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[发明专利]电源电路、开关控制电路-CN202180010890.2在审
发明人：赤羽正志 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：根据输入电压来生成目标电平的输出电压的电源电路包括：可变电阻，该可变电阻设置在施加有所述输入电压的布线与规定节点之间；电压生成电路，该电压生成电路基于来自所述可变电阻的电流将规定电平的电压施加到所述规定节点；输出电路，该输出电路在所述规定电平的电压被施加到所述规定节点时，输出所述目标电平的输出电压；以及调整电路，该调整电路调整所述可变电阻的电阻值，从而当从开始生成所述输出电压之后经过规定期间时，使所述可变电阻的电阻值变大。
电源电路开关控制电路

[发明专利]一种集成电路及其基准电压生成电路-CN202010843491.1有效
发明人：丁微微;熊子涵;贾学强 -专利权人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基准电压生成电路，本申请中的处理器可以通过控制电路以调整分压电路中两部分电阻的比值的方式，来将分压电路提供的电压值调整为目标电路当前工作模式所对应的需求电压值，也即无论目标电路需求的电压值是多大，分压电路总能够在处理器的控制下提供给目标电路其需要数值的电压，目标电路不再会因为接收到的基准电压的电压值过高而加大器件损耗，可以延长目标电路的使用寿命。本发明还公开了一种集成电路，具有如上基准电压生成电路相同的有益效果。
一种集成电路及其基准电压生成电路

[发明专利]低电压下能降低功耗和提高精度的CMOS低压带隙基准电压源-CN201910762985.4有效
发明人：谢程益;王野;闫守宝;于翔 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：低电压下能降低功耗和提高精度的CMOS低压带隙基准电压源，通过给出PTAT电流产生的新方式，能够精简掉原有结构中的运放及电流镜，并采用电阻在带隙基准源的输出端对PTAT电流进行分流，从而有利于实现低成本、低功耗、高精度的CMOS低压带隙基准电压源，其特征在于，包括带隙基准电压输出端，所述带隙基准电压输出端分别连接第一电阻的一端，第二电阻的一端，第三电阻的一端，和第二三极管的基极，所述第一电阻的另一端分别连接第六PMOS管的漏极和第一三极管的基极，所述第六PMOS管的源极连接电源电压端，所述第二电阻的另一端连接第三三极管的集电极，所述第三三极管的集电极与基极互连，所述第三三极管的发射极连接接地端，所述第三电阻的另一端连接接地端。
压下降低功耗提高精度 cmos 低压基准电压

[发明专利]基准电压产生电路-CN201910116610.0有效
发明人：佐野稔 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：本发明涉及基准电压产生电路。本发明提供电路规模小且功耗小的基准电压产生装置。基准电压产生电路是，一种基准电压产生电路，具有稳定化电容，将所述稳定化电容的两端的电压作为输出电压输出，所述基准电压产生电路具备：基准电压电路、电压感测电路、电流源电路、以及控制电路，所述电流源电路被构成为生成在所述输出电压比感测电压低的情况下生成的第一电流和在所述输出电压与所述感测电压相同或比所述感测电压高的情况下生成的第二电流，所述第一电流比所述第二电流大，所述电压感测电路具有一个晶体管或级数比所述基准电压电路少的共源共栅连接的晶体管。
基准电压产生电路

[发明专利]用于开关电容调节器的转换速率控制的电路和方法-CN201980009852.8有效
发明人：托马斯·李;李志鹏;阿尔贝托·亚历山德罗·安吉洛·普杰利;汉斯·梅瓦特 -专利权人：莱恩半导体股份有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：电路包括：第一电容器(C1)；第一开关(S1)，其具有耦合至VIN的第一端和耦合至C1的第一端的第二端；第二开关(S2)，其具有耦合至S1的第二端的第一端；第三开关(S3)，其具有耦合至S2的第二端的第一端和耦合至C1的第二端的第二端；第四开关(S4)，其具有耦合至S3的第二端的第一端和耦合至VSUPPPLY的第二端，其中：在第一状态中，S1和S3关断，而S2和S4接通；在第二状态中，S1和S3接通，而S2和S4关断；并且S1的控制端、S2的控制端、S3的控制端和S4的控制端中的至少一个耦合至转换速率随时间变化的信号。
用于开关电容调节器转换速率控制电路方法

