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[发明专利]一种单晶太阳能电池及其制作方法、一种光伏组件-CN201910367759.6在审
发明人：钱洪强;张树德;李跃;魏青竹;倪志春 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本申请公开了一种单晶太阳能电池，通过从迎光面到背光面依次接触设置的前表面电极、P型基体硅、遂穿层、磷掺杂层及背表面电极；所述磷掺杂层为经过磷掺杂的N型半导体层；所述磷掺杂层与背表面电极形成欧姆接触，且所述背表面电极与所述遂穿层无直接接触；位于所述遂穿层两侧的所述P型基体硅与所述磷掺杂层中的自由载流子可发生遂穿效应，使所述P型基体硅与所述磷掺杂层实现电连接。本申请需进行磷掺杂生成N型半导体层，而磷掺杂工艺简单，提升所述单晶太阳能电池的生产效率；所述背表面电极与所述磷掺杂层薄膜接触，增大了所述单晶太阳能电池的载流子收集效率。
磷掺杂层单晶太阳能电池背表面磷掺杂遂穿层电极光伏组件载流子收集效率前表面电极自由载流子薄膜接触电极形成接触设置欧姆接触生产效率背光面电连接迎光面申请制备制作

[发明专利]一种新式的N型层磷掺杂工艺方法-CN201910940125.5在审
发明人：陆益;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：一种新式的N型层磷掺杂工艺方法。涉及半导体工艺领域,尤其涉及一种新式的N型层磷掺杂工艺方法。提供了一种加工简便，工艺扩散后表面浓度均匀性好的一种新式的N型层磷掺杂工艺方法。本发明在硅片表面制作了一层掺有磷的多晶硅薄膜层，再在含有磷元素的多晶硅层上沉积一层Si3N4层，保护含有磷元素的多晶硅层，在热处理下，该多晶硅薄膜层里的磷原子向硅体内扩散，达到了杂质扩散的目的。
一种新式型层磷掺杂工艺方法

[发明专利]倒装铝镓铟磷基发光二极管及其制作方法-CN200910230193.9有效
发明人：潘群峰;洪灵愿;吴超瑜;张华;吴志强 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2009-11-16 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开的倒装铝镓铟磷基发光二极管及其制作方法，在永久衬底依次外延生成粘结层、反射镜、p型导电窗口层、p型铝镓铟磷基限制层、材料为铝镓铟磷的有源层、n型铝镓铟磷基限制层、材料为砷化镓的n型接触外延层；材料为铝镓铟磷的粗化外延层形成于n型接触外延层的部分区域，n扩展电极形成于n型接触外延层的部分区域上，n焊盘形成于粗化外延层上并与n型扩展电极形成电学接触，p电极形成在永久衬底的背面。在上述结构引入可粗化外延层，湿法蚀刻可粗化外延层并利用n型接触外延层作为化学蚀刻停止层，避免纵向过蚀刻对发光层的损伤；n型欧姆接触的形成是在化学蚀刻粗化工艺之后以避免被蚀刻而出现剥落问题。
倒装铝镓铟磷基发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件-CN202111084159.2有效
发明人：瞿佳华;金井升;张临安 -专利权人：晶科能源（海宁）有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，所述太阳能电池包括N型半导体衬底，所述N型半导体衬底具有相对的前表面和后表面；所述N型半导体衬底的前表面上设有第一钝化层，所述第一钝化层的表面设有第一电极；所述N型半导体衬底的后表面设有掺磷多晶硅层，所述N型半导体衬底后表面与掺磷多晶硅层之间设有含有氮元素和磷元素的氧化层，所述掺磷多晶硅层的表面设有掺磷多晶硅层的表面设有第二钝化层，第二钝化层的表面设有第二电极本申请通过在电池后表面的N型半导体衬底与掺磷多晶硅层设置一层含有氮元素和磷元素的氧化层，提高电池后表面隧穿能力的同时，提高电池后表面钝化效果，从而提升电池的转换效率。
一种太阳能电池及其制备方法组件

[发明专利]一种太阳能电池、光伏组件-CN202210172054.0在审
发明人：瞿佳华;金井升;张临安 -专利权人：晶科能源（海宁）有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请涉及一种太阳能电池、光伏组件，所述太阳能电池包括N型半导体衬底，所述N型半导体衬底具有相对的前表面和后表面；所述N型半导体衬底的前表面上硼扩散层，所述硼扩散层的表面设有第一钝化层，所述第一钝化层的表面设有第一电极；所述N型半导体衬底的后表面设有掺磷多晶硅层，所述N型半导体衬底后表面与掺磷多晶硅层之间设有含有氮元素和磷元素的氧化硅层，所述掺磷多晶硅层的表面设有第二钝化层，第二钝化层的表面设有第二电极。本申请通过在电池后表面的N型半导体衬底与掺磷多晶硅层设置一层含有氮元素和磷元素的氧化硅层，提高电池后表面隧穿能力的同时，提高电池后表面钝化效果，从而提升电池的转换效率。
一种太阳能电池组件

