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- [发明专利]静电放电保护电路及半导体装置-CN202310256435.1在审
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五十岚覚
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艾普凌科株式会社
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2023-03-16
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2023-10-24
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H01L27/02
- 本发明提供一种即便对于上升时间短的静电放电也可保护内部电路的静电放电保护电路及半导体装置。一种静电放电保护电路，具有截止晶体管，所述截止晶体管包括：P型半导体基板；N型阱区域，形成在半导体基板的上部；N型漏极区域，形成在阱区域的上部，杂质浓度比阱区域高；N型源极区域，在阱区域的上部中与漏极区域分离形成，杂质浓度比阱区域高；栅极绝缘膜，形成在漏极区域与源极区域之间；栅极电极，形成在栅极绝缘膜的表面；以及P型高浓度区域，形成为在阱区域的上部中至少与沟道区域的角部附近的漏极区域相接，杂质浓度比阱区域高。
- 静电放电保护电路半导体装置
- [发明专利]双极晶体管及半导体装置-CN202310254079.X在审
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津村和宏
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艾普凌科株式会社
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2023-03-16
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2023-10-24
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H01L27/02
- 本发明提供一种可减小电性特性的偏差的双极晶体管及半导体装置。一种双极晶体管(100)，具有：集电极区域(150)，是P型半导体基板(110)中的规定区域；基极区域(140)，形成在集电极区域(150)内且是N型阱区域；多晶硅(130)，隔着绝缘膜(131)形成在基极区域(140)上，且俯视时的外周呈矩形的环状；以及P型发射极区域(120)，被多晶硅(130)包围且形成在基极区域(140)内，多晶硅(130)包括延伸部(130a)，所述延伸部(130a)向基极区域(140)的接触区域(141)的内侧延伸并与基极区域(140)电性连接。
- 双极晶体管半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202310229916.3在审
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加藤伸二郎
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艾普凌科株式会社
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2023-03-10
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2023-10-17
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H01L27/02
- 本发明提供一种可减低在泄放电阻电路中电阻元件中产生的电阻值的偏差，并且使结构简化的半导体装置。半导体装置包括：第一电路，具有串联连接的多个固定电阻元件；第二电路，与所述第一电路串联连接，并且具有串联连接的多个可变电阻元件；第一盖部，设置于所述第一电路的上层侧，覆盖所述第一电路；以及第二盖部，设置于所述第二电路的上层侧，覆盖所述第二电路，所述第一盖部包括两个以上的第一金属膜，所述两个以上的第一金属膜与包含任意个数的所述固定电阻元件的单元相对应地电性连接，所述第二盖部包括与多个所述可变电阻元件电性连接的第二金属膜。
- 半导体装置
- [发明专利]电池电压监测装置-CN202310255207.2在审
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今泉栄亀;内田俊之;沈标;铃木和久
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艾普凌科株式会社;天津力神电池股份有限公司
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2023-03-15
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2023-10-17
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G01R31/396
- 本发明提供一种可内置于电池系统的电池电压监测装置。电池电压监测装置包括：时钟生成电路；开关电路，具有源极(简称S)与背栅极经连接的第一N型晶体管(简称Tr)、第二N型Tr、第一P型Tr及第二P型Tr，第一N型Tr及第一P型Tr的其中一者的漏极(简称D)与另一者的S连接，其中一者的S与信号输入部连接，另一者的D与信号输出部连接，第二N型Tr及第二P型Tr的其中一者的D与另一者的S连接，其中一者的S与信号输入部连接，另一者的D与信号输出部连接；第一生成电路，生成第一P型Tr的第一控制信号与第二P型Tr的第二控制信号；及第二生成电路，生成第一N型Tr的第三控制信号与第二N型Tr的第四控制信号。
- 电池电压监测装置
- [发明专利]传感器装置以及包括所述传感器装置的半导体装置-CN202310263328.1在审
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挽地友生
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艾普凌科株式会社
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2023-03-17
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2023-09-22
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G01D5/14
- 提供一种不会损害检测判定结果的可靠性而使电路占用面积小面积化的传感器装置以及包括所述传感器装置的半导体装置。传感器装置包括：传感器元件，输出信号；第一判定电路，输出初始化信号，所述初始化信号包含与判定检测出物理量的意旨是否连续两次一致的结果对应的信号电平；第二判定电路，具有计数器，所述计数器能够在检测出物理量的意旨并非连续两次时对计数数值进行初始化，另一方面，为连续两次时继续计数而计数至设定次数为止，且所述第二判定电路输出输出锁存信号，所述输出锁存信号包含与是否连续一致至所述设定次数为止对应的信号电平；以及输出寄存器，根据输出锁存信号的信号电平的变化，切换输出信号的信号电平。
- 传感器装置以及包括半导体
- [发明专利]电压变动检测电路-CN202310220883.6在审
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挽地友生;井东嵩裕
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艾普凌科株式会社
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2023-03-09
