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[发明专利]相位调整电路-CN200980156476.1无效
发明人：曾川和昭;木下雅善;山田祐嗣 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-07-14 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H03L7/22 文献下载
摘要：本发明提供一种相位调整电路，在将2倍频率时钟进行二分频而得到占空比50％的时钟的相位调整电路中，具有第一相位反相功能的二分频电路(40)，生成相位与相位基准时钟(1)和相位调整时钟(4)分离的中间基准时钟(6)。第一相位控制电路(60)，相对于所述相位基准时钟(1)，将所述中间基准时钟(6)的相位控制在所希望的相位状态。第二相位控制电路(70)，相对于所述中间基准时钟(6)，将所述相位调整时钟(4)的相位控制在所希望的相位状态。因此，在对相位基准时钟与作为二分频输出时钟的相位调整时钟进行相位比较来控制相位调整时钟的相位的情况下，即使当相位调整时钟被相位调整为相位基准时钟的接近相位时，该两时钟之间的相位差由于时钟抖动而发生变动，也能够正确且稳定地进行该相位差的判定。
相位调整电路

[发明专利]PLL老化电路以及半导体集成电路-CN200780048484.5无效
发明人：山田祐嗣;木下雅善;曾川和昭;中冢淳二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H03L7/099 文献下载
摘要：本发明提供一种PLL老化电路以及半导体集成电路。在未内置环路滤波器的PLL中，使用较少的电路结构构成用于以适当的振荡频率对压控振荡器进行老化测试的附加电路。经由开关(12a)在压控振荡器(10)内的电压电流变换晶体管(11)的栅极端子上连接与晶体管(11)相同极性的进行了二极管连接的晶体管(13)的栅极，在晶体管(13)的漏极端子上连接电流源(14)，适当地调整电流源(14)供给的电流值、晶体管(11)以及晶体管(13)的尺寸比，从而可以对压控振荡器(10)内的环形振荡器供给用于进行老化测试而所需的电流。
pll 老化电路以及半导体集成电路

[发明专利]PLL电路-CN200780000773.8有效
发明人：曾川和昭;木下雅善;山田祐嗣;中塚淳二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H03L7/099 文献下载
摘要：在PLL电路中，在电压控制振荡器4中具有2个电压电流转换电路(40、41)、和选择这些电压电流转换电路(40、41)的任一个的输出的选择电路(42)。由选择电路(42)所选择的一个电压电流转换电路的输出被输入到电流控制振荡器(45)。一个电压电流转换电路(41)的输入端与环路滤波器(3)的输出端相连接，另一个电压电流转换电路(40)的输入端与电压控制振荡器(4)的振荡特性评价用的输入端子(8)相连接。因此，能够有效地抑制由将用于评价电压控制振荡器的振荡特性的输入端子经由开关与环路滤波器相连接的结构而产生的环路滤波器的电压的时间变化和PLL电路的输出频率的时间变化。
pll 电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN200580006448.3无效
发明人： 木下雅善;崎山史朗 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-02-14 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： G05F3/28 文献下载
摘要：本发明提供一种基准电压产生电路，带隙基准电路(BRG电路)(1)由电流密度不同的二极管元件(D1、D2)，3个电阻元件(R1、R2、R3)，向基准电压输出端子(O)提供电流的P型第1晶体管(Tr1)，通过电流镜结构确定在上述第1晶体管(Tr1)中流过的漏极电流的P型第2晶体管(Tr2)和反馈型控制电路(11)构成。上述BGR电路(1)连接到下拉电路(2)上。该下拉电路(2)具有串联连接的电阻元件(R4)和P型晶体管(Tr4)。上述电阻元件(R4)连接到第2P型晶体管(Tr2)的漏极端子上；P型晶体管(Tr4)的栅极端子连接到基准电压输出端子(O)上，漏极端子接地。因此，能够减少从异常稳定点移动到正常稳定点的启动电路中的消耗电流和元件数。
基准电压产生电路

[发明专利]半导体集成电路-CN200480000034.5有效
发明人：崎山史朗;木下雅善;炭田昌哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-02-19 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种半导体集成电路，主电路(2)由源极和基板电位分离的MOS晶体管构成。基板电位控制电路(1)，控制主电路(2)的MOS晶体管的基板电位，以便使构成主电路(2)的MOS晶体管的实际饱和电流值，成为在主电路(2)的动作电源电压(Vdd)之下的目标饱和电流值(Ids)。所以，即使半导体集成电路的动作电源电压成为低电压化，也能抑制动作速度的离差。
半导体集成电路

