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[发明专利]基准电压产生电路-CN202010446240.X在审
发明人：汤浅太刀男 -专利权人：艾普凌科株式会社
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种基准电压产生电路(1A)包括：电流分流电路(10)，具有第一输入端(11a)、第二输入端(11b)、电源输入端(12)、第一输出端(13a)、第二输出端(13b)、第三输出端(13c)、NMOS晶体管(15)及PMOS晶体管(16、17、18)；第一电阻二极管电路(20)，具有电阻(22)及二极管(D1)与电阻(23)；第二电阻二极管电路(30)，具有电阻(32)与二极管(D2)；反馈控制电路(40)，包含反相输入端(‑)、非反相输入端(+)与输出端(43)；电阻分压电路(50)，包含电阻(52)；以及输出端子(60)，与第三输出端(13c)及电阻分压电路(50)的一端连接。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN202080084387.7在审
发明人：山本精一 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G05F3/30 文献下载
摘要：一种基准电压产生电路(1)具备：产生取决于带隙基准电压和电源电压(VCC)的第一基准电压(VREF1)的带隙基准电路(2)；以及将第一基准电压转换为第二基准电压(VREF2)的转换电路(3)。第二基准电压取决于带隙基准电压和接地电压(VSS)。接地电压低于电源电压。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN201510189270.6有效
发明人：吕文君 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提出了一种基准电压产生电路，在基准电压电路和读电路之间添加一个驱动缓冲电路，减少现有技术中基准电压产生电路原有的负载，使基准电压产生电路只与驱动缓冲电路的栅极相连，有效的缩短基准电压的建立时间，使读电路重置时间缩短，进而提高读取速度，基准电压电路改进后较原有设计更为简化，电路在面积和功耗方面也有所减。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN201410054346.X有效
发明人：吉野英生 -专利权人：精工半导体有限公司
申请日： 2014-02-18 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供基准电压产生电路，其即使存在制造工序偏差也具有平坦的温度特性。在半导体制造工艺结束后的半导体装置的电气特性的评价中，分别对3个单位基准电压产生电路（10）的基准电压VREF的温度特性进行评价。然后，从3个单位基准电压产生电路（10）中，仅选择具有最平坦的温度特性的单位基准电压产生电路（10）。只有此处选择出的单位基准电压产生电路（10）的熔断器（13～14）不被断开，而其他熔断器（13～14）被断开。因此，只有选择出的单位基准电压产生电路（10）工作，其他单位基准电压产生电路（10）不工作。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN201910116610.0有效
发明人：佐野稔 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：本发明涉及基准电压产生电路。本发明提供电路规模小且功耗小的基准电压产生装置。基准电压产生电路是，一种基准电压产生电路，具有稳定化电容，将所述稳定化电容的两端的电压作为输出电压输出，所述基准电压产生电路具备：基准电压电路、电压感测电路、电流源电路、以及控制电路，所述电流源电路被构成为生成在所述输出电压比感测电压低的情况下生成的第一电流和在所述输出电压与所述感测电压相同或比所述感测电压高的情况下生成的第二电流，所述第一电流比所述第二电流大，所述电压感测电路具有一个晶体管或级数比所述基准电压电路少的共源共栅连接的晶体管。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN202210014789.0有效
发明人：聂卫东;戴晨峰 -专利权人：无锡市晶源微电子有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供一种基准电压产生电路，包括：基准信号模块、开关电容积分模块、开关信号模块和采样与保持模块，所述开关电容积分模块接收所述基准信号模块输出的所述第一基准电压或所述第二基准电压，并根据所述开关信号模块输出的开关信号，向所述采样与保持模块输出第一调整电压或第二调整电压，所述采样与保持模块通过控制内部开关给后级电路提供一可变基准电压。本申请通过调整开关电容积分模块的充放电占空比，能够生成数值范围广且精度高的可变基准电压，可用于动态参数的补偿调整。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN201410332492.4无效
发明人：黄九洲 -专利权人：南京芯力微电子有限公司
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开的基准电压产生电路，属于集成电路的技术领域。基准电压产生电路，包括：由输入电压转换为预调节电压的预调整电路，在预调节电压作用下产生基准电压的核心电路，预调整电路包括：第一耗尽型NMOS管、第二耗尽型NMOS管，核心电路包括：第三耗尽型NMOS管、本发明简化电路并减小了版图面积，实现了任意值基准电压的输出，具有低功耗、低噪声、低温度系数、高PSRR的优点。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN201010504725.6无效
发明人：杨光军 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-10-12 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：一种基准电压产生电路包括：源极连接至电源电压的第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管；输出端连接至第一PMOS晶体管栅极的比较器；第一电阻器，第一连接端连接至第一PMOS晶体管的漏极，第二连接端连接至比较器的正向输入端该基准电压产生电路具有简单、精确的优势。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN201210525189.7无效
发明人：苏威;武洁;徐家雷 -专利权人：上海华虹集成电路有限责任公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基准电压产生电路，包括：一带隙基准电流产生电路，在该带隙基准电流产生电路的输出端与地之间连接一个采用二极管连接方式的NMOS晶体管，或者串联连接多个采用二极管连接方式的NMOS晶体管。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN201010131284.X无效
发明人：洪诚 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明的基准电压产生电路，包括基准电压产生和比较单元，驱动单元，M个驱动单元替补电路，基准电压产生和比较单元产生基准电压，从基准电压产生电路的输出端输出的电压作为负反馈电压输入到基准电压产生和比较单元中，与基准电压产生和比较单元产生的基准电压进行比较后，从基准电压产生和比较单元的输出端输出到驱动单元和M个驱动单元替补电路，当基准电压产生电路的电源电压不同时，由驱动单元和M个驱动单元替补电路中的至少一个加以驱动后输出到基准电压产生电路的输出端，使基准电压产生电路的输出端输出的电压稳定在基准电压产生和比较单元产生的基准电压上，其中，M是大于等于1的整数。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN200610153133.8无效
发明人：藤泽宏树;中村正行;田中均 -专利权人：尔必达存储器株式会社
申请日： 2006-12-08 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： G05F3/30 文献下载
摘要：一种基准电压产生电路，能降低差动放大器的偏置的影响，对应低电压化。(R₁)中重叠流过与Q₁或Q₂的集电极电流大体上相等的电流和具有比它大的正的温度系数的电流而在电阻(R₁)的两端产生的电压和Q₃的基极－发射极间电压(V_BE3)相加所得的电压。
基准电压产生电路

