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[发明专利]溶液淀积硫族化物薄膜-CN200410038606.0有效
发明人： D·B·米特兹 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-04-27 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：淀积金属硫族化物膜的方法。该方法的第一种包括：将至少一种金属硫族化物，肼化合物，以及可选的硫族元素相接触，制备金属硫族化物基前体溶液；将金属硫族化物基前体溶液施加到衬底上制成前体膜；将此前体膜退火，去除多余的肼和硫族化物盐，在衬底上制成金属硫族化物膜。第二种方法包括：将至少一种金属硫族化物和胺化合物的盐相接触，制备该金属硫族化物铵基前体；将金属硫族化物铵基前体，肼化合物，以及可选的硫族元素相接触，制备金属硫族化物在这种肼化合物中的基前体溶液；将金属硫族化物还提供使用金属硫族化物膜沟道层的薄膜场效应晶体管器件。
溶液淀积硫族化物薄膜

[发明专利]非易失性可调电阻器件和可编程存储单元的制造-CN02817020.2有效
发明人： K·A·坎贝尔;J·T·穆尔 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2002-08-28 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：在其上形成含硫族化物材料(22)。该硫族化物材料包括A_xSe_y，A优选的是Ge和Si。在该硫族化物材料上形成含银层(24)。照射银以有效断开在含银层和硫族化物材料的界面处的硫族化物材料的硫族化物键，并且将至少一些银扩散进入该硫族化物材料。在该照射之后，将该硫族化物材料外表面暴露于含碘的流体以有效降低在该暴露之前的硫族化物材料外表面的粗糙度。在该暴露之后，在该硫族化物材料上淀积第二导电电极材料(26)，其连续并且至少完全覆盖在硫族化物材料上，将该第二导电电极材料形成为该器件的电极。
非易失性可调电阻器件可编程存储单元制造

[发明专利]墨水、薄膜、电致发光二极管及制备方法、显示器件-CN202010314886.2在审
发明人：罗健;庄锦勇 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C09D11/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米金属硫族化合物墨水、纳米金属硫族化合物薄膜、电致发光二极管及制备方法、显示器件，该纳米金属硫族化合物墨水包括金属硫族化合物纳米材料和溶剂，金属硫族化合物纳米材料分散于溶剂中。该金属硫族化合物纳米材料包括金属硫族化合物纳米颗粒和金属硫族化合物纳米片。由该纳米金属硫族化合物墨水去除溶剂并经退火处理后可形成纳米金属硫族化合物薄膜，该薄膜作为电致发光二极管器件的电子传输层可有效减少漏电现象的发生，进而显著提升电致发光二极管器件的量子效率和发光效率。
墨水薄膜电致发光二极管制备方法显示器件

[发明专利]半导体元件制造方法-CN201711292073.2在审
发明人：林时彦;陈冠超;李嗣涔;潘正圣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;林时彦
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体元件制造方法，包括通过将等离子施加到多个金属二硫族化物膜，来等离子蚀刻设置在基板上的多个金属二硫族化物膜的一部分，此多个金属二硫族化物膜包含金属和硫族元素的化合物。在等离子蚀刻之后，将硫族元素施加到多个金属二硫族化物膜的剩余部分，以修复等离子蚀刻对多个金属二硫族化物膜的剩余部分的损伤。所述硫族元素是S、Se或Te。
硫族化物膜金属等离子蚀刻硫族元素半导体元件制造施加等离子基板损伤修复

[发明专利]短中红外波段通用的硫汞族胶体量子点同质结光伏探测器及其制备方法与应用-CN202210592122.9在审
发明人：陈梦璐;唐鑫;薛晓梦;罗宇宁 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明涉及一种短中红外波段通用的硫汞族胶体量子点同质结光伏探测器及其制备方法与应用，属于光电传感器技术领域。该探测器包括底电极、顶电极和本征硫汞族量子点层，还包括p型硫汞族量子点层和/或n型硫汞族量子点层；其中，本征硫汞族量子点层与p型硫汞族量子点层形成I‑P或P‑I同质结；本征硫汞族量子点层与n型硫汞族量子点层形成I‑N或N‑I同质结；p型硫汞族量子点层、本征硫汞族量子点层与n型硫汞族量子点层形成P‑I‑N或N‑I‑P同质结。
红外波段通用硫汞族胶体量子同质结光伏探测器及其制备方法应用

