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[实用新型]玻璃窑炉蓄热室目标墙-CN201922044022.9有效
发明人：朱安龙;王寅;董荣娟;张生源 -专利权人：洛阳大洋高性能材料有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C03B5/237 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种玻璃窑炉蓄热室目标墙，包括格子墙和目标墙，格子墙位于目标墙和窑炉喷火位置之间，目标墙包括顶砖层、墙砖层、固定砖层和底砖层，若干个固定砖层均匀分布在顶砖层和底砖层之间，固定砖层与顶砖层、相邻两个固定砖层以及固定砖层与底砖层之间通过墙砖层固定连接，顶砖层、墙砖层、固定砖层和底砖层相互之间配合的接触面均为凸出斜面，在墙砖层中错落分布有观察孔砖，顶砖层、固定砖层和底砖层均凸出于墙砖层且三者砖层的凸出端均通过牵拉装置固定在固定钢结构一侧，固定钢结构紧靠目标墙的外侧设置，本玻璃窑炉蓄热室目标墙结构紧凑，设计合理，使用时占用空间小，可以有效的防止目标墙倒塌。
玻璃蓄热目标

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910147566.X在审
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法包括：形成第一侧墙层和位于第一侧墙层上的第二侧墙层，第一侧墙层位于第二侧墙层和伪栅结构之间以及第二侧墙层和鳍部之间；在第二侧墙层的侧壁上形成第三侧墙层，第三侧墙层还覆盖第二侧墙层底部的第一侧墙层；形成第三侧墙层后，在伪栅结构两侧的鳍部中形成源漏掺杂层；去除伪栅结构和第一侧墙层，在第二侧墙层和第三侧墙层之间形成倒T型沟槽；在倒T型沟槽中形成栅极结构，栅极结构包括位于相邻第三侧墙层之间的栅极宽段，以及位于相邻第二侧墙层之间的栅极窄段。本发明实施例降低所述栅极结构与所述源漏掺杂层之间的电容耦合效应，进而使得半导体结构内的寄生电容变小，优化了半导体结构的电学性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201810010759.6有效
发明人：张城龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层表面具有若干相互分立的牺牲层；在牺牲层表面和待刻蚀层表面形成第一侧墙材料层；回刻蚀第一侧墙材料层直至暴露出牺牲层顶部表面和待刻蚀层表面，在牺牲层侧壁形成第一侧墙，相邻第一侧墙之间暴露出的待刻蚀层表面具有凹陷；采用原子层沉积工艺在第一侧墙侧壁、第一侧墙和牺牲层的顶部表面、以及所述凹陷中形成第二侧墙材料层；去除第一侧墙和牺牲层顶部表面的第二侧墙材料层，使第一侧墙侧壁的第二侧墙材料层形成第二侧墙，且使凹陷中的第二侧墙材料层形成补偿层；之后去除牺牲层。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]自对准双图形的形成方法-CN201210425630.4有效
发明人：隋运奇;何其旸 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种自对准双图形的形成方法，包括提供待刻蚀层，所述待刻蚀层表面具有牺牲层、以及所述牺牲层表面的掩膜层，所述掩膜层的材料为绝缘材料；在所述待刻蚀层、牺牲层和掩膜层表面形成侧墙层，所述侧墙层包括第一子侧墙层、第一子侧墙层表面的第二子侧墙层、以及第二子侧墙层表面的第三子侧墙层，所述第二子侧墙层的材料为多晶硅，所述第一子侧墙层和第三子侧墙层的材料相同；回刻蚀所述侧墙层直至暴露出掩膜层表面为止，在所述牺牲层两侧的待刻蚀层表面形成侧墙；在形成侧墙之后，去除所述掩膜层；在去除所述掩膜层之后，去除所述牺牲层。
对准图形形成方法

[发明专利]栅极侧墙的制造方法-CN201810768718.3有效
发明人：庄望超;李镇全 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极侧墙的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成由栅介质层、多晶硅栅和硬质掩膜层叠加而成的栅极结构；步骤二、形成侧墙介质层；步骤三、在侧墙介质层的表面形成侧墙保护介质层；步骤四、对侧墙保护介质层进行第一次全面刻蚀并使侧墙保护介质层仅位于栅极结构侧面；步骤五、对侧墙介质层进行第二次全面刻蚀形成侧墙，所保留的侧墙保护介质层对侧墙的侧面进行保护，侧墙保护介质层和硬质掩膜层自对准暴露出侧墙的顶部表面从而能调节侧墙的高度；步骤六、去除所保留的侧墙保护介质层。本发明能防止侧墙的厚度减薄，使侧墙的厚度得到保持；能调节侧墙的高度，防止形成过大的牛角，从而有利于栅极结构的平坦化。
栅极制造方法

