专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果5072797个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种改善传输性能的新型过孔结构-CN201510338177.7有效
  • 张文梅;苏晋荣;韩丽萍;李莉;陈新伟;杨荣草 - 山西大学
  • 2015-06-18 - 2018-12-07 - H01L23/498
  • 本发明涉及过孔,具体是一种改善传输性能的新型过孔结构。本发明解决了现有过孔插入损耗大、近端串扰大、加工工艺复杂、加工成本高的问题。一种改善传输性能的新型过孔结构,包括、内金属电层、金属过孔、第一二氧化硅隔离层、苯并环丁烯介质层、接地铜环、第二二氧化硅隔离层;其中,的表面开设有上下贯通的第一通;内金属电层层叠于的上表面;内金属电层的表面开设有上下贯通的第二通;第二通的轴线与第一通的轴线重合,且第二通的直径大于第一通的直径;金属过孔同时穿设于第一通和第二通内。
  • 一种改善传输性能新型结构
  • [发明专利]表面电极离子阱与光栅及探测器、及架构的集成方法-CN201911121046.8有效
  • 杨妍;李志华;王文武;谢玲;张鹏 - 中国科学院微电子研究所
  • 2019-11-15 - 2022-04-29 - H01L31/18
  • 本发明提供表面电极离子阱与光栅及探测器的集成方法,包括:在晶圆上形成光栅和结构并对结构离子注入退火;沉积第一质层于结构的上方刻蚀外延窗口并外延或锗,离子注入退火后形成光电探测器;沉积第二质层并形成第一接触;沉积第三质层并形成若干第一和第二;沉积第四质层并形成电极,包括与光电探测器对应的第一电极以及表面电极离子阱的第二电极;自第一电极向下形成第二接触和第三接触;自第二电极向下形成与相对的第三接触;研磨晶圆背面露出第一和第二;沉积并形成钝化层窗口,并在钝化层窗口处形成重布线层和第一微凸块下金属或第一微凸块。
  • 表面电极离子光栅探测器架构集成方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top