[发明专利]半导体集成电路装置-CN200310102465.X有效
发明人：炭田昌哉;崎山史朗;木下雅善 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-10-21 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体集成电路装置，可控制MOSFET的衬底电压，以使MOSFET的亚阈值区域或饱和区域的某任意栅极电压值的漏极电流消除温度依存性、工艺偏差依存性，谋求动作稳定性的提高。其包括：集成电路主体(16A)；监视装置(15A)；衬底电压调节装置(14A)，其中，监视器装置(15A)包括：恒流源(12A)；和所述多个MOSFET在同一衬底上形成的监视用MOSFET(11A)，衬底电压调节装置(14A)包括：在接地电位上连接监视用MOSFET(11A)的漏极端子和集成电路主体(16A)的多个MOSFET的漏极端子的状态下将监视用MOSFET(11A)的源极电位和预先决定的基准电位比较的比较装置(13A)，将基于采用比较装置(13A)的比较结果输出的输出电压反馈到监视用MOSFET(11A)的衬底电压中。
半导体集成电路装置

[发明专利]大规模集成电路的配置方法-CN00800979.1无效
发明人：崎山史朗;木下雅善;梶原准;山本裕雄;里见胜治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-03-23 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：为了提供在标准单元方式的LSI设计中具有充分的抑制电源噪声的效果且可实现充分的电源稳定化的LSI配置方法，在标准单元的自动配置布线的LSI设计中，具备电源电容单元作为标准单元之一，关于电源电容单元，根据作为标准单元之一的各逻辑门单元的驱动负载电容值来确定电容值，配置在逻辑门单元的附近。
大规模集成电路配置方法

[发明专利]电源装置-CN02126123.7无效
发明人：梶原准;木下雅善;崎山史朗 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-07-16 - 公布日： 2003-02-19 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：一种电源装置，为了实现输出电压建立的高速化，并降低电源装置切换似的电压下陷，在停止电力供给的第2动作模式，断开输出开关的同时，通过基准电压发生电路将与电力供给时(第1动作模式)稳定状态的栅极电压相等的基准电压Vref2施加在输出晶体管的栅极上。由此，在第1动作模式时，由差分运算放大器的反馈可以迅速进入稳定状态。另外，在第2动作模式中断开向基准电压发生电路及差分运算放大器供给电力的开关，降低电源装置自身的消耗电力。
电源装置

[发明专利]电源装置-CN99107523.4无效
发明人：中平博幸;山本明;崎山史朗;木下雅善;里见胜治;梶原准;山本真一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1999-04-12 - 公布日： 2003-01-22 - 主分类号： H02M3/338 文献下载
摘要：一种电源装置，包括一个电源电路，用于把一个输入电压变换成一个输出电压并且把该输出电压提供给一个负载。电源电路包括多个具有不同变换效率的电压变换电路和一个选择电路，用于选择多个电压变换电路之中的一个电压变换电路以便改进电源电路的变换效率。
电源装置

[发明专利]开关稳压器、直－直变换器及具有开关稳压器的LSI系统-CN00800170.7有效
发明人：梶原准;崎山史朗;木下雅善;里见胜治;大谷一弘 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-02-23 - 公布日： 2001-05-09 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：一种同步整流式开关稳压器,其具备在电源Vdd和接地Vss之间串联连接的第1及第2开关SW1、SW2;对开关SW1、SW2进行通、断控制的开关控制部1;将输出节点电位Vnd平滑化的平滑电路4。在第1开关SW1导通期间内,若信号Scl表征输出节点电位Vnd低于为突入电流检测基准的第1基准电位Vrl,控制电路10则将第1开关SW1断开。换句话说,本发明中,利用第1开关SW1的通态电阻所引起的压降来检测突入电流,因此不用设置用以检测突入电流的电阻元件。
开关稳压器变换器具有 lsi 系统

[发明专利]电源电路和半导体芯片的设计方法-CN99801001.4无效
发明人：山本明;崎山史朗;中平博幸;木下雅善;里见胜治;梶原准;山本真一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1999-02-10 - 公布日： 2000-11-08 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种根据本发明的电源电路是形成于一半导体芯片上的电源电路,它包括输出一电源电压的输出晶体管部分和用来控制输出晶体管部分的控制电路。输出晶体管部分设置在半导体芯片的外部输入/输出端附近。
电源电路半导体芯片设计方法

[发明专利]具有突入电流抑制手段的电源电路及具有该电源电路的集成电路-CN99119063.7无效
发明人： 木下雅善;崎山史朗;梶原准;里见胜治;山本裕雄;大谷一弘 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1999-09-13 - 公布日： 2000-03-22 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：一种电源电路,包括将电流供到输出端4的输出晶体管1;和控制输出晶体管1的电流供给,使得基准电压REF和输出电压OUT相等的差动放大电路2。在差动放大电路2的输出级的电流通路上设置作为源随器的抑制用晶体管11,它的源电位控制输出晶体管1的栅电位。在电源电路启动之前,由动作控制部15给电容器16充电,而在初始动作时靠电流源17使电容器16逐渐放电。因此,输出晶体管1的栅源极间电压逐渐上升,突入电流的产生可被抑制。
具有突入电流抑制手段电源电路集成电路

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