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[实用新型]基岛露出芯片正装散热块全包覆封装结构-CN201020119022.7有效
发明人：王新潮;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基岛露出芯片正装散热块全包覆封装结构，包含有芯片(3)、芯片下方的所承载的金属基岛(1)、金属内脚(4)、芯片到金属内脚的信号互连的金属丝(5)、芯片与金属基岛之间的导电或不导电的导热粘结物质I(2)和塑封体(8)，所述金属基岛(1)露出塑封体(8)，其特征在于在所述芯片(3)上方设置有散热块(7)，该散热块(7)与所述芯片(3)之间嵌置有导电或不导电的导热粘结物质II(6)；该散热块(7)本实用新型通过在芯片上方增置散热块，来担任高热量的散热的功能，能够提供散热的能力强，使芯片的热量能快速的传导到封装体外界。避免了芯片的寿命快速老化甚至烧伤或烧坏。
露出芯片散热块全包覆封装结构

[实用新型]基岛露出芯片正装锁定孔散热块封装结构-CN201020119215.2有效
发明人：王新潮;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基岛露出芯片正装锁定孔散热块封装结构，包含有芯片(3)、芯片下方的所承载的金属基岛(1)、金属内脚(4)、芯片到金属内脚的信号互连的金属丝(5)、芯片与金属基岛之间的导电或不导电的导热粘结物质I(2)和塑封体(8)，所述金属基岛(1)露出塑封体(8)，其特征在于在所述芯片(3)上方设置有散热块(7)，该散热块(7)带有锁定孔(7.1)，该散热块(7)与所述芯片(3)之间嵌置有导电或不导电的导热粘结物质本实用新型通过在芯片上方增置散热块，来担任高热量的散热的功能，能够提供散热的能力强，使芯片的热量能快速的传导到封装体外界。避免了芯片的寿命快速老化甚至烧伤或烧坏。
露出芯片锁定散热封装结构

[实用新型]基岛埋入芯片正装散热块表面凸出封装结构-CN201020117833.3有效
发明人：王新潮;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2010-01-27 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基岛埋入芯片正装散热块表面凸出封装结构，包含有芯片(3)、芯片下方的所承载的金属基岛(1)、金属内脚(4)、芯片到金属内脚的信号互连的金属丝(5)、芯片与金属基岛之间的导电或不导电的导热粘结物质I(2)和塑封体(8)，所述金属基岛(1)埋入塑封体(8)，其特征在于在所述芯片(3)上方设置有散热块(7)，该散热块(7)与所述芯片(3)之间嵌置有导电或不导电的导热粘结物质II(6)；所述散热块(7本实用新型通过在芯片上方增置散热块，来担任高热量的散热的功能，能够提供散热的能力强，使芯片的热量能快速的传导到封装体外界。避免了芯片的寿命快速老化甚至烧伤或烧坏。
埋入芯片散热表面凸出封装结构

[实用新型]基岛露出芯片正装散热块表面凸出封装结构-CN201020119211.4有效
发明人：王新潮;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基岛露出芯片正装散热块表面凸出封装结构，包含有芯片(3)、芯片下方的所承载的金属基岛(1)、金属内脚(4)、芯片到金属内脚的信号互连的金属丝(5)、芯片与金属基岛之间的导电或不导电的导热粘结物质I(2)和塑封体(8)，所述金属基岛(1)露出塑封体(8)，其特征在于在所述芯片(3)上方设置有散热块(7)，该散热块(7)与所述芯片(3)之间嵌置有导电或不导电的导热粘结物质II(6)；所述散热块(7本实用新型通过在芯片上方增置散热块，来担任高热量的散热的功能，能够提供散热的能力强，使芯片的热量能快速的传导到封装体外界。避免了芯片的寿命快速老化甚至烧伤或烧坏。
露出芯片散热表面凸出封装结构

[实用新型]基岛埋入芯片正装散热块全包覆封装结构-CN201020117789.6无效
发明人：王新潮;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2010-01-27 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基岛埋入芯片正装散热块全包覆封装结构，包含有芯片(3)、芯片下方的所承载的金属基岛(1)、金属内脚(4)、芯片到金属内脚的信号互连的金属丝(5)、芯片与金属基岛之间的导电或不导电的导热粘结物质I(2)和塑封体(8)，所述金属基岛(1)埋入塑封体(8)，其特征在于在所述芯片(3)上方设置有散热块(7)，该散热块(7)与所述芯片(3)之间嵌置有导电或不导电的导热粘结物质II(6)；该散热块(7)本实用新型通过在芯片上方增置散热块，来担任高热量的散热的功能，能够提供散热的能力强，使芯片的热量能快速的传导到封装体外界。避免了芯片的寿命快速老化甚至烧伤或烧坏。
埋入芯片散热块全包覆封装结构

