醇超声清洗S4处理后的非晶合金微结构表面，然后用去离子水对非晶合金微结构表面进行清洗，制得非晶合金抗菌表面，该非晶合金抗菌表面的制造方法能有效制出结构抗菌与化学成分抗菌复合的能稳定杀菌的非晶合金抗菌表面。
一种合金抗菌表面及其制造方法

[实用新型]背接触异质结太阳电池-CN201620043004.2有效
发明人：包健;王栋良;舒欣;陈奕峰;杨阳;张学玲 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2016-01-16 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种背接触异质结太阳电池，包括硅基体层，其特征在于：在硅基体层的前表面依次设置前表面场和减反层，在硅基体层的背表面设置本征非晶硅钝化层，在本征非晶硅钝化层上间隔地设置有P型非晶硅层和N型非晶硅层，P型非晶硅层和N型非晶硅层上分别设置有透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上设置有电极，所述P型非晶硅层的厚度为5‑20nm，宽度为100‑1000μm，N型非晶硅层的厚度为5‑20nm，宽度为100‑1000μm，相邻的P型非晶硅层的中心点与N型非晶硅层的中心点间隔150‑3000μm，在所述P型非晶硅层与N型非晶硅层之间设置有绝缘隔离层。
接触异质结太阳电池