[发明专利]电压驱动器电路-CN202080031358.4在审
发明人：扬·保罗·安东尼·范德瓦特;艾伦·帕克斯;劳伦斯·蔡 -专利权人：泰瑞达公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：本文公开了电压驱动器电路及其操作方法。在一些实施方案中，多个电路片设置在电压驱动器电路中，每个电路片具有时间常数，并且被控制以将驱动器输出可切换地连接到高电压电平或低电压电平，或将驱动器输出与两个电压电平断开。该电路片可提供可调整的输出阻抗，该可调整的输出阻抗可被设置成匹配不同负载的阻抗。电路片还可提供具有低功耗的可调整电压，尤其是在高速应用中。电路片还可具有可编程电容器，该可编程电容器可被调整为提供输出电压波形的可编程时域行为，诸如可编程电压峰化特性。
电压驱动器电路

[发明专利]一种相控阵芯片及相控阵系统-CN202010875812.6有效
发明人：赵涤燹;尤肖虎;矣咏燃;柴远;张成军 -专利权人：成都天锐星通科技有限公司;东南大学
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：本发明提供一种了相控阵芯片，包括功分器；多个射频通道，分别连接至功分器上对应的分路端口，每一射频通道包括至少一条信号通路，每一信号通路均包括放大器以及与该放大器串联的移相器和衰减器；全局基准电流模块、与每一信号通路中放大器和移相器一一对应的本地基准电流源以及电流镜，其中，每一信号通道中的放大器和移相器分别通过与其对应的电流镜和本地基准电流源依次连接至全局基准电流模块，全局基准电流模块向与其连接的每一本地基准电流源输入数值相同的基准电流，本地基准电流源和电流镜将基准电流转换为与其对应的放大器和移相器所需的直流偏置；控制模块，与多个射频通道连接。本发明所提供的相控阵芯片其射频通道的一致性优。
一种相控阵芯片系统

[发明专利]低电压电流模式带隙电路及方法-CN201611013533.9有效
发明人：马蒂亚斯·阿诺尔德;阿西夫·加尧姆 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：本申请案涉及低电压电流模式带隙电路及方法。与绝对温度成比例PTAT产生器510在第一调节回路中产生电流PTAT IPTAT及分率VBE。电平移位电压‑电流转换器520布置为第二调节回路且可操作以产生电流ZTC IZTC及/或电压ZTC VZTC。两个调节回路均嵌套到彼此之中。在实施例中，所述电压‑电流转换器520可操作以将经缩放电压PTAT(VPTAT/Y)R504与所述分率VBE(VBE/X)RD502相加以产生ZTC信号。在另一实施例中，所述电压‑电流转换器可操作以将增量电压阈值ΔVTH P611与所述分率VBE(VBE/X)相加以产生所述ZTC信号。
电压电流模式电路方法

[发明专利]用于电动车辆(EV)的快速充电站的DC-DC级的无变压器部分功率转换器(PPC)-CN201880098942.4在审
发明人：萨米尔·费莉佩·考罗雷纳尔;塞巴斯蒂安·安德烈·里韦拉尤尼西;阿尔瓦罗·达尼埃尔·佩桑泰阿尔瓦拉多 -专利权人：费德里科·圣玛丽亚技术大学
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：描述了一种用于电动车辆(EV)的快速充电站的DC‑DC级的新的部分功率转换器(PPC)。所提出的转换器仅管理从电网输送到电池的总功率的一小部分，这增加了系统的总体效率和功率密度，同时潜在地降低了充电器的成本。所提出的拓扑基于桥式转换器H的AC端子之间的开关电容器，并且不需要高频隔离变压器即可在CC链路与电池之间提供可控电压的源。所提出的概念可以通过使用插入的功率单元来实现，这可以改善能量质量，减小电感器的尺寸，并且允许较高标称功率的充电器的可扩展性。
用于电动车辆 ev 快速充电站 dc 变压器部分功率转换器 ppc

[发明专利]具有曲率补偿的带隙参考电路-CN201680064472.0有效
发明人：马蒂亚斯·阿诺尔德;阿西夫·加尧姆 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：在具有曲率补偿的带隙参考电路(20)的所描述的实例中，所述电路(20)包含反射由带隙参考(VBG)传导的电流(Ic)的第一电流镜(25)。两个支路中的栅极‑源极电压之间的差以非线性温度稳定性提供第一镜像电流(Ix)。所述第一镜像电流(Ix)由第二电流镜(35)反射，其中镜像晶体管(34a、34b)具有不同栅极‑源极电压，同时来自所述第二电流镜(35)的电流耦合到所述带隙参考(VBG)以补偿CTAT电流随温度的曲率。
具有曲率补偿参考电路

