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[发明专利]一种微波铁电复合薄膜电容器及其制备方法-CN201410358128.5有效
发明人：刘保亭;王世杰;闫小兵;郭哲;贾长江;娄建忠 -专利权人：河北大学
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波铁电复合薄膜电容器，其是以单晶基片为衬底、以1‑3型微波铁电复合薄膜为介电层、以Pt、Au、Ag、Al、Cu、SrRuO或La0.5Sr0.5CoO3为电极的叉指结构的电容器。本发明所述的微波铁电复合薄膜电容器的介电层（掺杂低介电常数材料的BST复合薄膜）具有典型的1‑3型复合结构，与普通以外延BST薄膜为介电层的电容器相比，具有明显更高的调谐率和更低的介电损耗。本发明同时公开了所述电容器的制备方法，其是采用磁控和脉冲激光共沉积的方法，在特定的条件及特定的基片上沉积制备得到1‑3型复合薄膜，然后通过采用光刻工艺和磁控设备构建得到叉指结构的电容器，采用本发明的方法所制备的电容器具有更高的调谐率和更低的介电损耗。
一种微波复合薄膜电容器及其制备方法

[发明专利]一种纳米级三态阻变存储器及其制备方法-CN201410230154.X有效
发明人：闫小兵;陈英方;郝华;娄建忠 -专利权人：河北大学
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米级三态阻变存储器，其是在Pt/Ti/SiO₂/Si衬底的Pt膜层上依次沉积有nc-Si:H膜和Ag电极膜。本发明同时公开了其制备方法，具体是采用PECVD方法在Pt/Ti/SiO₂/Si衬底生长一层nc-Si:H膜，然后采用磁控溅射的方法在nc-Si:H膜上生长Ag电极。本发明的三态阻变存储器具有长的保持时间和良好的开关性能，呈现出较为稳定三阻态的保持，其保持时间长达2.3×10⁵s；并且高阻态电阻与中间阻态电阻的开关阻值比大于10²，中间阻态电阻与低阻态电阻的开关阻值比大于10⁵，拥有显著的开关效应。
一种纳米三态存储器及其制备方法

[发明专利]一种阻变存储元件及其制备方法-CN201310442861.0有效
发明人：闫小兵;贾长江;郝华;陈英方;娄建忠;刘保亭 -专利权人：河北大学
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储元件，其异质结构层形式为Ag/a-IGZO/Pt或Ag/a-IGZO/Au，其中的a-IGZO层为非晶的IGZO阻变存储层，所述a-IGZO层中In、Ga、Zn原子的摩尔比为1∶1∶1。本发明还公开了所述阻变存储元件的制备方法，其通过将自制的IGZO陶瓷靶材采用射频磁控溅射的方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片或Au/Ti/SiO2/Si基片上沉积形成a-IGZO层，然后进行高温退火处理，形成a-IGZO/Pt异质结构层或a-IGZO/Au异质结构层；然后将Ag上电极靶材采用直流磁控溅射的方法在在a-IGZO层上沉积形成Ag上电极层，从而形成Ag/a-IGZO/Pt异质结构层或Ag/a-IGZO/Au异质结构层。本发明所制备的阻变存储元件性能稳定，具有较好的抗疲劳性以及保持特性。
一种存储元件及其制备方法

[发明专利]一种透明阻变存储器及其制备方法-CN201310201770.8有效
发明人：闫小兵;张二鹏;娄建忠;刘保亭 -专利权人：河北大学
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明阻变存储器，是在透明衬底上依次集成有下电极层、阻变层和上电极层，所述下电极层和上电极层为非晶的铟镓锌氧化物薄膜，所述阻变层为非晶的锆铪氧化物薄膜、非晶的氧化锆薄膜或非晶的二氧化铪薄膜。本发明同时提供了所述透明阻变存储器的制备方法，采用射频磁控溅射的方法依次在透明衬底上沉积下电极层—阻变层—上电极层。本发明所提供的透明阻变存储器，具有良好的透光性，其在可见光波段范围内的透光率均在76%以上，最高可达92%左右。
一种透明存储器及其制备方法

[发明专利]一种透明阻变存储器及其制备方法-CN201310200068.X有效
发明人：闫小兵;郝华;娄建忠;刘保亭 -专利权人：河北大学
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明阻变存储器，是在透明衬底上依次集成有下电极层、阻变层和上电极层，所述下电极层和上电极层为非晶的铟镓锌氧化物薄膜，所述阻变层为非晶的氧化镓薄膜。本发明同时提供了所述透明阻变存储器的制备方法，采用射频磁控溅射的方法依次在透明衬底上沉积下电极层—阻变层—上电极层。本发明所提供的透明阻变存储器，具有良好的透光性，其在可见光波段范围内的透光率均在76%以上，最高可达92%左右。
一种透明存储器及其制备方法