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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]外延片-CN201310523009.6在审
发明人：姜石民 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所公开的是一种外延片，包括衬底以及设置在所述衬底上的外延结构，其中所述外延结构包括第一外延层、设置在所述第一外延层上的第二外延层，以及设置在所述第一外延层与所述第二外延层之间的第三外延层，所述第三外延层在与所述第一外延层邻近的第一边界的周围具有第一掺杂浓度，并且在与所述第二外延层邻近的第二边界的周围具有不同于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。
外延

[发明专利]外延片-CN201310520811.X在审
发明人：姜石民;金知慧 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：所公开的是一种外延片，包括衬底和设置在所述衬底上的外延结构，其中所述外延结构掺杂有n-型或p-型掺杂物并且具有10%或更小的掺杂均匀度。
外延

[实用新型]外延片-CN202222315399.5有效
发明人：邢琨;杨波;解光侠 -专利权人：珠海庞纳微半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供外延片。外延片包括衬底、缓冲层、掩膜层、及外延层。缓冲层设有第二通孔。掩膜层具有多个与第二通孔连通的第一通孔。当外延层位于第二通孔内时，外延层的生长方向垂直于衬底与缓冲层的排列方向；当外延层位于第一通孔内时，外延层的生长方向平行于衬底与缓冲层的排列方向；当外延层位于掩膜层背离衬底一侧时，外延层在平行于及垂直于衬底与缓冲层的排列方向同时生长本申请通过设置具有第一通孔的掩膜层，及在缓冲层设置连通第一通孔的第二通孔，通过使外延层进行横/纵/横外延，降低了外延层的晶体缺陷密度，提高外延层的晶体质量。
外延

[实用新型]外延片-CN202222438844.7有效
发明人：苏军 -专利权人：远山新材料科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本申请公开外延片，属于GaN基HEMT外延片技术领域，其中外延片包括蓝宝石衬底层以及依次设置在所述蓝宝石衬底层上的AlN薄膜层、低温AlN层、高温AlN层、不掺杂GaN层、AlN层和AlGaN层，其中所述本申请提供的外延片及其生长方法能够有效提升GaN晶体质量，增加GaN表面的平整度，从而增强AlGaN和GaN间的极化效应和减少界面散射，达到增加二维电子气浓度和迁移率，实现降低导通电阻的目的。
外延

[发明专利]外延片的制造方法及外延片-CN202080092094.3在审
发明人：铃木克佳;铃木温 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种外延片的制造方法，其为在由包含硅的IV族元素构成的晶圆上形成单晶硅层的外延片的制造方法，其包括：在含氢气氛下，去除所述由包含硅的IV族元素构成的晶圆表面的自然氧化膜的工序；在去除所述自然氧化膜之后，使所述晶圆氧化，从而形成氧原子层的工序；及在形成所述氧原子层之后，使单晶硅在所述晶圆表面进行外延生长的工序，并且在该制造方法中，将所述氧原子层的氧的平面浓度设为4×1014外延层，并具有优质单晶硅的外延层的外延片的制造方法。
外延制造方法

[发明专利]外延片的评价方法和外延片-CN201710066380.2有效
发明人：森敬一朗;长泽崇裕 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2017-02-06 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种能够高灵敏度地检测外延片的缺陷·异物的新的评价方法。该评价方法是使用具有入射系统和受光系统的激光表面检查装置对外延片进行评价的方法。使入射光从一个入射系统向外延层的表面入射，该入射光通过被外延层的表面反射或散射而放射，第一受光系统接收放射光而获得测定结果1，第二受光系统接收该放射光而获得测定结果2，第三受光系统接收该放射光而获得测定结果3，通过基于测定结果1、测定结果2和测定结果3，将从由存在于外延层的表面的外延层起因缺陷和非外延层起因异物组成的群中所选择的异常类作为亮点来检测，进行外延片的评价，第一受光系统、第二受光系统和第三受光系统的受光角和偏振光选择性中的至少一个彼此不同
外延评价方法

[发明专利]红光LED外延片、LED外延片的分割方法及LED外延片结构-CN201911157666.7有效
发明人：刘召军;吴国才;莫炜静;于海娇 -专利权人：深圳市思坦科技有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了红光LED外延片、LED外延片的分割方法及LED外延片结构。一种红光LED外延片的分割方法，包括：在红光LED外延片的至少两个第一位置上涂覆保护层；将涂覆保护层之后的红光LED外延片进行氧化处理以在第二位置形成氧化分割层以将所述红光LED外延片分割成至少两个红光本发明的技术方案，通过在红光LED外延片的至少两个第一位置上涂覆保护层，然后氧化未涂覆保护层的第二位置以将红光LED外延片进行分割，解决了红光LED外延片分割成本高、损伤大的问题，达到了降低红光LED外延片分割成本和减小红光LED外延片分割损伤的效果。
红光 led 外延分割方法结构