[发明专利]一种用于产生CMOS阈值电压VTH的电路与方法-CN201910772543.8有效
发明人：耿翔 -专利权人：上海南芯半导体科技有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于产生CMOS阈值电压VTH的电路，主要解决现有CMOS场效应管的阈值电压产生电路结构复杂，功耗高的问题。该电路包括由五个相同MOS管组成的环路，基于两个VGS栅源电压产生阈值电压的MOS管M6，以及用于使MOS管M6处于和MOS管M5处于一样的饱和区的MOS管M7。通过上述设计，本发明电路结构简单，利用多个相同的MOS管组成环路，基于两个MOS管的栅源电压相减，调整两个相同MOS管之间的电流关系即可得到阈值电压，并且该电路不需要运算放大器来稳定结果，简化了电路结构，降低了电路的整体功耗。因此，具有很高的使用价值和推广价值。
一种用于产生 cmos 阈值电压 vth 电路方法

[实用新型]直流电平调节电路-CN201921942598.0有效
发明人：罗小平;成亚平;李云彬 -专利权人：深圳市豪恩汽车电子装备股份有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种直流电平调节电路，包括MOS管S、三极管Q以及PWM信号发生模块，其中：三极管Q的基极、集电极和发射极分别对应连接所述PWM信号发生模块的输出端、MOS管S的栅极和接地端GND，且基极和发射极还通过第一电阻R1相连接；所述MOS管S的源极和漏极分别对应连接至外部电源和直流电平调节电路的输出端，且所述MOS管S的源极和栅极还通过第二电阻R2相连接；所述三极管Q根据所述PWM信号发生模块提供的PWM信号对应处于导通状态、放大状态或截止状态，且所述MOS管S在所述三极管Q处于放大状态时对应处于不完全导通状态。本实施例通过设置MOS管S以及三极管Q，改变PWM信号占空比实现直流电平的动态调节；采用电路元件少，降低了生产成本。
直流电平调节电路

[发明专利]电压变换电路-CN201810772463.8有效
发明人：赵冬亮 -专利权人：坎德拉(深圳)科技创新有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种电压变换电路，包括依次连接的输入电路、偏置电路和放大电路，其中，偏置电路包括偏置电流生成电路、镜像电路以及偏置处理电路，偏置电流生成电路用于生成基准电流，镜像电路与偏置电流生成电路连接，以获取基准电流后生成镜像电流，镜像电流等于基准电流，偏置处理电路包括第一电阻，第一电阻的一端与输入电路连接，另一端与镜像电路连接，偏置处理电路用于根据镜像电流和第一电阻对原始电压信号进行偏置处理；放大电路与偏置处理电路连接，用于接收偏置处理后的信号并对其进行放大得到目标电压信号。上述电压变换电路，只需要调整电路中相关电阻的阻值，即可对原始电压信号进行不同程度的偏置和放大，得到所需目标电压信号。
电压变换电路

[发明专利]偏移补偿电路-CN201811130779.3有效
发明人：李永胜 -专利权人：上海兆芯集成电路有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：一种偏移补偿电路，包括：共模产生器、共模比较器、共模侦测器以及偏移调整电路。共模产生器根据第一输入电压和第二输入电压来产生共模电压。共模比较器根据共模电压来产生第一比较电压和第二比较电压。共模侦测器根据第一比较电压、第二比较电压、第一数据电压以及第二数据电压来产生第一控制电压、第二控制电压、第三控制电压以及第四控制电压。偏移调整电路根据第一数据电压、第二数据电压、第一控制电压、第二控制电压、第三控制电压以及第四控制电压来产生第一输出电压和第二输出电压。本发明可补偿通信系统的信号对内延迟差等。
偏移补偿电路

[发明专利]直流电平调节电路-CN201911095597.1在审
发明人：罗小平;成亚平;李云彬 -专利权人：深圳市豪恩汽车电子装备股份有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种直流电平调节电路，包括MOS管S、三极管Q以及PWM信号发生模块，其中：三极管Q的基极、集电极和发射极分别对应连接所述PWM信号发生模块的输出端、MOS管S的栅极和接地端GND，且基极和发射极还通过第一电阻R1相连接；所述MOS管S的源极和漏极分别对应连接至外部电源和直流电平调节电路的输出端，且所述MOS管S的源极和栅极还通过第二电阻R2相连接；所述三极管Q根据所述PWM信号发生模块提供的PWM信号对应处于导通状态、放大状态或截止状态，且所述MOS管S在所述三极管Q处于放大状态时对应处于不完全导通状态。本实施例通过设置MOS管S以及三极管Q，改变PWM信号占空比实现了直流电平的动态调节；而且采用电路元件少，降低了生产成本。
三极管直流电平调节电路导通状态放大状态发射极输出端电阻源极电路元件动态调节截止状态外部电源直流电平集电极接地端漏极生产成本

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