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[发明专利]外延工艺方法-CN201911162959.4有效
发明人：涂火金;刘厥扬;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延工艺方法，两次以上的子外延层生长工艺，在最顶层子外延层之前的各子外延层的所述子外延层生长工艺完成之后还包括气体清洗工艺，用于将对应的子外延层生长工艺的残余工艺气体去除，之后再进行外延生长工艺参数切换并进行下一次子外延层生长本发明能防止残余工艺气体在生长工艺参数切换过程中产生缺陷，从而能在多次子外延层生长工艺中防止缺陷产生。
外延工艺方法

[发明专利]外延层的制备剥离方法及半导体器件制备方法-CN202111643318.8在审
发明人：常娟雄;黄永;汪琼;陈财;刘晓磊;邵语嫣;程晨言;王宇轩;李梹激;许琦辉;王霄;杨旭豪 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了外延层的制备剥离方法及半导体器件制备方法，其中的外延层的制备剥离方法，包括如下步骤：提供一衬底，并在衬底上依次采用第一生长工艺和第二生长工艺生长牺牲层；牺牲层包括第一生长工艺下生长的孔洞部和第二生长工艺下生长的平整部；在平整部上生长外延层；使用刻蚀液刻蚀牺牲层，将外延层从衬底上剥离；刻蚀液可进入孔洞部内的孔洞中进行刻蚀。通过执行本发明中的方法，在采用刻蚀液(湿法刻蚀)进行外延层剥离解决激光剥离影响外延层和衬底质量的问题的同时，保证该方法中的外延层剥离效率。
外延制备剥离方法半导体器件

[发明专利]一种外延生长工艺调优方法-CN202310635958.7在审
发明人：黄宋平;张斌;林志鑫;余航波 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长工艺调优方法，包括：S1：提供多个实验片，并测量各所述实验片的平坦度数据；S2：对多个所述实验片分别在不同工作参数下生长外延层，并测量各所述实验片生长外延层后的平坦度数据；S3：计算各所述实验片生长外延层前后平坦度数据的差值，并将使得生长外延层前后平坦度数据的差值最小的工作参数作为所述外延生长工艺调优方法当前的最优工作参数。采用本发明提供的外延生长工艺调优方法，使得无需工艺人员现场观察每片基片的形变并做调整直至最佳工艺设定，节省了人力和时间。
一种外延生长工艺方法

[发明专利]在半导体基底上同时生长单晶和多晶的方法-CN201210181336.3有效
发明人：刘继全;高杏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅基底上同时生长单晶硅和多晶硅的方法，包括步骤：在硅基底上依次生长二氧化硅掩蔽层和多晶硅籽晶层；采用光刻刻蚀工艺在硅基底上刻蚀出单晶硅生长区域；采用外延生长工艺在单晶硅生长区域内生长单晶硅、同时在多晶硅生长区域内生长多晶硅。本发明的外延生长工艺中，通过使生长温度设置在较低值，能降低多晶硅的表面的粗糙度；以及通过调整外延生长工艺中的压强，能使多晶硅和单晶硅的外延生长速率相同，从而能使外延生长后硅基底表面平整，提高硅基底的表面平整度
半导体基底同时生长多晶方法

[发明专利]硅外延生长方法及半导体结构-CN201910842905.6在审
发明人：宋洋;马雁飞;叶康 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅外延生长方法及半导体结构，通过在侧墙侧的半导体衬底中形成开口，将所述开口作为硅生长窗口；在所述开口中进行硅外延生长工艺，形成硅外延层。使得在硅外延生长工艺时，硅外延层能够位于所述开口中，能够灵活的控制硅外延生长的厚度，从而给后续工艺提供更加宽的制程窗口；进一步的，由于硅外延层能够在所述开口中均匀生长，能够提供一定的拉应力或压应力。
硅外延开口硅外延层生长半导体结构后续工艺生长窗口拉应力灵活的压应力侧墙衬底制程半导体

[发明专利]沉积半导体合金之前通过减少图案化不均匀性减少阈值调整半导体合金的厚度变化-CN201080014774.X有效
发明人： S·克朗霍尔兹;A·瑙曼;G·比尔宁克 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2010-01-27 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在执行选择性外延生长工艺之前，可通过执行等离子体辅助蚀刻工艺，提高用于沉积阈值调整半导体合金(如硅/锗合金)的选择性外延生长工艺的生长率。例如，等离子体辅助蚀刻工艺的基础上可图案化掩膜层，从而同时在随后的生长工艺期间提供优良的器件构形。因此，可沉积具有加强的厚度均匀性的阈值调整材料，从而减少整体阈值的可变性。
沉积半导体合金之前通过减少图案不均匀阈值调整厚度变化

[发明专利]半导体衬底及形成方法-CN201280032113.9有效
发明人： J-P·福里;B·博蒙 -专利权人：圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种形成用于电子器件的半导电衬底材料的方法包括在反应室中的连续生长工艺期间在衬底上形成多个半导电层，其中在连续生长工艺期间，通过改变连续生长工艺期间的至少一个生长工艺参数在基层和外延层之间形成释放层。
半导体衬底形成方法

[发明专利]外延晶片的制造方法-CN201780023720.1有效
发明人：吉冈翔平 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：外延晶片的制造方法包括准备工艺和生长工艺。在准备工艺中，准备掺杂有红磷的低电阻率基板W。基板W中添加5×1019atoms/cm³以上的磷作为掺杂剂。在生长工艺中，在1040℃以上且1130℃以下的温度下，以2μm/min以下的生长速度，在基板W上生长外延层。由此，提供一种可以抑制积层缺陷的外延晶片的制造方法。
外延晶片制造方法

