[发明专利]导孔填充方法无效
申请号: | 02159112.1 | 申请日: | 2002-12-20 |
公开(公告)号: | CN1427668A | 公开(公告)日: | 2003-07-02 |
发明(设计)人: | 日下大;土田英树 | 申请(专利权)人: | 希普利公司 |
主分类号: | H05K3/42 | 分类号: | H05K3/42 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 鲍玲,王刚 |
地址: | 美国马萨*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供导孔填充方法,该方法可使沉积的金属层具有优异的填充性及优异的平坦化性,此乃通过具有F/R比率的方法来达成,该F/R比率系正向电解作用及逆向电解作用之间的电流密度比率,其系利用以1至50毫秒的正向电解作用期及0.2至5毫秒的逆向电解作用期为一周期的周期性逆冲电流(PPR)方法,其中F/R比率在1/1至1/10的范围内。 | ||
搜索关键词: | 填充 方法 | ||
【主权项】:
1.一种于基材上填充导孔的方法,该方法包括:使该基材与金属电镀浴接触,并施予足够的电流密度以沉积所欲的金属层,其中该电流密度是以正向电流密度(F)进行1至50毫秒及逆向电流密度(R)进行0.2至5毫秒的周期来施予,其中F/R比率为1/1至1/10。
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