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[发明专利]一种氮化鎵基异质结耐击穿肖特基二极管结构-CN201610915787.3在审
发明人：黄升晖 -专利权人：南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化鎵基异质结耐击穿肖特基二极管结构，包括以下特征宽禁带材料(如势垒层AlGaN)与禁带较窄的材料GaN形成I型异质结，外延层表面有以肖特基接触为主的阳极和以欧姆接触为主的阴极，其中至少有一型区域被放置在阳极金属接触孔下氮化鎵外延层表面上周围附近，这P型区域从半导体外延层表面延续至氮化鎵表面之下，深度大于0.1微米，这P型区域表面上至少有一部分是有一层禁带宽少于1.5电子伏的P型半导体层，肖特基金属极
一种氮化鎵基异质结耐击穿肖特基二极管结构

[发明专利]一种基于硅量子点/石墨烯/硅异质结构的光电传感器-CN201610039114.6有效
发明人：徐杨;王锋;万霞;施添锦;王雪;俞滨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：、n型硅衬底和二氧化硅隔离层，二氧化硅隔离层上开有窗口，窗口内n型硅基体暴露出来，二氧化硅隔离层上设有顶电极，顶电极上叠盖有单层石墨烯和硅量子点薄膜层，单层石墨烯与窗口内的n型硅基体接触形成石墨烯/硅肖特基结本发明的光电传感器是在肖特基结构基础上的优化和改进，除了具有肖特基结本身具有的优点外，还利用硅量子点作为响应增大层，能有效提高器件在整个波段的响应度，尤其是紫外和可见部分的响应度，解决了传统硅基PIN结对紫外光探测响应低的问题
一种基于量子石墨硅异质结构光电传感器

[发明专利]一种金刚石肖特基二极管及其制作方法-CN201510023353.8在审
发明人：王宏兴;胡超;王玮;张景文;卜忍安;侯洵 -专利权人：王宏兴
申请日： 2015-01-17 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了提供一种金刚石肖特基二极管及其制作方法，该金刚石肖特基二极管，包括依次层叠设置的欧姆电极、P型高掺杂金刚石衬底、漂移层和肖特基电极，肖特基电极为单一铪层结构、或包括底层为单一铪层的多个单一金属层的复合层结构该方法制作的金刚石肖特基二极管，提高了耐电压，降低了反向漏电流，改善了金刚石肖特基二极管的反向性能。
一种金刚石肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]高压元件及其制造方法-CN201910026979.2有效
发明人：黄宗义 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：高压元件包含至少一横向扩散金属氧化物半导体元件以及至少一肖特基势垒二极管。其中横向扩散金属氧化物半导体包括阱区、本体区、栅极、源极以及漏极；肖特基势垒二极管包括肖特基金属层以及肖特基半导体层。其中，肖特基金属层与源极电连接，且肖特基半导体层与阱区邻接。
高压元件及其制造方法

[实用新型]新能源汽车高功率舜系电子水泵电路-CN201521039062.X有效
发明人：赵岩 -专利权人：上海济鼎实业有限公司
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： F04B49/06 文献下载
摘要：本实用新型提供的新能源汽车高功率舜系电子水泵电路，具有这样的特征，包括：稳压二极管；电解电容器；第一电容；电感；第二电容；降压芯片；第三电容；微控制器；晶体谐振器；运算放大器；马达预驱模块；第一肖特基二极管；第二肖特基二极管；第三肖特基二极管；第四肖特基二极管；第五肖特基二极管；第六肖特基二极管；电阻以及水泵马达。
新能源汽车功率电子水泵电路

[实用新型]肖特基整流桥-CN201120541266.9有效
发明人：吴慧国 -专利权人：常州星海电子有限公司;常州星海科技有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L25/11 文献下载
摘要：本实用新型属于电子分立器件领域，特别涉及一种采用肖特基芯粒的整流桥。肖特基整流桥，其包括对称设置的第一框架料片和第二框架料片，其特征在于：还包括连接在第一框架料片和第二框架料片之间的肖特基芯粒，以及对肖特基芯粒进行保护的封装本体。本实用新型提供一种采用肖特基芯粒的肖特基整流桥，本实用新型具有反向恢复时间短，性能好，可靠性更好的优点。
肖特基整流

