|
钻瓜专利网为您找到相关结果 3758032个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]利用减少漏极植入范围而缩小器件尺寸的方法-CN01139868.X有效
-
叶彦宏;范左鸿;刘慕义;詹光阳;卢道政
-
旺宏电子股份有限公司
-
2001-12-03
-
2003-06-11
-
H01L21/336
- /氮化层/氧化层/硅层(SONOS)的堆栈层器件或氮化物只读存储器(NROM),其中,在定义基底上的导电层之后,利用已定义的导电层作为罩幕来进行口袋离子植入,接着,在导电层的侧壁形成间隙壁,再进行形成埋入式漏极的离子植入,由于部分的暴露基底已被间壁隙壁所覆盖,因此所形成的埋入式漏极范围缩小,而且被包覆在口袋掺杂区之内。因此,埋入式漏极的离子扩散不至于缩短信道,而有利器件缩小制作过程。
- 利用减少植入范围缩小器件尺寸方法
|