[发明专利]改性金属硫族化合物的制备方法及发光器件-CN201710940057.3有效
发明人：王宇;曹蔚然;李龙基 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明属于显示器件领域，提供了改性金属硫族化合物的制备方法及发光器件。本发明通过提供金属硫族化合物，将金属硫族化合物置于反应室中进行第一改性处理和第二改性处理，得到改性金属硫族化合物。在此制备过程中，第一改性处理通过充分的酸处理，减少了硫族元素的缺陷，并将与硫族元素缺陷态结合的电荷释放出来，同时清除硫族化合物中的氧物种(oxygen species)，进而获得更纯净的金属硫族化合物；第二改性处理通过硫醇处理使硫族元素缺陷态和硫醇以共价键的形式进行化学吸附，将硫族元素表面剩余的缺陷消除到最小；由此获得具有较高电荷传输效率的改性金属硫族化合物，提高了器件的发光效率。
硫族化合物改性处理改性金属硫族元素金属硫族化合物发光器件缺陷态硫醇制备电荷传输效率制备方法工艺电荷释放发光效率化学吸附缺陷消除显示器件制备过程反应室共价键酸处理氧物种

[发明专利]铁硫族化合物纳米复合体及其制造方法-CN201380059090.5有效
发明人：李在范;毛翔 -专利权人：釜山大学校产学协力团
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁硫族化合物纳米复合体及其制造方法，具体而言，所述铁硫族化合物纳米复合体具有光致发光特性，所述制造方法包括如下步骤步骤a，将Fe前驱体溶解于有机溶剂而形成Fe溶液；步骤b，将硫族元素粉末或硫族元素前驱体溶解于有机溶剂而形成硫族元素溶液；步骤c，将所述Fe溶液以液状注入到所述硫族元素溶液，从而制造形成有铁硫族化合物的混合溶液；步骤d，由所述混合溶液精炼铁硫族化合物。
铁硫族化合物纳米复合体及其制造方法

[发明专利]线偏振平面光波对衬底上方的硫族化物微粒的可调谐捕获和筛选的方法-CN201510431057.1有效
发明人：曹暾 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G02B21/32 文献下载
摘要：一种线偏振平面光波对衬底上方的硫族化物微粒的可调谐捕获和筛选的方法，通过在将硫族化物微粒置于衬底平板上方，破坏硫族化物微粒周围的玻印亭矢量的对称分布，使硫族化物微粒上的总玻印亭矢量不为零，产生非梯度光学力；然后，通过改变硫族化物的晶格结构，改变硫族化物微粒上的总玻印亭矢量的方向和大小，进而改变总玻印亭矢量作用在硫族化物微粒上的非梯度光学力的方向和大小，来调控硫族化物微粒在入射光场中的运动轨迹，从而对附着在硫族化物微粒表面的纳米尺寸分子进行可调谐捕获和筛选的技术方案其中，硫族化物的晶格结构可以通过光照、通电、加热和加压等方式改变。
偏振平面光波衬底上方硫族化物微粒调谐捕获筛选方法

[发明专利]非易失性存储器件-CN201710654882.7有效
发明人：吴哲;朴正熙;安东浩;李镇宇;申喜珠;李兹傧 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：非易失性存储器件包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；选择元件层，在第一电极和第二电极之间，其与到第一电极相比，更靠近第二电极设置，并且其包括第一硫族化物层和第二硫族化物层。第一硫族化物层包括第一硫族化物材料，第二硫族化物层包括第二硫族化物材料。在第一电极和选择元件层之间的存储层包括不同于第一硫族化物材料和第二硫族化物材料的第三硫族化物材料。
非易失性存储器

[发明专利]在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法-CN202010679035.8在审
发明人：卞卿溵;金亨燮;朴台镇;金会俊;申铉振;安元植;M.林;赵连柱 -专利权人：三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法包括用金属有机材料处理衬底以及在衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在衬底上合成过渡金属二硫族化物。过渡金属前体可以包括过渡金属元素，硫族前体可以包括硫族元素。
衬底形成过渡金属二硫族化物薄膜方法