[实用新型]基准电压产生电路-CN201020175314.2有效
发明人：崔国锋;白青刚;周军 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-04-23 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： G05F3/22 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基准电压产生电路，该电路具有基准电压输出端，包括第一耗尽型NMOS管，第一增强型NMOS管，所述第一耗尽型NMOS管的漏极接电源，第一耗尽型NMOS管的栅极接第一耗尽型NMOS管的源极，所述第一耗尽型NMOS管的源极接第一增强型NMOS管的漏极，第一增强型NMOS管的栅极接第二耗尽型NMOS管的漏极，第一增强型NMOS管的源极接地，所述第一耗尽型NMOS管的源极接至基准电压输出端。本实用新型采用基准电压产生电路结构简单、功率小，并且，本实用新型提供的基准电压产生电路温度特性好，输出端电压不随电源电压变化而变化。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN200980134719.1有效
发明人：藤山博邦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-02-24 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： G05F3/30 文献下载
摘要：本发明提供一种基准电压产生电路。差动放大器(12)输出与电阻元件(R1)和整流元件(D1)的连接点上产生的电压(VD1)和电阻元件(R2，R3)的连接点上产生的电压(VD2)的差相对应的控制电压(VGN)。控制电路(13)将与控制电压(VGN)对应的控制电流(Ic)供给到输出节点(N101)。启动电路(14)响应于电源电压(VDD)的供给，通过将启动电流(Ist)供给到输出节点(N101)，从基准电压(VA)在比希望的电压电平低的电压电平稳定的第1稳定状态过渡到基准电压(VA)在希望的电压电平稳定的第
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN200580006448.3无效
发明人：木下雅善;崎山史朗 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-02-14 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： G05F3/28 文献下载
摘要：本发明提供一种基准电压产生电路，带隙基准电路(BRG电路)(1)由电流密度不同的二极管元件(D1、D2)，3个电阻元件(R1、R2、R3)，向基准电压输出端子(O)提供电流的P型第1晶体管(Tr1)，通过电流镜结构确定在上述第1晶体管(Tr1)中流过的漏极电流的P型第2晶体管(Tr2)和反馈型控制电路(11)构成。上述BGR电路(1)连接到下拉电路(2)上。该下拉电路(2)具有串联连接的电阻元件(R4)和P型晶体管(Tr4)。上述电阻元件(R4)连接到第2P型晶体管(Tr2)的漏极端子上；P型晶体管(Tr4)的栅极端子连接到基准电压输出端子(O)上，漏极端子接地。因此，能够减少从异常稳定点移动到正常稳定点的启动电路中的消耗电流和元件数。
基准电压产生电路

[发明专利]电压基准产生电路-CN201911334086.0在审
发明人：朱乐永 -专利权人：上海芯圣电子股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供一种电路面积小、功耗小且工作电压低的电压基准产生电路，属于电路设计领域。本发明包括Trim电路和n个串联连接NMOS管，Trim电路用于调节由n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比，使在设定温度点时为0，第1个NMOS管的源极接地，第n个NMOS管的漏极输入基准电流，第n个NMOS管的栅漏之间的电压为零温度系数的基准电压VREF，T表示温度，VGS表示NMOS管的栅源之间的电压，n为大于2的正整数。本发明还可以根据室温，确定n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比，进而省略了Trim电路，在常用室温时使用。
电压基准产生电路

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