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[发明专利]一种高极化强度和大应变特性的铁酸铋基薄膜及其制备方法-CN201911194262.5在审
发明人：梁瑞虹;胡钰晴;赵祥永;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： C04B41/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种高极化强度和大应变特性的铁酸铋基薄膜及其制备方法。所述高极化强度和大应变特性的铁酸铋基薄膜包括基体、铁酸铋基铁电层和顶电极，所述铁酸铋基铁电层组成为0.7Bix基铁电薄膜为高度取向，室温下具有矩形度很好的电滞回线，极化强度高，自发极化强度可高达～120μC/cm2，单极应变高达1.26%，具有较大的应变性能
一种极化强度应变特性铁酸铋基薄膜及其制备方法

[发明专利]喷头-CN201811085062.1有效
发明人： B·穆勒;J·特施纳;R·克鲁格 -专利权人：久保集团公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： A62C31/02 文献下载
摘要：用于喷洒器系统的喷头(1)包括用于喷洒液体的管线部分(2)，导电的封闭体(5)，导电的基台部分(7)，电连接到管线部分(2)，在基台部分(7)和封闭体(5)之间的热触发元件(8)，触发装置用于主动热触发热触发元件电路板(10)在第一侧上与封闭体(5)电接触，并在第二侧与基台部分(7)电接触。其中，基台部分(7)和封闭体(5)分别与导电通路(9)电连通。控制器(12)可以产生流经基台部分(7)、导电通路(9)和由电源(11)供电的封闭体(5)的电流，用于加热并触发热触发元件(8)。
喷头

[发明专利]光学滤片的锌基薄膜处理方法-CN200680054989.8无效
发明人： R·蒂尔斯奇;T·伯梅;C·H·斯托塞尔;L·博曼 -专利权人：南壁技术股份有限公司
申请日： 2006-09-14 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：一种由包括金属层和介电层的迭层形成的光学滤片，带有至少一层由一片以上锌基薄膜定义的介电层。这些锌基薄膜含有不同百分比的锌。百分比的选择基于介电层中薄膜的位置而定。如果该锌基薄膜在形成金属层之前一刻其锌百分比的范围为80％至100％，则可获得出乎意料的低方块电阻。使锌基薄膜的百分比较接近于50％(25-75)，则可使过程稳定及降低制作成本。通过在邻接金属层的介电层内提供铟基薄膜来进一步提高过程的稳定性。
光学薄膜处理方法

[发明专利]含磺基或氨磺酰基的阴极电涂树脂-CN200980153042.6有效
发明人： A·楚艾;T·S·迪森伯 -专利权人：巴斯夫涂料有限公司
申请日： 2009-07-09 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： C23C22/10 文献下载
摘要：由包含可电沉积粘结剂的水性电沉积涂料组合物制备的涂层为金属基材提供腐蚀保护，所述粘结剂包括含磺基或氨磺酰基的树脂。
含磺基氨磺酰基阴极树脂

[发明专利]电连接器组件-CN201810684584.7有效
发明人：庄顺荣 -专利权人：富士康（昆山）电脑接插件有限公司;鸿腾精密科技股份有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01R13/46 文献下载
摘要：本发明提供一种电连接器组件，所述电连接器组件包括安装支架及固持于所述安装支架的若干电连接器，各所述电连接器包括绝缘本体、固持于所述绝缘本体内的导电端子及固持于所述绝缘本体外的金属壳体，所述安装支架包括基面及与所述基面相对的安装面，所述安装支架具有分别收容并固持所述若干电连接器以使所述若干电连接器之间彼此分离的自所述安装面向所述基面凹设形成的若干收容空间，所述若干电连接器并排设置于所述若干收容空间内，从而方便组装、拆卸，易于更换损坏的电连接器
连接器组件

[实用新型]介电薄膜及介电层结构-CN201721271650.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型提供一种介电薄膜及介电层结构，所述介电薄膜包括：基面，其形成有若干羟基(OH键)；以及二元或多元介电薄膜在一原子层沉积层中，包括由第一前驱体与所述基面上所述羟基(OH键)的第一部分化学吸附并反应形成的诱电介电材料，以及由第二前驱体与所述基面上所述羟基(OH键)的第二部分化学吸附并反应形成的抗漏电流介电材料。本实用新型的流程方式既能减缓电容值降低的现象，也能大幅提升低漏电的特性，从而优化介电层结构的电容特性。
薄膜介电层结构

[发明专利]电活化聚合物-CN03822840.8无效
发明人： R·R·罗伯茨;J·G·本特森;李颖波 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2003-08-07 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： C08G63/00 文献下载
摘要：公开了电活化聚合亚芳基以及用来制造这些聚合物的中间体。本发明还提供了包含所述电活化聚合亚芳基的电活化组合物、包含这些聚合物和组合物的有机电子器件、以及制造这些器件的方法。
活化聚合物

[发明专利]静电保护结构及其形成方法和工作方法、静电保护电路-CN201810575868.2在审
发明人：谷欣明;陈捷;朱恺 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电保护结构及其形成方法和工作方法、静电保护电路，静电保护结构包括：第一集电掺杂区至第M集电掺杂区，第一集电掺杂区与电源端相连接；第一发射掺杂区至第M发射掺杂区；第一基掺杂区至第M基掺杂区，第i基掺杂区位于第i阱区中，第i基掺杂区和第i集电掺杂区位于第i发射掺杂区的两侧，第M发射掺杂区和第M基掺杂区与接地端相连接，第k发射掺杂区、第k基掺杂区与第k+1集电掺杂区相连接；第一电流注入掺杂区至第M电流注入掺杂区
掺杂区静电保护结构发射静电保护电路调整电流电势差电源端接地阱区电源

