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[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201610956760.9在审
发明人：刘凤举 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法。所述薄膜晶体管的制造方法包括提供基板；在所述基板上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行热氧化，以使得所述非晶硅层的远离所述缓冲层的表面形成一层氮化硅层；对所述非晶硅层进行处理使其中的非晶硅转变为多晶硅，以使得所述非晶硅层转变为多晶硅层，并用包含氢离子的等离子体处理多晶硅的表面，使得氢离子与多晶硅中的硅原子悬空键结合；对所述氮化硅层进行蚀刻，使得蚀刻后的所述氮化硅层覆盖所述多晶硅层，以此不需要高温退火即可填补多晶硅中的硅离子悬空键，简化了工艺流程并防止了栅绝缘层在高温退火下发生剥落的问题。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]一种太阳能电池-CN201510082213.8有效
发明人：程实;胡传志 -专利权人：南通大学
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种太阳能电池，它包括顶电极、底电极、P型多晶硅和N型多晶硅，还包括P型非晶硅，P型多晶硅覆盖在N型多晶硅上，在P型多晶硅与N型多晶硅之间构成PN结，顶电极和底电极分别连接在P型多晶硅的上端面和N型多晶硅的下端面上，P型非晶硅覆盖在P型多晶硅及顶电极上，P型非晶硅与P型多晶硅之间构成同型异质结，P型非晶硅的厚度范围为0.01‑1μm。本发明利用顶层宽禁带的非晶硅薄膜作光吸收层与多晶硅衬底构成异质结，利用底层窄禁带的多晶硅作光吸收层，在多晶硅中形成PN结，两结共用P型多晶硅层，减少一个电池间的界面，避免了电池间界面对于电流的复合作用，太阳能电池的光电转换效率比单结多晶硅电池提高5‑10%。
一种太阳能电池

[发明专利]低温多晶硅阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示面板-CN201610717847.0在审
发明人：郝晓丹;殷婉婷 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示面板，所述制备方法包括：设置一基板，并在所述基板上形成缓冲层；采用气象沉积第一混合气体以及掺杂离子气体的方式，在所述缓冲层上形成掺杂的非晶硅薄膜层；采用气象沉积第二混合气体的方式，对所述非晶硅薄膜层进行去氢；对去氢后的所述非晶硅薄膜层进行退火处理，使参杂离子扩散，以形成多晶硅层；将所述多晶硅层图案化。能够有效降低低温多晶硅阵列基板制造的工艺，较少了制造设备的投入，进一步降低了制备成本。
低温多晶阵列制备方法以及显示面板

[发明专利]选择性多晶硅薄膜的钝化接触结构及其制备方法-CN201611117510.2有效
发明人：陈达明;崔艳峰;陈奕锋;杨阳 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性多晶硅薄膜的钝化接触结构，在晶体硅表面制备有一层厚度<2 nm 的二氧化硅层，在二氧化硅层表面制备掺杂多晶硅薄膜，所述掺杂多晶硅薄膜在无金属接触区域具有第一厚度，在有金属接触区域具有第二厚度，且第一厚度小于第二厚度，在多晶硅薄膜的第二厚度区域表面形成金属电极。同时，本发明还公开了一种制备上述选择性多晶硅薄膜的钝化接触结构的方法。本发明使传统的丝网印刷技术能够和钝化接触技术有效地结合在一起，有利于将钝化接触技术推向量产，同时，有效地提高太阳电池的效率。
选择性多晶薄膜钝化接触结构及其制备方法

[发明专利]调整低温多晶硅晶体管阀值电压的方法-CN201310109382.7有效
发明人：孙鲁男 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种调整低温多晶硅薄膜晶体管阀值电压的方法，其属于低温多晶硅技术领域，N型多晶硅应用于LTPS产品中，LTPS产品中包括N型多晶硅和P型多晶硅；N型多晶硅由下至上依次包括基板层，SiOx层，SiNx层以及金属层和光刻胶，基板层为A型硅层；其中，控制N型多晶硅阀值电压的调整方法具体包括：步骤1，刻蚀金属层和SiNx层，并过刻蚀少量的SiOx层；步骤2，过刻蚀金属层，并刻蚀掉部分SiOx层，SiOx层不被刻蚀吃穿；上述技术方案的有益效果是：增加离子的物理碰撞作用，从而刻蚀掉更多的SiOx层，增加N+离子的掺杂量，从而控制Vth增加电流的稳定性。
调整低温多晶晶体管电压方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜的制备方法-CN201310182928.1在审
发明人：彭思君;吴建宏;刘冲;严晓龙 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温多晶硅薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上制备非晶硅层；采用等离子体工艺于所述非晶硅层上制备氧化硅层；对所述非晶硅层进行激光多晶硅化工艺。本发明中通过采用等离子体增强化学气相沉积工艺对低温多晶硅薄膜的制备过程中的氧化硅薄膜进行制备，提高了氧化硅薄膜的整体均匀度，同时也具有较佳的表面粗糙度。
低温多晶薄膜制备方法

