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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置和包括其的数据存储系统-CN202310246985.5在审
  • 李呈焕;权裕珍;刘在洪;赵显敏 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-15 - 2023-09-19 - H10B41/27
  • 该半导体装置包括在半导体衬底上的堆叠结构。该堆叠结构包括第一栅极堆叠组和第二栅极堆叠组，第一栅极堆叠组包括多个间隔开的第一栅电极，第二栅极堆叠组包括多个间隔开的第二栅电极。第二栅极堆叠组在第一栅极堆叠组上延伸，使得第一栅极堆叠组在第二栅极堆叠组与衬底之间延伸。提供多个有源沟道结构，该多个有源沟道结构竖直地穿透第二栅极堆叠组作为上沟道结构并且竖直地穿透第一栅极堆叠组作为下沟道结构。提供竖直地穿透第二栅极堆叠组但不穿透第一栅极堆叠组的多个伪沟道结构。
  • 半导体装置包括数据存储系统
  • [发明专利]集成电路及其制造方法-CN201810409999.3有效
  • 曹钧涵;吴啟明;陈奕寰;蔡正原 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2018-05-02 - 2021-05-04 - H01L21/8238
  • 提供一种制造多电压装置的方法，此方法包含在半导体基底的逻辑区中形成一对逻辑栅极堆叠并且在多电压装置区中形成一对装置栅极堆叠，这对逻辑栅极堆叠和这对装置栅极堆叠包含第一虚设栅极材料，这对装置栅极叠层也包含功函数调整层此方法还包含在这对逻辑栅极堆叠上方沉积第二虚设栅极材料。以n型材料从这对逻辑栅极堆叠的第一逻辑栅极堆叠上方置换第一虚设栅极材料和第二虚设栅极材料。以p型材料从这对逻辑栅极堆叠的第二逻辑栅极堆叠上方置换第一虚设栅极材料和第二虚设栅极材料。
  • 集成电路及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置结构的形成方法-CN201811314088.9有效
  • 萧怡瑄;古淑瑗;洪志昌;杨宜伟;孙志铭 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2018-11-06 - 2023-05-23 - H01L29/423
  • 一种半导体装置结构的形成方法，包括：形成一第一虚设栅极堆叠和一第二虚设栅极堆叠于一半导体基板之上；形成一介电层于半导体基板之上以围绕第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠；移除第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠以形成一第一沟槽和一第二沟槽于介电层中；分别形成一第一金属栅极堆叠和一第二金属栅极堆叠于第一沟槽和第二沟槽中；部分地移除第一金属栅极堆叠、第二金属栅极堆叠、和介电层以形成一凹陷，其中凹陷穿过第一金属栅极堆叠和第二金属栅极堆叠；以及形成一绝缘结构以至少部分地填充凹陷
  • 半导体装置结构形成方法
  • [发明专利]半导体元件的形成方法-CN202310097379.1在审
  • 陈良湘;苏劲宇;许哲誌 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2023-02-10 - 2023-09-15 - H10N97/00
  • 此方法包含形成多个绝缘区于半导体基材上，形成保护层于半导体基材的电阻区中，在形成保护层后，蚀刻栅极介电层，以形成晶体管的第一栅极介电层及第二栅极介电层于半导体基材的晶体管区中，移除保护层，分别形成第一虚设栅极堆叠及第二虚设栅极堆叠于第一虚设栅极堆叠及第二栅极介电层上，形成电阻于电阻区中，形成第三虚设栅极堆叠及第四虚设栅极堆叠于电阻上，以及以导电材料取代第一虚设栅极堆叠、第二虚设栅极堆叠、第三虚设栅极堆叠及第四虚设栅极堆叠的每一者。
  • 半导体元件形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110204690.2在审
  • 杨盛玮 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-02-23 - 2021-06-15 - H01L29/423
  • 本发明实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：位于衬底上的第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构；所述第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构之间通过隔离结构隔开；所述第一栅极堆叠结构能够承受的最大电压与所述第二栅极堆叠结构能够承受的最大电压的差值大于预设值；位于所述衬底中，且位于所述第一栅极堆叠结构一侧的第一漏区；位于所述衬底中，且位于所述第一栅极堆叠结构和所述第一漏区之间的第一轻掺杂漏区；位于所述第一轻掺杂漏区上的第三栅极堆叠结构；所述第三栅极堆叠结构用于作为所述第一轻掺杂漏区的控制栅极