[实用新型]一种地下室风机房的隔音墙-CN201721659319.0有效
发明人：韦盛 -专利权人：四川国恒建筑设计有限公司
申请日： 2017-12-02 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： E04B2/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种地下室风机房的隔音墙，旨在解决一般隔音墙在地下室潮湿环境工作时使用寿命降低的问题，其技术方案要点是：一种地下室风机房的隔音墙，包括下墙层、上墙层、连接上墙层与下墙层的连接板、位于上墙层与下墙层之间的隔音层，所述连接板与上墙层、连接板与下墙层垂直连接且连接处固定有吸水密封块；所述连接板开有连接孔，所述连接孔的轴线方向垂直于连接板的长度方向，所述上墙层、下墙层设有同样的连接孔，所述连接孔设有对应螺栓，所述螺栓将上墙层、连接板、下墙层连接。
连接板墙层上墙隔音墙连接孔地下室风机房密封本实用新型螺栓吸水技术方案要点墙体连接件潮湿环境垂直连接使用寿命轴线方向隔音层抵紧墙体垂直

[发明专利]侧墙的工艺方法-CN202011414336.4在审
发明人：王虎;张继亮;顾林;李志林;李雪健 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种侧墙的工艺方法，所述的侧墙包含第一层侧墙及第二层侧墙，所述的侧墙包围在栅极两侧，其中第一层侧墙贴近栅极，第二层侧墙位于最外层；首先栅极上淀积一层氮化硅层并刻蚀形成第一层侧墙，再淀积一层氧化硅层，然后再淀积第二层氮化硅层并刻蚀形成第二层侧墙。本发明在两层氮化硅层侧墙之间增加一层氧化硅层作为隔离，在进行第二层侧墙刻蚀时能利用氮化硅与氧化硅在湿法刻蚀工艺中的高选择比，作为隔离的氧化硅层能保护第一层氮化硅层侧墙不被腐蚀，避免产生横向钻蚀的现象。
工艺方法

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201510010126.1有效
发明人：刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，包括PMOS区域和NMOS区域；在PMOS区域和NMOS区域上形成顶部具有掩膜层的栅极结构；在栅极结构侧壁表面形成第一侧墙；在半导体衬底表面、第一侧墙和掩膜层表面形成第二侧墙材料层和第三侧墙材料层；刻蚀第三侧墙材料层和第二侧墙材料层，形成位于第一侧墙表面的第二侧墙、第三侧墙；形成第四侧墙材料层；刻蚀所述PMOS区域上的第四侧墙材料层，在PMOS区域上的第三侧墙表面形成第四侧墙；在栅极结构两侧的PMOS区域内形成第一源漏极；去除所述第四侧墙、位于NMOS区域上的第四侧墙材料层、第三侧墙、第二侧墙和掩膜层。
晶体管形成方法

[实用新型]一种用于铝及铝合金熔铸的保温炉炉衬结构-CN201620099675.0有效
发明人：宋学斌;李连地 -专利权人：江苏瑞复达新材料有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： F27D1/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于铝及铝合金熔铸的保温炉炉衬结构，包括下墙防渗层、炉底防渗层、下墙背衬和炉底背衬，炉底工作层的一侧设有炉底防渗层，炉底防渗层的一侧设有下墙防渗层，下墙工作层的一侧设有下墙背衬，下墙防渗层的一侧设有炉底背衬，炉顶工作层的一侧设有炉顶保温层，烟道的两侧均设有炉顶保温层，下墙防渗层的一侧设有上墙保温层，下墙防渗层和炉顶保温层的一侧均设有炉门框，烧嘴工作层的一侧设有上墙工作层，炉底工作层和所述下墙工作层，拐直角处设计为倒角，该保温炉炉衬结构充分考虑到炉底、下墙、上墙工况及载荷变化的不同，采用分区整体浇注，不易渗漏，不易开裂，安全层浇注料需要有良好的防渗透能力。
一种用于铝合金熔铸保温炉衬结构

[实用新型]一种墙砖粘合结构-CN201720358799.0有效
发明人：郁根福;张风良;朱佳;陆海柳 -专利权人：上海频浩贸易有限公司
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： E04F13/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种墙砖粘合结构，它包括墙体、墙砖本体、水泥浆粘结层以及覆胶层；所述覆胶层包括与墙砖本体贴合的墙砖覆胶层以及与墙体贴合的墙体覆胶层；所述墙砖本体与墙体之间通过水泥浆粘结层粘结；所述水泥浆粘结层与墙砖本体之间通过墙砖覆胶层贴合；所述水泥浆粘结层与墙体之间通过墙体覆胶层贴合；所述水泥浆粘结层包括粘结在墙砖覆胶层上的墙砖水泥浆粘结层以及粘结在墙体覆胶层上的墙体水泥浆粘结层；所述墙体水泥浆粘结层与墙砖水泥浆粘结层通过挤压贴合形成水泥浆粘结层本实用新型墙砖粘合结构通过将墙体水泥浆粘结层与墙砖水泥浆粘结层拉成相反锯齿型结构，增加墙砖与墙体之间的粘结度、平整度，同时也可以防止空鼓。
一种粘合结构

