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[发明专利]微型发光二极管-CN202210258939.2在审
发明人：陈佶亨;许广元;王信介;吴俊德;陈奕静;史诒君 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种微型发光二极管，包括第一堆栈层、第二堆栈层、第三堆栈层、接合层、至少一蚀刻终止层以及多个电极。第一堆栈层设置于第三堆栈层上方，第二堆栈层设置于第一堆栈层与第三堆栈层之间，第一堆栈层、第二堆栈层及第三堆栈层为三种不同发光颜色的半导体发光堆栈层。第一堆栈层包括第一有源层。第二堆栈层包括第二有源层。第三堆栈层包括第三有源层。接合层设置于第二堆栈层与第三堆栈层之间。至少一蚀刻终止层至少设置于第一有源层与第二有源层之间。多个电极分别电性连接第一堆栈层、第二堆栈层及第三堆栈层，其中至少一电极接触蚀刻终止层。
微型发光二极管

[发明专利]可切换式浮空影像显示设备-CN202210440269.6在审
发明人：黄奕翔;柳喻翔;林家平 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G02B30/56 文献下载
摘要：本发明提供一种可切换式浮空影像显示设备，包括发光堆栈层、发光图案堆栈层、透明阻隔层、光学成像模块及供电模块。发光堆栈层用以产生第一图案光束，发光图案堆栈层用以产生第二图案光束。透明阻隔层配置于发光堆栈层与发光图案堆栈层之间。光学成像模块用以使第一图案光束形成第一浮空影像，且用以使第二图案光束形成第二浮空影像。供电模块电连接至发光堆栈层与发光图案堆栈层，且用以借由切换发光堆栈层或发光图案堆栈层发光，来决定产生第一浮空影像或第二浮空影像。
切换式浮空影像显示设备

[实用新型]一种防油多层体材料-CN201821195553.7有效
发明人：王鹏云 -专利权人：昱天（上海）新材料有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： B32B33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防油多层体材料，包括支撑层、嵌入底层、中部堆栈层和顶部堆栈层，所述支撑层的上端设有嵌入底层，嵌入底层嵌入在支撑层中，所述嵌入底层的上端分别设有中部堆栈层和顶部堆栈层，其中顶部堆栈层位于中部堆栈层上方，所述嵌入底层、中部堆栈层、顶部堆栈层中均设有聚氨酯高分子材料微粒，通过三层堆栈强化的鱼鳞状多层结构,外界油污分子因材料表面鱼鳞状结构,会维持表面张力,于材料表面形成油珠,不易散开形成细小油污分子渗入材料里层,同时基底为拒水高密度支撑材料,除稳固立体三维堆栈的聚氨酯高分子结构,同时达到防止水分子入侵的效果。
堆栈层嵌入支撑层油污分子上端多层体堆栈防油聚氨酯高分子材料聚氨酯高分子本实用新型鱼鳞状结构多层结构立体三维支撑材料散开水分子鱼鳞状基底拒水里层三层油珠渗入入侵稳固

[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法-CN02160088.0无效
发明人：张庆裕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-12-31 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：一种非挥发性存储器及其制造方法，此方法首先在一基底上形成一长条状的堆栈层，其中长条状的堆栈层是由一栅介电层、一导电层以及一顶盖层所构成。接着在长条状的堆栈层两侧的基底中形成一埋入式位线。之后图案化长条状的堆栈层，以形成数个块状堆栈层。然后在基底上形成一介电层，且介电层暴露出块状堆栈层的顶盖层。继之，移除部分块状堆栈层的顶盖层，而使部分块状堆栈层的导电层暴露出来。然后在介电层上形成一字符线，以使相同一列的块状堆栈层串接起来。
挥发性存储器及其制造方法

[发明专利]用于偏振基向量转换的延迟器堆栈对-CN201980027293.3有效
发明人： G.D.夏普 -专利权人：加里夏普创新有限责任公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：一种用于操纵光的偏振的装置，包括：将输入光的偏振从第一偏振基向量(PBV1)转换为第二偏振基向量(PBV2)的第一延迟器堆栈(堆栈1)，将光的偏振从PBV2返回到PBV1的第二延迟器堆栈(堆栈2)，和在堆栈1和堆栈2之间的一个或多个光学功能层。堆栈1具有多个层，其中，选择堆栈1中的层的数目、延迟值和层的方向以产生在规定的波长范围上实质上光谱均匀的PBV2。PBV1是组合的堆栈1和堆栈2的非平凡的本征偏振。堆栈2具有多个层，且堆栈2与堆栈1串联布置。替代地，代替两个不同堆栈，反射器可以用于产生通过堆栈1的返回传播。
用于偏振向量转换延迟堆栈

