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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]通孔填充结构以及通孔填充方法-CN201310524371.5在审
发明人：康晓春 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明揭示了一种通孔填充结构，包括：半导体基底，所述半导体基底中具有通孔；钨层，所述钨层位于所述半导体基底上，并覆盖所述通孔；阻挡层，所述阻挡层位于所述钨层上，并覆盖所述通孔；金属层，所述金属层位于所述阻挡层上，并填充所述通孔。本发明还提供一种通孔填充方法。由于所述钨层的填隙能力较强，在所述钨层上制备所述阻挡层时，较薄的所述阻挡层可以很好的覆盖所述通孔，并且所述阻挡层的厚度均匀；当在所述阻挡层上再制备金属层时，所述金属层能很好的填充到所述通孔中；另外，所述钨层的导电能力好于所述阻挡层的导电能力，并且所述阻挡层较薄，有利于提高通孔的导电能力。
填充结构以及方法

[发明专利]通孔填充方法及通孔填充装置-CN202210319015.9在审
发明人：陈蓉;李易诚;曹坤;单斌;张净铭;严谨;齐子廉 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种通孔填充方法及通孔填充装置，该通孔填充方法包括以下步骤：在基体上刻蚀通孔，通孔的底壁为第一表面，通孔的侧壁为第二表面；使用ALD工艺将第一前驱体导向所述第一表面和所述第二表面以形成第一填充层；使用CVD工艺将第二前驱体导向所述通孔内以形成第二填充层。上述通孔填充方法中，采用ALD工艺和CVD工艺结合的方法来填充通孔，能同时兼顾填充质量和填充效率，能更好地满足通孔尤其是高深宽比的通孔的填充需要。
填充方法装置

[发明专利]填充通孔-CN201510657197.0在审
发明人： N·嘉雅拉朱;L·R·巴尔斯特;E·H·法赫德 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：包括正向脉冲但无反向脉冲的脉冲镀覆方法在铜电镀如印刷电路板的衬底中的通孔期间抑制或减少凹陷和空隙。所述脉冲镀覆方法可用以用铜填充通孔，其中所述通孔涂布有非电镀铜或闪镀铜。
填充

[发明专利]通孔填充方法-CN201310661878.5在审
发明人：刘超 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明揭示了一种通孔填充方法，包括提供前端结构，所述前端结构中形成有通孔；按照第一比例通入第一气体与第二气体进行第一次反应；通入缓冲气体；按照第二比例通入第一气体与第二气体进行第二次反应，以形成金属膜。通过在进行第一次反应和第二次反应之间，通入缓冲气体，能够防止在第二次反应时，反应气体对第一次反应所形成的膜层造成损坏，确保填充的质量，提升了良率。
填充方法

[发明专利]接触孔填充方法-CN200910054397.1有效
发明人：聂佳相;何伟业;刘盛;孔祥涛 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-03 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种接触孔填充方法，包括：提供一个表面具有至少一个接触孔开口的衬底；在接触孔的侧壁和衬底表面形成阻挡层；在阻挡层表面形成第一金属层，所述第一金属层的金属晶粒尺寸小于0.2微米；在第一金属层表面形成第二金属层，直至填充所述接触孔。本发明能够使得接触孔填充的金属阶梯覆盖性比较好，减小了接触孔的电阻，提高了接触孔性能。
接触填充方法

[发明专利]通孔填充方法-CN03122606.X无效
发明人：土田秀树;日下大 -专利权人：希普雷公司
申请日： 2003-01-15 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种通孔填充方法，其中在薄镀后，施加1－50毫秒的正向电解时间和0.2－5毫秒的反向电解时间为一个周期的PPR电流，直到表示正向电解电流密度与反向电解电流密度的比值的F/R比值为至少1/0.2
填充方法

[发明专利]导孔填充方法-CN02159112.1无效
发明人：日下大;土田英树 -专利权人：希普利公司
申请日： 2002-12-20 - 公布日： 2003-07-02 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明提供导孔填充方法，该方法可使沉积的金属层具有优异的填充性及优异的平坦化性，此乃通过具有F/R比率的方法来达成，该F/R比率系正向电解作用及逆向电解作用之间的电流密度比率，其系利用以1至50毫秒的正向电解作用期及
填充方法

[发明专利]通孔填充方法、通孔填充结构及通孔制作方法-CN200710044634.7有效
发明人：靳永刚;毛剑宏;王孝远 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-08-05 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔填充方法，包括，提供表面具有通孔的衬底，在所述衬底表面形成干膜，对所述干膜曝光、显影形成干膜开口，在所述干膜开口处对所述通孔进行填充。本发明还公开了一种通孔填充结构以及通孔制作方法。本发明通孔填充方法、通孔填充结构及通孔制作方法由于解决了现有技术光刻胶填入高深宽比的通孔困难以及曝光能量消耗较大的问题，从而通孔填充的效率得到了提高。
填充方法结构制作方法