[发明专利]具多晶硅层及微晶硅层的双底材主动层结构、方法及装置-CN200810074096.0有效
发明人：刘侑宗;李淂裕 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2008-02-25 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明是关于具多晶硅层及微晶硅层的双底材主动层结构、方法及装置，所述的具多晶硅层及微晶硅层的双底材主动层结构包含：一基板；一微晶硅层，形成于所述的基板上方一显示区域中，所述的微晶硅层供做所述的显示区域中复数个薄膜晶体管的主动层；及一多晶硅层，形成于所述的基板上方一驱动电路区域中，所述的多晶硅层供做所述的驱动电路区域中复数个薄膜晶体管的主动层，其中所述的微晶硅层的晶粒大小小于所述的多晶硅层的晶粒大小。
多晶微晶硅层双底材主动结构方法装置

[发明专利]结晶硅薄膜半导体器件,光电器件及前者的制造方法-CN01140772.7无效
发明人：冈史人;松村信一;皆川康 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2001-08-25 - 公布日： 2003-04-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：玻璃衬底上设透明电极，透明电极上设非晶硅层。设置镍层作金属催化剂元素，金属催化剂元素与非晶硅层表面接触，之后，热处理非晶硅层使其结晶，由此形成P型多晶硅层。该多晶硅层有晶体取向和高结晶度。用该多晶硅层作籽晶形成有晶体取向和高结晶度的P_型多晶硅层。并在多晶硅层上顺序形成i_型和n_型多晶硅层。用上述结构，能制成有结晶硅的高结晶度，晶体取向，优良性能和高生产合格率的结晶硅薄膜半导体器件。
结晶薄膜半导体器件光电器件前者制造方法

[发明专利]一种判别多晶硅薄膜无序度的方法-CN201310205292.8无效
发明人：王权;邵盈;张艳敏;毛伟;胡然;刘小颖;闫超 -专利权人：江苏大学
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅薄膜，特指一种判别多晶硅薄膜无序度的方法，用激光拉曼普仪测试多晶硅薄膜的拉曼光谱，获得多晶硅薄膜拉曼散射峰的频移值和半高宽，计算多晶硅薄膜的无序度。本发明对薄膜没有任何损坏，属于半导体薄膜材料领域。
一种判别多晶薄膜无序方法

[发明专利]电容式压力传感器及其制造方法-CN201210039207.0有效
发明人：李刚;胡维 -专利权人：苏州敏芯微电子技术有限公司
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明揭示了一种可以用于压力测量的电容式压力传感器及其制造方法，该制造方法利用表面硅微细加工工艺，在硅衬底上淀积氧化硅牺牲层，随后在牺牲层上淀积多晶硅薄膜来作为压力敏感膜。通过多晶硅敏感膜上开的牺牲层释放孔将牺牲层部分腐蚀掉形成电容间隙。而多晶硅敏感膜上的牺牲层释放孔则又通过再次淀积多晶硅薄膜进行填充，从而形成密封腔体。最后，将多晶硅敏感膜上再次刻蚀出导气孔，并通过物理气相淀积(PVD)的方法用金属将此导气孔密封，从而在密封腔体内形成真空。
电容压力传感器及其制造方法