[发明专利]半导体器件侧墙空洞层结构及其制备方法-CN201210066525.6有效
发明人：黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-03-14 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供的一种半导体器件侧墙空洞层结构，包括半导体衬底、栅极、介质层和接触孔，栅极的外侧设有空洞层，空洞层的外侧设有外侧墙层，空洞层和栅极和半导体衬底之间设有SiO2层。本发明还提供了侧墙空洞层结构的制备方法，包括在设有栅极的半导体衬底上沉积一层无定形碳层，自对准刻蚀形成无定形碳侧墙；沉积外侧墙层材料，自对准刻蚀形成外侧墙层，外侧墙层封闭住无定形碳侧墙；化学机械研磨介质层至露出无定形碳侧墙后进行灰化处理将无定形碳侧墙全部灰化干净，并继续灰化直至栅极和露出的硅表面形成一层SiO2层；快速填充介质层，使去除了无定形碳侧墙的部分仍然保留着孔隙。本发明的侧墙空洞层结构结构简单，方法简便易行。
半导体器件空洞结构及其制备方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110113379.7在审
发明人：唐龙娟;胡昌杰;张冬平;韩秋华;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底上形成有核心层；形成保形覆盖所述核心层和基底的侧墙材料层；去除所述核心层和基底顶部的侧墙材料层，剩余的所述侧墙材料层作为初始侧墙层，所述初始侧墙层覆盖所述核心层的侧壁；对所述初始侧墙层的顶部进行轮廓修饰处理，形成侧墙层，且所述侧墙层的相对侧壁相互对称；形成所述侧墙层后，去除所述核心层；去除所述核心层后，以所述侧墙层为掩膜刻蚀所述基底，形成目标图形。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710133604.7有效
发明人：张冬平 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层上形成图形化的核心层；在核心层顶部和侧壁、以及待刻蚀材料层上形成侧墙膜；对侧墙膜进行至少一次顶部处理，去除高于核心层顶部的侧墙膜，保留核心层侧壁上的侧墙膜作为第一部分侧墙层，保留待刻蚀材料层上的侧墙膜作为第二部分侧墙层；顶部处理的步骤包括：在侧墙膜上形成覆盖位于核心层侧壁以及顶部上侧墙膜表面的牺牲层；去除高于核心层顶部上的牺牲层以及部分厚度或全部厚度的侧墙膜；去除剩余牺牲层；去除核心层；去除核心层后，去除第二部分侧墙层。本发明所述第一部分侧墙层的形貌对称，以第一部分侧墙层为掩膜刻蚀待刻蚀材料层后，可以得到形貌较好的目标图形。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]一种高效型节能环保、集成块装窑炉-CN201820963087.6有效
发明人：毕则乾 -专利权人：毕则乾
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： F27D1/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高效型节能环保、集成块装窑炉，包括支撑墙，支撑墙设置呈横向正面相对，支撑墙的内侧设置有耐热层，且耐热层设置呈横向正面相对，支撑墙的内侧设置有隔热层，且隔热层介于耐热层和支撑墙之间，并隔热层将支撑墙的上端完全覆盖，隔热层的上端设置有固定墙，隔热层的上端中部设置有保温层。通过耐热层为轻质高铝浇注料层，使得窑炉内部增加耐高温和隔热保温的效果，从而减少了热量损耗、使其更加节能，而支撑墙和固定墙为轻质建筑废料层，从而使支撑墙和固定墙能够有效的进行隔热保温，适用于工业窑炉领域，
支撑墙隔热层耐热层上端固定墙窑炉隔热保温节能环保高效型集成块轻质高铝浇注料层本实用新型工业窑炉建筑废料热量损耗保温层耐高温节能

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202310813532.6在审
发明人：韦鑫;王磊磊 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：半导体结构的形成方法包括：在衬底上设置有掩膜层、图形层及侧墙层，在阵列区图形层具有第一图形，在对准标记区图形层具有第二图形，侧墙层覆盖第一图形及第二图形的侧壁及顶面，并且覆盖掩膜层暴露的表面；形成遮挡层，在阵列区遮挡层填充在侧墙层的空隙内且暴露出侧墙层的顶面，在对准标记区遮挡层填充在侧墙层的空隙内且覆盖侧墙层的顶面；去除部分侧墙层，暴露出第一图形的顶面；去除遮挡层以及部分侧墙层，第一图形及第二图形侧壁的侧墙层保留并作为侧墙；在阵列区去除图形层，侧墙构成第三图形；去除部分掩膜层，以形成掩膜图形；将掩膜图形转移到衬底中，以在阵列区形成目标图形，以及在对准标记区形成套刻对准标记。
半导体结构形成方法

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