[实用新型]一种抑烟型阻燃家具皮革-CN202221725273.9有效
发明人：刘明;王林云;刘小平 -专利权人：南通中豪超纤制品有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： D06N3/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种抑烟型阻燃家具皮革，它包括溶剂型或水性聚氨酯涂层、溶剂型或水性聚氨酯与磷氮阻燃剂复合涂层、双组份聚氨酯发泡与复合型磷氮阻燃剂复合粘结层、基布层和膨胀石墨涂层，溶剂型或水性聚氨酯涂层下面设计有一层溶剂型或水性聚氨酯与磷氮阻燃剂复合涂层，溶剂型或水性聚氨酯与磷氮阻燃剂复合涂层下面设计有一层双组份聚氨酯发泡与复合型磷氮阻燃剂复合粘结层；双组份聚氨酯发泡与复合型磷氮阻燃剂复合粘结层下面复合一层基布层，基布层下面设计一层膨胀石墨涂层。
一种抑烟型阻燃家具皮革

[发明专利]一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法-CN201610253781.4有效
发明人：汪耀祖 -专利权人：杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法。铟镓磷异质结双极型晶体管从下至上依次包括衬底、重掺杂次集电极区层、重掺杂铟镓磷蚀刻终止层、轻掺杂集电区层、基区层、轻掺杂铟镓磷发射区层和重掺杂发射帽层。本发明能够有效提高异质结双极型晶体管的线性度和可靠性。
一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法

[实用新型]PERC电池-CN201922182625.5有效
发明人：张鹏;张忠文;王永谦;尹丙伟;王岚;王璞;丁蕾;眭山 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：单面PERC电池和双面PERC电池中，P型硅基体的正面依次设置有磷掺杂的N+发射结层、正面二氧化硅层、正面减反射层和正面电极，磷掺杂N+发射结层与P型硅基体之间设置有磷掺杂的N++硅层，正面电极与磷掺杂的N++硅层欧姆接触。硅基体的背面依次设置有背面二氧化硅层、背面氧化铝层、背面氮化硅层。此PERC电池的磷掺杂N+发射结层与P型硅基体之间设置有磷掺杂的N++硅层，正面电极与磷掺杂的N++硅层欧姆接触，既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了少子寿命。
perc 电池

[发明专利]铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法-CN200410062788.5无效
发明人：林涛;江李;陈芳;刘素平;潭满清;王国宏;韦欣;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-07-09 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：一种铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器，其中包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一下包层，该下包层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下包层上，起到光场限制作用；一有源区，该有源区制作在下波导层上，该有源区为发光区；一上波导层，该上波导层制作在有源区上，起到光场限制作用；一上包层，该上包层制作在上波导层上；一P型镓铟磷层，该P型镓铟磷层制作在上包层上；一P型镓砷欧姆接触层，该P型镓砷欧姆接触层制作在P型镓铟磷层上；一P面电极，该P面电极制作在P型镓砷欧姆接触层上；一N面电极，该N面电极制作在衬底的下面。
铝铟磷铝镓铟磷材料大功率半导体激光器制作方法

[发明专利]一种NPN型数字晶体管芯片结构的制造方法-CN202310802767.5在审
发明人：陈磊;王金富;许柏松;唐振;陈烨;邱健繁 -专利权人：江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种NPN型数字晶体管芯片结构的制造方法，其包括如下步骤：选取一N型衬底，形成N型外延层，生长一层二氧化硅氧化层；二氧化硅氧化层上面再次匀上一定厚度的光刻胶，通过光刻掩膜版曝光后开出发射区窗口，同时带胶进行发射区磷注入工艺；形成P型基区；形成在上表面的二氧化硅氧化层；通过光刻掩膜版曝光后开出发射区窗口，同时带胶进行发射区磷注入工艺。通过加入发射区带胶磷注入的方式，以光刻胶作为掩蔽层，发射区高浓度磷离子注入时候绝大部分磷离子都打入光刻胶内，能有效阻止非发射区部分磷离子进入氧化层，避免表层氧化层中出现高浓度磷杂质引起的表层多晶硅介质层在氮气退火时候产生反型
一种 npn 数字晶体管芯片结构制造方法