[发明专利]硅通孔填充结构以及硅通孔的填充方法-CN201310438705.7有效
发明人：李广宁;沈哲敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明揭示了一种硅通孔填充结构以及硅通孔的填充方法。所述硅通孔填充结构包括：半导体基底，所述半导体基底上具有硅通孔；第一金属层，填充在所述硅通孔内；塑性材料层，位于所述第一金属层的侧壁上；第二金属层，填充于塑性材料层内。本发明提供的硅通孔填充结构以及硅通孔的填充方法中，通过设置具有塑性变形能力的塑性材料层，从而可以同时吸收第一金属层和第二金属层的应力，以在保证硅通孔导电能力的同时，提高硅通孔中第一金属层与半导体衬底的粘附性
硅通孔填充结构以及方法

[发明专利]硅通孔深孔填充工艺-CN201310750385.9有效
发明人：侯珏 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅通孔深孔填充工艺，用于提高硅通孔深孔填充的薄膜覆盖率，工作步骤如下：步骤A1，向磁控溅射设备中通入工艺气体；步骤A2，用第一射频功率、第一气压对硅通孔进行薄膜沉积；步骤A3，用第二射频功率、第二气压对硅通孔进行薄膜沉积，重复步骤A2和A3，直至硅通孔内部薄膜覆盖率均匀，且达到所需的厚度。本发明的硅通孔深孔填充工艺，工艺设计简单合理，通过采用第一射频功率与第二射频功率交替进行薄膜沉积，提升了硅通孔深孔填充的薄膜覆盖率，可以完美的支持后续的电镀工艺，提高产能。
硅通孔深孔填充工艺

[发明专利]印刷电路板的孔填充方法和孔填充设备-CN02102088.4无效
发明人：李圣揆;赵成植;金容一;张容舜;崔浩晟;孔相镇;永焕金 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2002-01-21 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：一种用于印刷电路板的孔填充方法、根据该方法的孔填充设备和根据该方法的生产方法。掩模用于有选择性地露出印刷电路板板上的通路盲孔，通孔和表面电路图案，掩模放置在印刷电路板上，印刷电路板上有通路盲孔和通孔，用于实现板表面上的电路图案和板内的电路图案的电连接，通过把绝缘材料紧靠在电路板的表面并对其进行挤压将绝缘材料填充在通路盲孔之中因此，可把绝缘材料无空隙地顺利填充。通过在电路图案空隙间填充与其一样高度的绝缘材料可以简化这种填充过程，并进而避免对电路图案的损坏。
印刷电路板填充方法设备

[发明专利]填充通孔的方法-CN201410200948.1在审
发明人： N·贾亚拉珠;E·H·纳贾尔;L·R·巴尔斯塔德 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种填充通孔的方法。在为基板，例如印刷电路板中的具有通闪镀铜层的孔进行铜电镀的过程中，所述方法抑制或减少了凹陷或孔隙将包含二硫化物化合物的酸溶液施加到基板中的通孔，随后采用包含添加剂，如光亮剂和流平剂的酸性铜电镀浴，用铜填充通孔
填充方法

[发明专利]接触孔的填充方法-CN201810612009.6在审
发明人：蔡旻錞;陈建勋;许家彰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的填充方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底上形成接触孔的开口；步骤二、在接触孔的开口的底部表面和侧面形成作为粘附层的钛层；步骤三、采用金属钨的PVD工艺在钛层表面形成第一钨层；步骤四、采用CVD工艺在第一钨层表面形成主体钨层并将接触孔的开口完全填充从而形成接触孔。本发明利用金属钨的PVD工艺不采用WF6的特点取消作为用于阻挡WF6扩散的阻挡层，能同时实现降低接触电阻以及实现更好的主体钨层的填充。
接触孔钨层填充开口金属钨降低接触电阻表面形成底部表面钛层表面粘附层阻挡层衬底钛层半导体扩散阻挡侧面

[发明专利]填充通孔的方法-CN201910388584.7在审
发明人： N·贾亚拉珠;E·H·纳贾尔;L·R·巴尔斯塔德 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种填充通孔的方法。在为基板，例如印刷电路板中的具有通闪镀铜层的孔进行铜电镀的过程中，所述方法抑制或减少了凹陷或孔隙将包含二硫化物化合物的酸溶液施加到基板中的通孔，随后采用包含添加剂，如光亮剂和流平剂的酸性铜电镀浴，用铜填充通孔
通孔铜电镀基板填充二硫化物化合物印刷电路板光亮剂流平剂酸溶液铜填充凹陷闪镀铜层添加剂施加

[发明专利]通孔填充用糊料-CN201980020720.5在审
发明人：大山秀树;田中孝幸;林荣一 -专利权人：味之素株式会社
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明提供可得到镀覆密合性优异的固化物的通孔填充用糊料等。一种通孔填充用糊料，其是包含（A）磁性粉体、（B）环氧树脂及（C）固化剂的通孔填充用糊料，其中，（A）磁性粉体利用包含选自Si、Al及Ti中的至少1种元素的表面处理剂进行了表面处理。
填充糊料

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