[发明专利]肖特基二极管、NIPT95合金及肖特基二极管的制造方法-CN201811562125.8在审
发明人：刘维;孟鹤;王品东;时新越 -专利权人：吉林麦吉柯半导体有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明实施例提供的肖特基二极管、NIPT95合金及肖特基二极管的制造方法，涉及电子元器件技术领域。肖特基二极管包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，覆盖在所述衬底上；NIPT95合金，NIPT95合金渗入到第一导电类型的外延层中形成肖特基势垒层；导电层，覆盖在所述肖特基势垒层上。由于采用NIPT95合金渗入到第一导电类型的外延层中形成肖特基势垒层；相较于现有技术通过金属钛、金属镍、金属钼等金属与表面态良好的第一导电类型的外延层接触形成肖特基势垒层，本发明实施例提供的方案可以使形成的肖特基势垒层的反向漏电流小且离散较小
第一导电类型肖特基二极管肖特基势垒层合金外延层衬底渗入电子元器件反向漏电流制造过程表面态导电层废片率金属镍金属钛金属钼覆盖制造金属

[发明专利]一种低势垒肖特基二极管及其制备方法-CN201711336861.7在审
发明人：倪炜江;张敬伟;袁俊 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种低势垒肖特基二极管及其制备方法，该肖特基二极管的肖特基势垒金属包括上下两层金属，其中下层金属为把高势垒金属的纳米级颗粒均匀的掺入低势垒金属中的合金，上层金属为低势垒金属；肖特基二极管的有源区势垒调制层的掺杂浓度高于沟道层本申请中的肖特基接触的外延层表面形成高掺杂层，并且用高低不同势垒两种金属的合金形成一薄层的肖特基接触层，最终根据以上两个因素增加了半导体表面的最高电场，根据镜像力原理对肖特基接触的势垒高度进一步降低，形成比单一金属的势垒更低的肖特基二极管
一种低势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]肖特基二极管及其制备方法-CN202210900661.4在审
发明人：王国峰;李京兵;呼彩霞 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请公开了一种肖特基二极管及其制备方法，涉及半导体芯片制造技术领域。该肖特基二极管制备方法在制备肖特基二极管时，首先提供肖特基二极管芯片，肖特基二极管芯片具有势垒层。如此，当在剥离层的第一通孔内形成第一金属层时，即可使第一金属层正对势垒层，从而使第一金属层作为肖特基二极管的阳极。其中，沿远离肖特基二极管芯片的方向第一通孔的直径线性减小。如此，可以减小剥离层与第一金属层之间的结合力，便于剥离层的剥离，从而提高肖特基二极管的制备速率。
肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]切换式电源供应电路的高压元件及其制造方法-CN202011357192.3在审
发明人：邱国卿;杨大勇;邱建维;翁武得;陈建馀;熊志文;张钧隆;游焜煌;廖庭维 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该高压元件用于一切换式电源供应电路的功率级电路中，以作为一上桥开关，包含：至少一横向扩散金属氧化物半导体元件、第二导电型隔离区以及至少一肖特基势垒二极管。肖特基势垒二极管包括：肖特基金属层，形成于该半导体层上；以及肖特基半导体层，形成于该半导体层中，该肖特基半导体层与该肖特基金属层形成肖特基接触，且该肖特基半导体层与该第二导电型隔离区邻接。
切换电源供应电路高压元件及其制造方法

[发明专利]一种MOSFET结构及其制作方法-CN202211248859.5在审
发明人：陈辉 -专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供一种MOSFET结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，在衬底上自下而上依次形成漂移层、体区及源区；形成栅极沟槽、栅介质层及栅导电层；形成源极沟槽；形成肖特基金属层；形成源极金属层。本申请在漂移层的侧壁及体区的侧壁形成肖特基金属层，肖特基金属层与漂移层形成肖特基二极管，可以改善MOSFET结构的反向恢复特性，肖特基金属层还与体区形成肖特基接触，使得源区和体区存在势垒差异(体区电位降低此外，由于体区的侧壁全部被肖特基金属层所覆盖，本申请的MOSFET结构的制作方法无需分两步分别在体区的侧壁形成肖特基接触和欧姆接触，工艺步骤简单。
一种 mosfet 结构及其制作方法