[发明专利]用于偏振基向量转换的延迟器堆栈对-CN202211385818.0在审
发明人： G.D.夏普 -专利权人：加里夏普创新有限责任公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本申请涉及用于偏振基向量转换的延迟器堆栈对。一种用于操纵光的偏振的装置，包括：将输入光的偏振从第一偏振基向量(PBV1)转换为第二偏振基向量(PBV2)的第一延迟器堆栈(堆栈1)，将光的偏振从PBV2返回到PBV1的第二延迟器堆栈(堆栈2)，和在堆栈1和堆栈2之间的一个或多个光学功能层。堆栈1具有多个层，其中，选择堆栈1中的层的数目、延迟值和层的方向以产生在规定的波长范围上实质上光谱均匀的PBV2。PBV1是组合的堆栈1和堆栈2的非平凡的本征偏振。堆栈2具有多个层，且堆栈2与堆栈1串联布置。替代地，代替两个不同堆栈，反射器可以用于产生通过堆栈1的返回传播。
用于偏振向量转换延迟堆栈

[实用新型]一种人体工学多向弹力贴身舒适特种防护服饰面料-CN201821194452.8有效
发明人：王鹏云 -专利权人：昱天（上海）新材料有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： B32B27/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种人体工学多向弹力贴身舒适特种防护服饰面料，包括右下斜向堆栈层、右上斜向堆栈层、纵向堆栈层和横向堆栈层，右下斜向堆栈层、右上斜向堆栈层、纵向堆栈层和横向堆栈层依次从上至下紧密堆叠，通过多方向纤维堆栈植入方式,使防护材料具有多方向性的延展性能,通过各层纤维具有指向性的延展特性,以多层,多方向堆栈植入形成不仅拥有经向拉伸弹力及恢复回弹力,也具备维持纬向拉伸弹力及恢复回弹力,新型材料除经纬双向拉伸回弹能力的贴身穿着弹性需求外,经由多层堆栈植入的多向性结构,使材料具有防水透湿效果，满足特种防护的多种需求，本实用新型结构简单。
堆栈层堆栈本实用新型防护服饰人体工学多方向回弹力多层多向上斜贴身下斜植入面料纤维从上至下弹性需求防护材料防水透湿回弹能力经向拉伸双向拉伸贴身穿着纬向拉伸新型材料延展特性延展性能制作方便多向性植入的指向性堆叠经纬恢复防护生产

[发明专利]三维层叠存储器及其制造方法-CN201110376702.6有效
发明人：霍宗亮;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种三维层叠存储器，包括：衬底；衬底上的多层堆栈沟道，所述多层堆栈沟道包括交替层叠的半导体层和介质层，其中，所述半导体层的宽度大于介质层的宽度；覆盖所述多层堆栈沟道外表面的栅堆栈；在所述栅堆栈上的栅电极多层沟道堆栈中的介质层的宽度小于半导体层的宽度或者去除该介质层，使多层沟道堆栈中的半导体层与栅堆栈的接触面积增大，而不是现有技术中仅为半导体层的侧壁部分与栅堆栈接触，从而增大沟道的有效宽度，增大沟道中的开态电流
三维层叠存储器及其制造方法

[发明专利]一种Android平台so文件保护方法及系统-CN202110302688.9在审
发明人：周志刚 -专利权人：武汉斗鱼鱼乐网络科技有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G06F21/62 文献下载
摘要：本发明提供一种Android平台so文件保护方法及系统，方法包括：当so中的函数方法被调用时，在so中获取so层的函数调用堆栈信息和java层的函数调用堆栈信息；将所述so层的函数调用堆栈信息和java层的函数调用堆栈信息拼接程完整的函数调用堆栈信息；基于所述完整的函数调用堆栈信息，对异常调用程序进行识别。通过本发明，当在java程序中运行so文件，当so中的文件被调用时，可以在so中获取so层的函数调用堆栈信息和在java层的函数调用堆栈信息，并拼接成完整的全量堆栈信息，通过全量堆栈信息对加载so文件的异常程序进行识别
一种 android 平台 so 文件保护方法系统

[发明专利]积层陶瓷电容器-CN200710307135.2无效
发明人：蔡聪智;魏厚弘 -专利权人：华新科技股份有限公司
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明一种积层陶瓷电容器，其是包括堆栈体与设置在该堆栈体两端的外端电极层，该堆栈体是由至少三介电层与至少二内电极层交互堆栈所构成，而该外端电极层是包括保护层以及导接层，该保护层是设置在该堆栈体两端，该导接层是以焊接的方式包覆于该保护层相对于堆栈体的另侧，而该外端电极层尚包括一具有延展性及导电性的树脂金属层，其是设置在该堆栈体与保护层之间，而该树脂金属层是包覆在堆栈体两端，并与该内电极层接触，通过该树脂金属层能更有效地承受外部应力，其可避免外端电极层厚度过厚
陶瓷电容器