  • 半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]晶体管栅极及其形成方法-CN202011329103.4在审
  • 林士尧;林志翰;张书维;蔡雅怡;古淑瑗 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2020-11-24 - 2021-08-03 - H01L27/092
  • 本公开涉及晶体管栅极及其形成方法。一种器件，包括：半导体衬底；以及第一栅极堆叠，该第一栅极堆叠位于半导体衬底之上，该第一栅极堆叠位于第一栅极间隔件和第二栅极间隔件之间。该器件还包括第二栅极堆叠，该第二栅极堆叠位于半导体衬底之上，该第二栅极堆叠位于第一栅极间隔件和第二栅极间隔件之间；以及电介质材料，该电介质材料将第一栅极堆叠与第二栅极堆叠分开。该电介质材料至少部分地位于第一栅极间隔件和第二栅极间隔件之间，电介质材料的上部分的第一宽度大于电介质材料的下部分的第二宽度，并且第一栅极间隔件的上部分的第三宽度小于第一栅极间隔件的下部分的第四宽度。
  • 晶体管栅极及其形成方法
  • [发明专利]鳍端部栅极结构及其形成方法-CN202011172342.3在审
  • 林士尧;高魁佑;陈振平;林志翰 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2020-10-28 - 2021-05-04 - H01L21/8234
  • 本公开涉及鳍端部栅极结构及其形成方法。一种方法包括：在突出鳍的第一部分和第二部分上同时形成第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠；同时去除第一虚设栅极堆叠的第一栅极电极和第二虚设栅极堆叠的第二栅极电极，以分别形成第一沟槽和第二沟槽；形成蚀刻掩模，其中，蚀刻掩模填充第一沟槽和第二沟槽；图案化蚀刻掩模以从第一沟槽去除蚀刻掩模；去除第一虚设栅极堆叠的第一虚设栅极电介质，其中，蚀刻掩模保护第一虚设栅极堆叠的第二栅极电介质不被去除；以及分别在第一沟槽和第二沟槽中形成第一替换栅极堆叠和第二替换栅极堆叠
  • 鳍端部栅极结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体元件及其制备方法-CN202210094612.6在审
  • 吴智琮 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-01-26 - 2022-10-21 - H01L23/522
  • 本公开提供一种在环绕式栅极晶体管之间具有气隙的半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一第一栅极堆叠以及一第二栅极堆叠，设置在一半导体基底上。该第一栅极堆叠与该第二栅极堆叠至少其中一个具有多个栅极层，且该第一栅极堆叠与该第二栅极堆叠之间具有一气隙。该半导体元件亦具有一第一栅极结构以及一第二栅极结构，分别设置在该第一栅极堆叠与该第二栅极堆叠上；以及一第一介电层，围绕该第一栅极结构的各下侧壁以及该第二栅极结构的各下侧壁。该第一栅极结构的一宽度大于该第一栓塞的一宽度。
  • 半导体元件及其制备方法
  • [发明专利]半导体器件及包括其的数据存储系统-CN202211285735.4在审
  • 金俊亨;李昇珉;韩相凡;任峻成 - 三星电子株式会社
  • 2022-10-20 - 2023-04-28 - H10B43/35
  • 一种半导体器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括栅极堆叠区和虚设堆叠区。栅极堆叠区包括交替堆叠的层间绝缘层和栅电极。虚设堆叠区包括交替堆叠的虚设绝缘层和虚设水平层。分离结构穿透堆叠结构。垂直存储结构在第一区域中穿透栅极堆叠区。多个栅极接触结构在第二区域中电连接到栅电极。栅电极包括第一栅电极和设置在比第一栅电极的水平高的水平上的第二栅电极。每个栅极接触结构包括栅极接触插塞和第一绝缘间隔物。栅极接触插塞包括第一栅极接触插塞和第二栅极接触插塞，第一栅极接触插塞穿透第二栅电极并接触第一栅电极，第二栅极接触插塞接触第二栅电极。
  • 半导体器件包括数据存储系统
  • [发明专利]存储元件及其制造方法-CN201610666685.2有效
  • 庄哲辅;廖修汉;蔡耀庭 - 华邦电子股份有限公司
  • 2016-08-15 - 2022-05-10 - H01L27/11521
  • 本发明涉及一种存储元件及其制造方法，所述存储元件包括基底与栅极结构。栅极结构位在基底上。栅极结构包括堆叠栅极以及位在堆叠栅极旁的选择栅极。选择栅极的最高顶面低于堆叠栅极的最高顶面。通过在现有的存储元件的堆叠栅极区域中形成堆叠栅极与选择栅极。在不增加栅极面积的情况下，本发明存储元件可具有高程序化效率、减少干扰、增加数据保持与循环耐久裕度、低功率消耗以及避免过度抹除等功效。
  • 存储元件及其制造方法
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