[实用新型]SCB集成纳米含能复合薄膜的电爆换能元-CN201520191552.5有效
发明人：沈瑞琪;刘增军;朱朋;叶迎华;吴立志;胡艳 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2015-04-01 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： F42B3/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SCB集成Al/M_xO_y纳米含能复合薄膜的电爆换能元，由下向上依次包括Si基底、SiO₂绝缘层、N型重掺杂多晶硅桥、金属焊盘、Al/M_xO_y氧化物纳米复合薄膜，Si基底的上表面有SiO₂绝缘层，SiO₂绝缘层上表面沉积生长一层N型重掺杂多晶硅层，N型重掺杂多晶硅层的中间部分刻蚀形成N型重掺杂多晶硅桥，N型重掺杂多晶硅桥两侧的N型重掺杂多晶硅层上表面均设置金属焊盘，N型重掺杂多晶硅桥的桥区上方覆盖Al/M_xO_y氧化物纳米复合薄膜，所述Al/M_xO_y氧化物纳米复合薄膜的底层为M_xO_y薄膜，M_xO_y薄膜和Al薄膜由下至上交替分布，且M_xO_y薄膜和Al薄膜的厚度均为纳米级。
scb 集成纳米复合薄膜电爆换能元

[发明专利]结晶用掩模、结晶方法及包括该结晶方法的制造薄膜晶体管阵列面板的方法-CN200410094884.8有效
发明人：李秀卿;金县裁;姜明求 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-11-19 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，首先，在绝缘基片上形成非晶硅薄膜，通过利用具有透射区域狭缝的多晶硅掩模局部照射激光束的连续结晶工序将非晶硅薄膜结晶为多晶硅薄膜。接着，通过利用由半透射层组成狭缝以调整激光束能量的掩模的连续结晶工序，再结晶多晶硅薄膜表面。接着，制作多晶硅薄膜布线图案形成半导体层，形成覆盖半导体层的栅极绝缘层后，在半导体层栅极绝缘层上形成栅极。接着，向半导体层注入杂质，以栅极为中心两侧形成源极及漏极区域，分别形成分别与源极及漏极区域电连接的源极及漏极，然后形成与漏极连接的像素电极。
结晶用掩模方法包括制造薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池及其制法-CN201110089358.2无效
发明人：刘莹 -专利权人：刘莹
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法，其结构为：以超白玻璃为衬底，其上设一层起阻挡钝化作用的薄膜，薄膜上方设一层多晶硅薄膜，其上设栅状或者梳状PN结，最上方设与PN结形状相适配的引出电极其制备步骤为：清洁玻璃衬底，依次在其上以真空镀膜方式镀阻挡钝化层薄膜，以液相外延或者真空镀膜方式镀制多晶硅薄膜，然后通过热扩散、离子注入、激光掺杂等方式在多晶硅薄膜上制备栅状或梳状PN结，最后印刷引出电极同时，多晶硅层容易做得很薄，容易实现大规模生产。
一种单面电极多晶薄膜太阳能电池及其制法

[发明专利]一种铝栅半导体器件及其制造方法-CN201110275321.9有效
发明人：谭灿健;李如东;谭志辉 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种铝栅半导体器件及其制造方法，该方法，包括：向衬底内注入硼杂质，形成硼P阱区，所述P阱区的结深满足铝栅半导体器件的预定结深要求；在所述P阱区的上表面生长薄膜氧化层；在所述薄膜氧化层上生长多晶硅，并进行掺杂后，形成多晶硅层，所述多晶硅层的杂质浓度满足预定电阻值要求；在所述多晶硅层上生长金属层；在所述金属层上覆盖绝缘层。使用本发明实施例提供的铝栅半导体器件及其制造方法，通过使用多晶硅电阻代替原P阱型电阻，使得P阱的浓度满足铝栅半导体器件的功能参数要求，多晶硅电阻满足铝栅半导体器件的电阻要求。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]阵列基板及其制备方法和显示装置-CN202010818689.4在审
发明人：方业周;李峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种阵列基板，包括：衬底基板以及位于衬底基板上同一侧的多晶硅薄膜晶体管和非晶硅薄膜晶体管，所述衬底基板划分有显示区域和位于所述显示区域周边的周边区域，所述多晶硅薄膜晶体管位于所述周边区域，所述非晶硅薄膜晶体管位于所述显示区域；所述多晶硅薄膜晶体管包括：多晶硅半导体图形和位于多晶硅半导体图形远离所述衬底基板一侧的第一栅极；所述非晶硅薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，包括：非晶硅半导体图形和位于所述多晶硅半导体图形靠近所述衬底基板一侧的第二栅极；所述第一栅极与所述第二栅极同层设置。
阵列及其制备方法显示装置