[发明专利]一种低电容低残压的双向ESD保护器件及其制作方法-CN202111106081.X在审
发明人：宋文龙;杨珏琳;张鹏;许志峰 -专利权人：成都吉莱芯科技有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种低电容低残压的双向ESD保护器件及其制作方法，包括N型衬底材料、P型外延层、正面金属区和背面金属区，P型外延层顶部设有N型扩散区b，N型扩散区b之间设有P型扩散区，最外侧的N型扩散区b外侧设有N型扩散区a，P型外延层顶部设有隔离介质层。外延工艺在N型衬底材料生长一层P型外延层，生长一层牺牲氧化层，光刻形成N型扩散区图形，磷注入，磷推进，形成N型扩散区，光刻形成P型扩散区图形，硼注入，硼推进，形成P型扩散区，光刻形成N型扩散区图形，磷注入，磷推进，形成N型扩散区，正面淀积隔离介质层，光刻形成接触孔区，正面金属化，背面金属化。
一种电容低残压双向 esd 保护器件及其制作方法

[实用新型]具有透明导电层的MWT单多晶N型TOPCON电池-CN201920486987.0有效
发明人：张勇;李国庆;王晨光 -专利权人：深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有透明导电层的MWT单多晶N型TOPCON电池，包括：N型衬底，所述N型衬底的正面依次向上设置有P型扩散层、SiO2层、钝化层、透明导电层和正金属电极，所述N型衬底的背面依次向下设置有超薄遂穿SiO2层、磷掺杂N型硅薄层，所述磷掺杂N型硅薄层外设有背电场层和背金属电极，所述透明导电层上设有多个贯穿至磷掺杂N型硅薄层的通孔，所述通孔内填有连接正金属电极的灌孔金属电极，使正金属电极延伸至磷掺杂N型硅薄层外。本实用新型通过增加透明导电层，可以使电池片接收阳光的受光率提高，同时因其导电特性，可以降低串联电阻，提高太阳能电池的短路电流和填充因子。
透明导电层金属电极磷掺杂薄层衬底本实用新型通孔背金属电极太阳能电池串联电阻导电特性短路电流填充因子向上设置向下设置背电场电池片钝化层多晶灌孔受光背面电池贯穿延伸

[发明专利]一种全背电极N型晶硅异质结太阳电池的制备方法-CN201410424158.1有效
发明人：周洪彪;刘文峰;汪已琳;杨晓生 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种全背电极N型晶硅异质结太阳电池的制备方法，该方法包括在N型硅基底前表面制备纳米绒面、N+型磷浅扩散晶硅层和SiOx钝化/SiNx减反层；在N型硅基底背面制备N++型磷重扩散晶硅层，然后采用印刷腐蚀浆料实现对N++型磷重扩散晶硅层局部腐蚀，再依次沉积一层本征非晶硅薄膜层和一层p型非晶硅薄膜层，去除N++型磷重扩散晶硅层区域表层的本征和p型非晶硅；然后溅射一层透明导电薄膜层，用激光将N型硅基底背面的P区和N区分开
一种电极型晶硅异质结太阳电池制备方法

[实用新型]具有透明导电层的MWT单多晶P型TOPCON电池-CN201920488014.0有效
发明人：张勇;李国庆;王晨光 -专利权人：深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有透明导电层的MWT单多晶P型TOPCON电池，包括：P型衬底，所述P型衬底的正面依次向上设置有N型扩散层、SiO2层、透明导电层和正金属电极，所述P型衬底的背面依次向下设置有超薄遂穿SiO2层和磷掺杂P型硅薄层，所述磷掺杂P型硅薄层外设有背电场层和背金属电极，所述透明导电层上设有多个贯穿至磷掺杂P型硅薄层的通孔，所述通孔内填有连接正金属电极的灌孔金属电极，使正金属电极延伸至磷掺杂P型硅薄层外。本实用新型通过增加透明导电层，可以使电池片接收阳光的受光率提高，同时因其导电特性，可以降低串联电阻，提高太阳能电池的短路电流和填充因子。
透明导电层金属电极磷掺杂薄层衬底本实用新型通孔背金属电极太阳能电池串联电阻导电特性短路电流填充因子向上设置向下设置背电场电池片多晶灌孔受光背面电池贯穿延伸

[发明专利]一种薄膜发光二极管的制造方法-CN201810401664.7有效
发明人：魏晓骏;郭炳磊;吕蒙普;李鹏;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：包括衬底、间隔对称布置在衬底上的结构相同的第一导电层和第二导电层、至少一层磷烯、N型电极和P型电极，第一导电层与衬底构成阶梯结构，第一导电层包括至少一个远离衬底的阶梯面，第一导电层在衬底上的正投影为长方形；第一导电层的每个阶梯面与处于同一平面内的第二导电层的阶梯面上共同设置有一层磷烯，N型电极和P型电极分别设置在距离衬底最远的一层磷烯上，且分别位于第一导电层和第二导电层上方。通过在N型电极和P型电极之间施加电压，同时调节每层磷烯到衬底的靠近导电层的一面的距离，即可使得每层磷烯发出不同颜色的可见光，提高了LED的发光良率。
一种薄膜发光二极管制造方法

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