[发明专利]外延片衬底、外延片及半导体器件-CN201110274044.X无效
发明人：顾昱;钟旻远;林志鑫 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延片衬底，其特征在于，在N型衬底掺杂有p型杂质原子。按照本发明技术方案生产的外延片，电阻率均匀性可以做到＜1.5％，可降低后续生产成本，提高产品品质。
外延衬底半导体器件

[发明专利]硅外延片-CN200810095543.0有效
发明人：保科祐章;田中纪通 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2004-05-21 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种硅外延片，具有单晶硅基片，形成于该单晶硅基片的背面的硅氧化膜，以及形成于上述单晶硅基片的主表面上的硅外延层，其特征是，从上述单晶硅基片的上述背面延续到该单晶硅基片的外周部的至少最外缘的外周氧化膜
外延

[发明专利]LED外延片-CN201310398798.5无效
发明人：刘树高;安建春 -专利权人：山东开元电子有限公司
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED外延片，包括依次叠加的衬底、GaN缓冲层、第一N-GaN接触层、第一多量子阱发光层、P-GaN接触层、N型电极和P型电极，所述P-GaN接触层另一面依次设有第二多量子阱发光层和第二
led 外延

[发明专利]LED外延片-CN201110451083.2无效
发明人：苗振林 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延片包括：依次叠置的衬底、氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、P型氮化镓层、透明导电层、P型电极和形成于经刻蚀的N型氮化镓层上的N型电极，还包括插入层，插入层介于氮化镓缓冲层与本发明提供的LED外延片主要利用纤锌矿III-Ns材料的自发极化和压电极化作用，在外延片内的异质界面上由大的极化差诱导产生高浓度的二维电子气，由于二维电子气具有高的电子浓度和高的迁移率，可以提高电子在N
led 外延

[实用新型]LED外延片-CN201320549195.6有效
发明人：刘树高;安建春 -专利权人：山东开元电子有限公司
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED外延片，包括依次叠加的衬底、GaN缓冲层、第一N-GaN接触层、第一多量子阱发光层、P-GaN接触层、N型电极和P型电极，所述P-GaN接触层另一面依次设有第二多量子阱发光层和第二
led 外延

[实用新型]LED外延片-CN201220325566.8有效
发明人：高耀辉;张昊翔;封飞飞;金豫浙;万远涛;李东昇;江忠永 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种LED外延片，该LED外延片包括：衬底；图形层，所述图形层具有纳米凸起图形，所述纳米凸起图形之间具有空隙间隔，所述图形层设置于所述衬底上；外延层，所述外延层设置在所述图形层上。本实用新型提供的LED外延片，可以能够提高外延层晶格质量，改善LED芯片出光效率，同时针对需要剥离的垂直结构的LED芯片，避免了使用价格昂贵的激光剥离设备，并且剥离面的质量得到保证。
led 外延

[实用新型]外延片托盘-CN202221060880.8有效
发明人：马爽;种涞源;韩景瑞;李云廷;丁雄傑;杨旭腾;李锡光 -专利权人：东莞市天域半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种外延片托盘，其包括基础盘以及可拆卸地卡接于基础盘的定位环，定位环上开设有贯穿其顶面以及底面的台阶孔，台阶孔的内壁依次形成第一内侧壁、第二内侧壁，第一内侧壁与定位环的顶面相交于第一边沿线该外延片托盘可以改善外延片的跳片、移位问题，并改善流场、浓度场的波动问题，从而提升外延质量和均匀性，并提高生产的稳定性及可靠性。
外延托盘

[实用新型]外延片取片器-CN201520201121.2有效
发明人：楼琦江 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外延片取片器，包括吸盘，所述的吸盘上具有容腔，所述的容腔具有开口，所述的容腔内开设有至少一个第一气孔，所述吸盘拿取外延片时容腔开口边缘贴靠在外延片上，且外延片密封容腔，所述的容腔开口边缘尺寸大于外延片且均覆盖外延片本实用新型吸盘边缘均覆盖外延片且尺寸大于外延片，拿取时覆盖外延片四周，边缘较硬的部分不会接触外延片，保证了外延片不会受伤害。
外延片取片器

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