专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体芯片封装制程及其结构-CN200710151582.3有效
  • 林千琪;张志煌;林悦农 - 日月光半导体制造股份有限公司
  • 2007-09-28 - 2008-02-27 - H01L21/50
  • 本发明是有关于一种半导体芯片封装制程及其结构,其制程包含:提供一包含影像感测芯片及绝缘胶体的基底,其影像感测芯片具有焊垫及主动区域;覆盖一透明绝缘体于主动区域上;形成一绝缘层于基底表面;打开复数个开口以裸露焊垫;形成复数个贯穿孔于影像感测芯片外侧,且贯穿绝缘层及绝缘胶体;形成一金属层于绝缘层表面、开口表面、焊垫表面、贯穿孔表面基底,以延伸焊垫至基底;图案化金属层以裸露透明绝缘体顶部区域并除去基底上的金属层的部分区域而形成接点
  • 半导体芯片封装及其结构
  • [发明专利]倒装芯片及其制备方法和照明设备-CN201511032059.X在审
  • 张戈 - 比亚迪股份有限公司
  • 2015-12-31 - 2017-07-07 - H01L33/06
  • 本发明提供了倒装芯片及其制备方法和照明设备,该倒装芯片包括基底,设置于基底的外延层,其中,外延层包括形成有基底的N型氮化镓层;形成在N型氮化镓层下表的多量子阱层;以及形成在N型氮化镓层下表的P型氮化镓层,设置外延层下表的第一反射层,形成于外延层下表的正极,贯穿第一反射层、P型氮化镓层、多量子阱层,并深入至N型氮化镓层,且与外延层接触的表面上具有绝缘层的负极,形成在外延层侧壁上的第二反射层和形成在基底侧壁上的第三反射层该倒装芯片能够有效将从基底和外延层侧壁射出的光反射而从基底正面射出,从而提高光利用率,提高亮度和光均匀性、一致性。
  • 倒装芯片及其制备方法照明设备
  • [实用新型]防滑式塑料排水板-CN201520624016.X有效
  • 林王强 - 林王强
  • 2015-08-19 - 2015-12-02 - E02D3/10
  • 本实用新型公开一种防滑式塑料排水板,包括基底和位于基底表面的凸起,所述凸起上设置有渗透过滤膜,所述基底和所述凸起上均设置有贯穿所述基底的透水孔,所述基底方设置有与之匹配的基座,所述基座上表面靠近四周边缘位置设置有嵌槽,所述基底靠近四周边缘位置设置有与上述嵌槽嵌接匹配的嵌块,渗透过滤膜的四周边沿向下弯折并定位在所述基底和所述基座之间,所述基座下表均匀分布有数个定位吸盘,基座内部设置有充气管,所述充气管上设有数个与所述定位吸盘配合的支管
  • 防滑塑料排水
  • [发明专利]用于将来自基底的热量传递给卡盘的方法和设备-CN02805084.3无效
  • 安德列·米特罗维克;柳连俊 - 东京电子株式会社
  • 2002-02-04 - 2004-04-21 - H01L21/68
  • 一种用于在对基底加工期间支撑基底(W)的方法和卡盘设备(50,150,300),其中所述基底具有以下表(WL)。所述设备有利于在基底的加工期间从基底中传递出热量。该设备包括一卡盘本体(60),它具有一外缘(70)和一粗糙上表面(64U)。该基底如此设置粗糙表面附近,从而基底和粗糙上表面在它们之间形成间隙(100)。该中心管道具有向粗糙上表面打开的第二端部和连接在气体源(86)上与所述第二端部相对的第一端部。该管道如此布置,从而气体可以通过该管道流进所述间隙并且流向卡盘本体外缘。所采用的气体其原子或分子量大于氦。表面粗糙度、基底和较重气体在间隙中的流量如此限定了适应系数α和平均自由行程λ,从而比值α/λ高于现有技术设备。
  • 用于来自基底热量传递卡盘方法设备
  • [实用新型]半导体芯片封装结构-CN201220704873.7有效
  • 王之奇;喻琼;王蔚 - 苏州晶方半导体科技股份有限公司
  • 2012-12-19 - 2013-06-05 - H01L23/528
  • 本实用新型揭示了一种半导体芯片封装结构及封装方法,其中,所述封装结构包括芯片,所述芯片包括上表面、与上表面相背的下表,所述下表上设有感光区和焊垫;基底,所述基底包括上表面,与上表面相背的下表,所述基底表面与所述芯片下表连接;焊球,所述焊球设置于所述芯片上表面;导电层,电连接所述焊垫和所述焊球;所述半导体芯片封装结构还包括覆盖于除基底外的所有芯片封装体外表面的气相沉积高分子有机薄膜。
  • 半导体芯片封装结构

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