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2023-09-22
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G01R19/165
- 本发明提供一种能够使用低耐压的半导体元件来检测电压变动的电压变动检测电路。电压变动检测电路(1)包括：电源降低检测电路(10)，对输出第一电压的第一电源的电压降低进行检测，并通过比所述第一电源的电压低的第二电压输出所检测出的结果来作为电压降低检测信号；误检测防止电路(20)，对所述第一电源的电压的上升进行检测，并通过所述第二电压输出所检测出的结果来作为电压上升检测信号；以及晶体管(30)，在基于所述电压上升检测信号检测所述第一电源的电压的上升的期间，屏蔽所述电压降低检测信号的输出。
- 电压变动检测电路
- [发明专利]ESD保护电路及半导体装置-CN202310229884.7在审
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津村和宏
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艾普凌科株式会社
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2023-03-10
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2023-09-22
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H01L27/02
- 本发明提供一种与被保护电路的运行电压及破坏电压对应的ESD保护电路及半导体装置。一种ESD保护电路(100)，连接于VDD端子与VSS端子之间，与在运行电压下运行并且在破坏电压以上的电压下被破坏的内部电路(C)并联连接，而保护内部电路(C)不受静电放电的影响，所述ESD保护电路(100)具有串联连接的多个ESD保护元件(110、120)，多个ESD保护元件(110、120)是晶体管、二极管元件或者它们的组合，比运行电压高的电压下的多个ESD保护元件(110、120)的电流‑电压特性的总和比运行电压高且比破坏电压低，直至达到能够保护内部电路(C)的放电电流值以上。
- esd保护电路半导体装置
- [发明专利]电流检测装置-CN202310208080.9在审
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门井圣明
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艾普凌科株式会社
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2023-03-07
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2023-09-12
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G01R19/00
- 本发明提供一种电流检测装置，具有不受供被测定电流流动的测定对象物的结构限制，而能够高精度地对测定对象物的电流值进行测定的通用性。本发明的电流检测装置(1)具有：主汇流条(B)，供被检测电流(Bi)流动；以及半导体芯片(2)，与主汇流条(B)隔开配置，半导体芯片(2)包括：分支汇流条(3)，与主汇流条(B)并联连接；检测部(4)，与分支汇流条(3)邻接配置，检测基于从主汇流条(B)流到分支汇流条(3)的分支电流(3i)所产生的第一磁场(H1)；以及输出部(5)，基于检测部(4)所检测的第一磁场(H1)而对电流值(I)进行运算并输出。
- 电流检测装置
- [发明专利]施密特电路-CN202211274068.X在审
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菅野纯一;今井靖
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艾普凌科株式会社
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2022-10-18
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2023-06-30
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H03K3/3565
- 本发明提供一种施密特电路，即便在连接于未取得阻抗匹配的通信总线而在输入信号叠加有反射噪声的情况下，施密特电路的输出也不产生颤动。本发明的施密特电路包括第一信号检测电路、第二信号检测电路、锁存器电路、选择信号生成电路、第一输入端子及第一输出端子，第一信号检测电路连接于第一输入端子、锁存器电路及选择信号生成电路，第二信号检测电路连接于第一输入端子、锁存器电路及选择信号生成电路，锁存器电路连接于选择信号生成电路和输出端子，选择信号生成电路具有延迟电路。
- 施密特电路
- [发明专利]包括升压电路的电子机器-CN202211474320.1在审
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宇都宫文靖;道関隆国;田中亜実
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艾普凌科株式会社
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2022-11-23
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2023-06-27
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H02J7/00
- 本发明提供一种包括升压电路的电子机器。所述电子机器包括：第一蓄电电容，包含与输入端子连接的第一端及连接于基准电位端子的第二端；第一整流元件；第二蓄电电容，包含经由所述第一整流元件而与所述第一蓄电电容的所述第一端连接的第一端及连接于所述基准电位端子的第二端；电压检测电路，具有与所述第二蓄电电容的所述第一端连接的电压检测端子及检测信号输出端子；以及升压电路，具有与所述检测信号输出端子连接的检测信号输入端子、连接于所述第一蓄电电容的第一端的升压电力输入端子以及连接于所述第二蓄电电容的所述第一端及所述电压检测端子的节点的升压电力输出端子。
- 包括升压电路电子机器
- [发明专利]振荡电路-CN202210817226.5在审
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藤村学
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艾普凌科株式会社
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2022-07-12
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2023-02-03
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H03K3/353
- 本发明提供一种振荡电路，即使包括在运行时流通大电流的电路，也能够减小通常运行时的消耗电流。振荡电路包括：第一恒流电路，连接于电容器的一端子；第一开关电路，连接于电容器的另一端子与第二电源端子之间；第二恒流电路；第一MOS晶体管，栅极与漏极连接于第二恒流电路，源极连接于电容器的另一端子；第二MOS晶体管，栅极与第一MOS晶体管的栅极连接，漏极连接于电容器的一端子；第二开关电路，连接于第二MOS晶体管的源极与第二电源端子之间；及输出端子，输出基于电容器的一端子的电压的信号，第一开关电路与第二开关电路通过输出端子的信号与所述信号的反相信号来控制接通与断开。
- 振荡电路
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