[发明专利]堆栈膜层-CN201810435302.X在审
发明人：李冠谕;高有志 -专利权人：台虹科技股份有限公司
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：本发明提供一种堆栈膜层，包括金属层、第一树脂层、第二树脂层以及第一保护层。金属层具有彼此相对的第一表面与第二表面。第一树脂层位于金属层的第一表面上。第二树脂层位于金属层的第二表面上。第一保护层位于金属层与第一树脂层之间，其中第一保护层的材料包括聚硅氮烷。
金属层第一保护层第一树脂层第二树脂层第二表面第一表面堆栈膜层彼此相对聚硅氮烷

[发明专利]一种3D NAND存储器等级层堆栈制造方法-CN201711140523.6有效
发明人：严萍;高晶;杨川;喻兰芳;丁蕾;张森;张静平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明涉及一种3D NAND存储器等级层堆栈制造方法，所述方法包括如下步骤：在硅基板上形成氧化物/氮化物等级层堆栈，继而形成垂直贯穿所述氧化物/氮化物等级层堆栈的栅极线狭缝；去除氧化物/氮化物等级层堆栈中的氮化物层，形成凹陷区域；使用氢氟酸回蚀所述凹陷区域，使得所述氧化物/氮化物等级层堆栈中的氧化物层表面平坦化；将导体材料填入所述凹陷区域中，形成导体层并刻蚀所述导体层，形成导体/绝缘体等级层堆栈。本发明的3D NAND存储器等级层堆栈制造方法，通过使用氢氟酸(HF)回蚀大头结构，可以消除氧化物层大头现象，从而提高3D NAND等级层堆栈中导体层的填充率，进而提高器件性能。
一种 dnand 存储器等级堆栈制造方法

[发明专利]双堆栈光学数据存储介质及其使用-CN200380106624.1无效
发明人： R·J·A·范登奥特拉亚尔 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-11-19 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：描述了一种通过聚焦辐射束(29)记录和读取的双堆栈光学数据存储介质(30)。所述辐射束经由第一辐射束入射面(21)进入该介质(30)。该介质包含至少第一衬底(1a)，该第一衬底(1a)的至少一侧带有包含第一信息层(3)的第一层堆栈(2)，和包含第二信息层的第二层堆栈(5)。第二层堆栈(5)存在于比第一层堆栈(2)距离第一辐射束入射面(21)更远的位置。第一透明间隔层(4)存在于第一层堆栈(2)和第二层堆栈(5)之间。第一信息层(3)为只读类型层或有机一次写类型层，所述第二层堆栈(5)由最多三个相邻的无机金属材料层构成。这样就得到了一种光学数据存储介质(30)，该光学数据存储介质(30)同所述介质的双堆栈ROM类型兼容并有简单的第二层堆栈(5)。
堆栈光学数据存储介质及其使用

[发明专利]具有修复结构的光传感器-CN201410474270.6有效
发明人：吴瑞钦;孙国升 -专利权人：凌巨科技股份有限公司
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一具有修复结构的光传感器，其包含一闸极线、一绝缘层、一汲极线、一源极线、一修复线及一光电组件。闸极线堆栈于一基板之上，绝缘层堆栈于闸极线及基板之上，汲极线堆栈于绝缘层之上，源极线堆栈于绝缘层之上，修复线平行汲极线，修复线堆栈于汲极线之上，修复线的堆栈位置对应汲极线的堆栈位置，修复线电性连接汲极线，及光电组件堆栈于源极线之上。
具有修复结构传感器

[发明专利]与非非挥发性二位存储器及其制造方法-CN200610100014.6有效
发明人：陈宗仁 -专利权人：晶豪科技股份有限公司
申请日： 2006-06-28 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明揭示一种与非非挥发性二位存储器单元，包括配置于衬底一有源区域上的一单元堆栈以及二选择堆栈，各选择堆栈分别配置于单元堆栈的一侧且于单元堆栈以及各选择堆栈之间配置有一侧壁。单元堆栈包括四部分：一配置于衬底上方的第一介电层；一配置于第一介电层上方的电荷累积层，可将电荷保持于一部份来储存信息；一配置于电荷累积层上方的第二介电层；以及一配置于第二介电层上方的控制栅极。选择堆栈包括二部分：一配置于衬底上方的第三介电层；以及一配置于第三介电层上方的选择栅极，可将一选择堆栈下方区转化为存储器单元的源极/漏极功能。
非非挥发性存储器及其制造方法

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