[发明专利]硅基负极方壳电池的制备方法及电池-CN202310465265.8在审
发明人：韩波;陈凯;冯玉川;李峥;何泓材 -专利权人：苏州清陶新能源科技有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01M10/058 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基负极方壳电池的制备方法及电池，其中方法包括：利用封装膜对硅基负极电芯进行顶封、侧封，并向封装膜内注入电解液；对注液后的所述电芯进行一次封装；对一次封装后的所述电芯进行化成，并在化成过程中向所述电芯施加压力；对化成后的所述电芯进行二次封装，制备成电芯组件；将所述电芯组件设置于壳体中，并将所述电芯组件与盖板连接。本发明实施例公开的硅基负极方壳电池的技术方案，壳体中设置有包裹有封装膜的硅氧电芯组件，当化成过程中硅氧电芯发生膨胀时，可通过压制电芯组件防止电芯组件膨胀，进而解决方壳电池的膨胀变形问题。
负极电池制备方法

[发明专利]一种醇基燃烧器-CN201410443463.5在审
发明人：李良君 -专利权人：李良君
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： F23D11/24 文献下载
摘要：本发明公开一种醇基燃烧器，包括风机、燃烧筒、供油装置、供电装置、控制装置、点火熄火装置和喷嘴。所述风机与燃烧筒连通，所述喷嘴设置在燃烧筒内，所述供油装置通过燃料管与喷嘴相连，所述点火熄火装置设置燃烧筒内，并与设置在风机一侧的控制装置电连接，所述供电装置与控制装置电连接。所述供电装置与控制装置电连接。本发明本醇基环保油炉器具设计新颖，结构简单紧凑，使用安全可靠，在该醇基环保油炉器具上的喷嘴将醇基燃料雾化喷出，使得燃料与空气充分接触，醇基燃料得到充分燃烧，火焰连续，大大提高了醇基燃料的燃烧效率。
一种燃烧

[发明专利]用于管芯平铺的技术-CN201980006856.0在审
发明人： S.V.皮塔姆巴拉姆;段刚;D.库尔卡尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：在示例中，一种制作异构芯片封装的方法可包括：使用硅桥将第一基管芯的第一侧的电端子耦合到第二基管芯的第一侧的电端子，在硅桥周围并且邻近第一基管芯和第二基管芯的第一侧形成有机衬底，以及将精细节点管芯耦合到第一基管芯或第二基管芯中的至少一个的第二侧
用于管芯平铺技术

[发明专利]用于管芯平铺的技术-CN202111031988.4在审
发明人： S.V.皮塔姆巴拉姆;段刚;D.库尔卡尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：在示例中，一种制作异构芯片封装的方法可包括：使用硅桥将第一基管芯的第一侧的电端子耦合到第二基管芯的第一侧的电端子，在硅桥周围并且邻近第一基管芯和第二基管芯的第一侧形成有机衬底，以及将精细节点管芯耦合到第一基管芯或第二基管芯中的至少一个的第二侧
用于管芯平铺技术

[发明专利]形成氮化硅基薄膜或碳化硅基薄膜的方法-CN200980139851.1无效
发明人： A·B·马利克;S·D·纳马尼 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-08-26 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本文提供一种沉积氮化硅基介电层的方法。该方法包括引导一硅前体及一氮自由基前体至一沉积腔室中。该硅前体具有N-Si-H键、N-Si-Si键及/或Si-Si-H键。该氮自由基前体实质上不含氧。该氮自由基前体是在沉积腔室外部产生。该硅前体和该氮自由基前体彼此反应而形成氮化硅基介电层。
形成氮化薄膜碳化硅方法

[发明专利]一种铁电聚合物电卡材料及其制备方法-CN201810134566.1有效
发明人：张光祖;胡昭耀;翁灵兮;姜胜林;李明钰 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电聚合物电卡材料及其制备方法，其中铁电聚合物电卡材料为聚偏氟乙烯(PVDF)基铁电聚合物电卡纳米线阵列，该聚偏氟乙烯基铁电聚合物电卡纳米线阵列还内嵌于多孔阳极氧化铝AAO模板中。本发明是将聚偏氟乙烯基铁电聚合物电卡材料控制形成纳米线阵列，并将该纳米线阵列还内嵌于多孔阳极氧化铝AAO模板中，通过溶液浸润法在多孔阳极氧化铝AAO模板中制备该铁电聚合物纳米线阵列，通过对关键的铁电聚合物的形貌、结构、内部微观连接构造等进行改进，与现有技术相比能够有效解决铁电聚合物电卡强度低、电卡材料内的热传导困难、电卡器件的制冷功率密度低等问题。
电卡铁电聚合物纳米线阵列多孔阳极氧化铝聚偏氟乙烯聚合物基铁电制备内嵌形貌溶液浸润法材料控制连接构造有效解决制冷功率热传导微观改进

[实用新型]用于多层铝基板沉铜板电的防腐蚀加工设备及多层铝基板-CN201420494640.8有效
发明人：邹子誉 -专利权人：江西景旺精密电路有限公司
申请日： 2014-08-30 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本实用新型所提供的用于多层铝基板沉铜板电的防腐蚀加工设备及多层铝基板，通过设置在多层铝基板底面的将铝基完全盖住的导热胶层，在沉铜板电时，铝基由于被导热胶封住，不会受到药水攻击，同时保护了药水缸。相比传统的贴保护膜可以彻底解决沉铜板电时，铝基被腐蚀的现象还可更好地保护药水缸不被铝与药水反应所产生的物质污染；最后，基板沉铜板电品质也可得到保证。
用于多层铝基板沉铜板腐蚀加工设备铝基板