[发明专利]一种双面吸光硫族化物薄膜太阳能组件的生产方法-CN201410568172.9无效
发明人：谢承智;刘德昂;钱磊 -专利权人：苏州瑞晟纳米科技有限公司
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种双面吸光硫族化物薄膜太阳能组件的生产方法,用于增加现有硫族化物薄膜太阳能组件的效能。其制备流程包括以下几个步骤：采用公知技术真空磁控溅射方法在刚性或柔性透明衬底上镀上底电极、窗口层(一)和缓冲层(一),及后沉积金属或硫族化金属反应层，后在常温环境中,把配制的高纯硫族元素溶液利用常规工艺在金属反应层上沉积硫族元素层，以低温烘烤,形成固化的硫族元素薄膜。在镀上中电极后,再次沉积金属或硫族化金属反应层和沉积硫族元素层。之后经高温退火处理使两个反应层完全转变为多晶的硫族化物半导体薄膜。最后镀上缓冲层(二)、窗口层(二)和上电极便制成双面吸光硫族化物薄膜太阳能电池。
一种双面吸光硫族化物薄膜太阳能组件生产方法

[发明专利]一种过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法和用途-CN201910289200.6在审
发明人：谢黎明;赵朝阳;王新胜;周芮 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： C01G55/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法和用途，所述过渡金属为铂族金属，包括钌、铑、钯、锇、铱或铂中任意一种，所述过渡金属硫族化合物中硫族元素包括硫、硒或碲中任意一种；所述方法包括：在保护性气体氛围中，分别加热铂族金属源和硫族元素源，发生化学气相沉积反应，在基底上生长得到过渡金属硫族化合物薄膜。本发明以铂族金属源为原料，采用化学气相沉积法，实现了大面积二维铂族金属硫族化合物薄膜的连续可控生长，所得薄膜材料表面平整，具有优异的电学、光学性能，在纳米电子器件领域应用前景广阔。
过渡金属硫族化合物铂族金属薄膜化学气相沉积硫族元素制备薄膜材料表面纳米电子器件保护性气体硫族化合物光学性能过渡金属可控生长领域应用电学二维基底加热平整生长

[发明专利]二维层状硫族化合物的合成方法及工艺设备-CN201510415416.4在审
发明人：叶昭辉;邱壬官 -专利权人：炬力奈米科技有限公司
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C23C16/452 文献下载
摘要：一种二维层状硫族化合物的合成方法及工艺设备。二维层状硫族化合物的合成方法包括加热基材至反应温度；暴露基材于催化气体、前驱物蒸气及硫族前驱物气体中；利用一气体活化单元来离子化催化气体与硫族前驱物气体，藉以产生能量化粒子，其中能量化粒子与前驱物蒸气反应而形成硫族化合物气体；及降低基材的温度，以使硫族化合物气体沉积于基材上而形成二维层状硫族化合物。
二维层状化合物合成方法工艺设备

[发明专利]制备过渡金属硫族化物的方法-CN201510638382.5有效
发明人：阙郁伦;麦迪纳;陈雨泽 -专利权人：阙郁伦
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明提供一种制备过渡金属硫族化物的方法，其可于150至500度的基板温度以及25至760托耳的制程环境下生产过渡金属硫族化物。且本发明采用的硫族元素来源是采用加热硫族固体源并对其离子化的方式以取得硫族元素等离子体，所以在本发明中可避免去使用习知制备过渡金属硫族化物技术中的剧毒硫化氢气体。
硫族化物制备过渡金属硫族元素等离子体硫化氢气体过渡金属固体源离子化基板硫族托耳制程加热剧毒生产

[发明专利]固定化硫族元素及其在可再充电蓄电池中的应用-CN202080001648.4在审
发明人：徐文庆;李晓明;沙伊莱什·帕特卡;埃尔金·E·艾斯勒;徐承坤;科林·摩尔;克里斯托弗·S·克彭 -专利权人： II-VI特拉华有限公司
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C01B32/312 文献下载
摘要：固定化硫族元素系统或主体包含硫族元素和碳的混合物或组合。所述碳可以是碳骨架的形式。所述硫族元素可以包括氧、硫、硒或碲，或者氧、硫、硒和碲中的任两种或更多种的组合。硫族元素逸出所述固定化硫族元素系统或主体的活化能为≥96kJ/mol。
固定化硫族元素及其充电蓄电池中的应用

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