[发明专利]一种外延结构生长工艺的监控方法-CN201710772393.1在审
发明人：颜元;程媛;李冠男;丁滔滔;王家友 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种外延结构生长工艺的监控方法，在测试晶片上形成通孔，分别获得外延结构生长前和外延结构生长之后的通孔的深度，二次深度之差即为外延结构的实际厚度，通过测量两次通孔的深度，起到监控外延结构生长的目的该方法中，采用离线的方式对3D NAND存储器中外延结构的生长进行监控，可以定期进行该监控，通过外延结构的厚度反应生长工艺是否异常，及时反馈结构的工艺情况，有利于提高生产的稳定性和产品的良率。
一种外延结构生长工艺监控方法

[发明专利]一种硅锗选择性外延生长工艺及FinFET结构的形成方法-CN202310371825.3在审
发明人：三重野文建 -专利权人：顾赢速科技（合肥）有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/161 文献下载
摘要：本申请提供一种硅锗选择性外延生长工艺及FinFET结构的形成方法，所述硅锗选择性外延生长工艺包括：对半导体衬底表面执行预处理工艺；采用不含氯元素的硅源和锗源作为反应物，采用卤素化合物作为催化物，仅在所述半导体衬底表面形成硅锗外延层本申请提供一种硅锗选择性外延生长工艺及FinFET结构的形成方法，采用不含氯元素的硅源和锗源作为反应物，可以在形成外延源漏时避免损害器件，从而提高器件可靠性。
一种选择性外延生长工艺 finfet 结构形成方法

[发明专利]硅锗外延层的生长方法-CN202310916137.0在审
发明人：周康;王勇;杨德明;赵正元;张守龙;孙伟虎 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅锗外延层的生长方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有STI结构，该衬底用于集成的器件包括HBT器件和CMOS器件；通过外延生长工艺在衬底上依次生长至少两层缓冲层，除最后一次生长缓冲层外，每生长一层缓冲层后进行烘烤处理以改善缓冲层的平整度，缓冲层包括硅外延层；通过外延生长工艺在至少两层缓冲层上生长硅锗外延层。本申请通过在Bi‑CMOS器件的制作工艺中，在衬底中形成STI结构之后，通过外延生长工艺在衬底上依次生长至少两层缓冲层，除最后一次生长缓冲层外，每生长一层缓冲层后进行烘烤处理以改善缓冲层的平整度，进而生长硅锗外延层，从而能够降低硅锗外延层的粗糙度，在一定程度上提高了器件的可靠性和良率。
外延生长方法

[发明专利]外延生长工艺方法-CN201510148323.X在审
发明人：李伟峰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延生长工艺方法，步骤包括：1)在晶圆衬底上，形成光刻标记；2)生长外延；3)在步骤2)生长的外延上，利用前一次形成的光刻标记做对准，进行光刻工艺，形成新的光刻标记；4)重复步骤2)～3)，直到外延的厚度达到所需要的厚度。本发明通过将一次EPI工艺分成两次以上的EPI工艺，并在分次的EPI工艺中加入光刻工艺，即一次EPI后做一次光刻标记的工艺，使最后一次EPI后仍能得到较好的光刻标记，从而维持了后续光刻工艺的稳定性和准确性
外延生长工艺方法

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN200810173000.6有效
发明人：廖晋毅;简金城 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2008-10-29 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置的制作方法，首先提供设置有至少一栅极的基底，于该栅极旁形成至少一凹槽，进行第一选择性外延生长工艺，于该凹槽内形成第一外延层。随后进行蚀刻工艺，移除部分该第一外延层至暴露出该基底。进行第二选择性外延生长工艺，于该第一外延层上形成第二外延层。
半导体装置制作方法

[发明专利]沟槽的外延填充方法-CN201710734116.1在审
发明人：伍洲 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽的外延填充方法，包括如下步骤步骤一、形成沟槽；步骤二、进行第一次外延生长工艺并控制工艺时间使形成的外延层在沟槽中间形成一未封闭的狭缝；步骤三、通入HCL进行外延层刻蚀，HCL会流入到狭缝中并对狭缝两侧和底部的外延层进行刻蚀，随着狭缝的深度增加HCL流入的量越少刻蚀速率越慢并使刻蚀后的狭缝的宽度变大并形成有利于外延填充的宽度呈随深度的增加而减小的结构；步骤四、进行第二次外延生长工艺对狭缝进行外延填充；利用狭缝的宽度呈随深度的增加而减小的结构使第二外延生长工艺中工艺气体顺利达到狭缝的底部从而实现无空洞填充
沟槽外延填充方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510733415.4有效
发明人：乔治斯·威廉提斯;马丁·克里斯多夫·霍兰德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：制造半导体器件的方法可以包括：在绝缘层中形成开口以暴露衬底的主要表面的部分，该衬底包括第一半导体材料；使用第一外延生长工艺在开口中形成突出件，该突出件包括设置在开口中的第一部分和延伸出开口的第二部分，该突出件包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料；以及使用与第一外延生长工艺不同的第二外延生长工艺在突出件的第二部分的侧壁上形成第二半导体材料。
半导体器件及其制造方法

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