[发明专利]底部阳极肖特基二极管的结构与形成方法-CN200810214822.4有效
发明人：安荷·叭剌;雷燮光;苏毅 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2008-08-26 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种底部阳极肖特基器件，其承载在半导体衬底上，具有一作为阳极的底面，以及具有一覆盖在阳极上并和阳极具有相同的掺杂导电率的磊晶层。该底部阳极肖特基器件还包含一肖特基接触金属，该肖特基接触金属设置在若干沟槽中并覆盖在这些沟槽之间的半导体衬底的顶面。底部阳极肖特基器件还包含有若干个掺杂JBS区域，该掺杂JBS区域设置在若干侧壁上及位于前述沟槽的底面下方，并与阳极具有相反的导电类型，且这些掺杂JBS区域与设置在掺杂JBS区域之间的磊晶层构成一结势垒肖特基而底部阳极肖特基器件更包含一超浅N型香农植入层，直接设置在前述掺杂JBS区域之间的磊晶层中以及肖特基接触金属下方。
底部阳极肖特基二极管结构形成方法

[发明专利]肖特基二极管等效电路模型及其参数提取方法-CN200710094241.7有效
发明人：周天舒 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-11-19 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管等效电路模型，不仅包括肖特基二极管的单体部分模型，同时包括和肖特基二极管的单体部分串联的寄生电阻和寄生电感部分。该模型完整地包括了涉及肖特基二极管物理结构的各个部分对肖特基二极管直流及高频电学特性的影响，因此可直接用于肖特基二极管直流及高频的电路仿真，可方便地用来模拟肖特基二极管直流及高频的电学特性。本发明还提出了基于上述模型的测试流程和参数提取方法，可较大地提高肖特基二极管等效电路电学模型参数的提取效率和模型对器件电学特性的拟合效果。
肖特基二极管等效电路模型及其参数提取方法

[发明专利]一种高可靠SiC肖特基二极管及其制作方法-CN202110662008.4有效
发明人：侯斌;何静博;郭胤;李照;鲁红玲;胡长青 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种高可靠SiC肖特基二极管及其制作方法，通过保护SiC肖特基二极管的肖特基接触区，提高肖特基二极管的可靠性，包括以下步骤：在位于N+衬底的N‑漂移层的表面进行氧化层的淀积；通过光刻刻蚀形成有源区；在有源区内进行P型离子注入然后高温退火；在SiC晶圆背面退火完成欧姆接触电极；腐蚀氧化层，对边缘两侧的氧化层进行腐蚀保留，在SiC晶圆正面退火形成肖特基接触电极；在肖特基接触区通过阳极金属蒸发或溅射和钝化层淀积的交替进行，实现对肖特基接触区的保护；并在钝化层中光刻孔洞，形成上下层金属层之间的互联，高可靠SiC肖特基二极管制作完成。
一种可靠 sic 肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]一种沟槽结构肖特基器件-CN201110170815.0无效
发明人：王颖;徐立坤;曹菲;刘云涛;邵雷 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供的是一种沟槽结构肖特基器件。包括阳极电极(1)、二氧化硅层(2)、P+保护环(3)、肖特基接触(4)、P型掺杂区域(5)、N型漂移区(6)、N+衬底区(7)、阴极电极(8)，在N型漂移区(6)内刻蚀有沟槽结构，在沟槽中先形成P型掺杂区域(5)，然后进行肖特基金属溅射形成沟槽内的肖特基接触部分。本发明在普通SBD结构中的漂移区中刻蚀沟槽先形成P型掺杂区，而后溅射肖特基金属与N型漂移区形成肖特基接触。在不牺牲器件反向特性的情况下，提高肖特基器件的正向导通电流。本发明实施工艺与结势垒控制肖特基二极管JBS工艺兼容，容易实现，且更能满足现代功率电子系统的要求。
一种沟槽结构肖特基器件