[实用新型]一种集成式基岛框架结构-CN202220372053.6有效
发明人：关竹颖 -专利权人：无锡华众芯微电子有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开一种集成式基岛框架结构，涉及半导体技术领域。分为高压区和低压区，高压区包括主控芯片基岛、整流二极管基岛、功率管基岛和直连式基岛引脚；低压区包括分离式基岛引脚；整流二极管基岛位于高压区的边侧，整流二极管基岛上设置有直连式基岛引脚，直连式基岛引脚与整流二极管基岛连接；功率管基岛位于高压区另一边侧，与低压区相邻，功率管基岛连接有直连式基岛引脚；主控芯片基岛位于高压区的中部，和整流二极管基岛之间电气隔离，主控芯片基岛上连接有直连式基岛引脚。
一种集成式基岛框架结构

[实用新型]一种半蚀刻双基岛共源共栅半导体引线框架及其封装器件-CN202320632867.3有效
发明人：张勇 -专利权人：张勇
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半蚀刻双基岛共源共栅半导体引线框架，由框架单元组成，框架单元包括框架边框、基岛固定区、引脚、连筋和蚀刻区，框架边框位于外围边缘，基岛固定区包括间隔设置的第一基岛固定区和第二基岛固定区，第一基岛固定区设有半蚀刻的第一基岛，第二基岛固定区设有非蚀刻的第二基岛，第一基岛和第二基岛用于固定芯片；引脚位于所述基岛固定区的下方，并与所述框架边框连接；连筋连接框架边框与基岛固定区及引脚；框架边框内的其他区域设置为蚀刻区，蚀刻区包围所述基岛固定区。
一种蚀刻双基岛共源共栅半导体引线框架及其封装器件

[发明专利]一种新型高密度安装TO-220型半导体封装-CN202110815087.8在审
发明人：夏乾华;曾志敏 -专利权人：鑫金微半导体（深圳）有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型高密度安装TO‑220型半导体封装结构，包括壳体、基岛框架、引脚，所述壳体上设置有通孔，该通孔设置在壳体的上端，所述壳体包括有胶体封装，所述壳体的胶体封装至少高于所述通孔中心点，所述基岛框架设置在壳体内,基岛金属框架背面金属露出以便散热,正面壳体呈台阶形式,靠近通孔位置的台阶处壳体较靠近引脚的壳体薄。本发明提供一种增大基岛框架胶体面积，在半导体封装有限空间面积内可以放置更多的元件或半导体晶圆,又利于产品工作时散热,同时方便用户锁螺丝紧固散热器的一种新型高密度安装TO‑220型半导体封装结构。
一种新型高密度安装 to 220 半导体封装

[发明专利]一种增强型复合生态浮岛-CN201010542977.8有效
发明人：胡勇有;胡军有;刘韵达;张迪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： C02F3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型复合生态浮岛，该浮岛整体由数个浮岛单体通过连接锁扣连接，浮岛整体四周用外框架固定，并在外框架上悬挂生态基，其中浮岛单体包括：单元浮块、定植篮、连接锁扣、水生植物、生态填料、生态基和外框架，其中定植篮通过连接锁扣卡扣于单元浮块上，生态填料填充于定植篮中，水生植物种植于生态填料中。该增强型复合生态浮岛耦合了生态填料、生态基预固定微生物技术，并提供了完善的生态处理系统构建方式，提高了浮岛的污染负荷，同等污染条件下减少了投放面积，缩短了水体净化的时间，构建方式灵活易用，提高了浮岛的适用性
一种增强复合生态

[发明专利]多基岛引线框架及芯片封装方法-CN202210807318.5在审
发明人：王艳荣;李万霞;吕海兰;郭小伟;郭玲芝 -专利权人：华天科技（西安）有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了多基岛引线框架及封装方法，涉及半导体封装技术领域。用以解决现有的单个基岛因设置多个芯片存在面积较大、强度较弱，导致基岛边缘Lead数量不足的问题。包括：第一基岛，其用于设置控制芯片；至少两个第二基岛，每个所述第二基岛上设置一个第二芯片，具有相同信号的两个第二基岛通过基岛连接区连接，在所述基岛连接区上设置通孔；其中，分别设置两个具有相同信号的第二芯片的第二基岛，其具有相同信号，所述第一基岛和每个所述第二基岛电连接。
多基岛引线框架芯片封装方法

[实用新型]基岛露出型及埋入型基岛多圈引脚封装结构-CN201020184763.3有效
发明人：王新潮;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2010-05-05 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基岛露出型及埋入型基岛多圈引脚封装结构，包括基岛(1)、引脚(2)、导电或不导电粘结物质(6)、芯片(7)、金属线(8)和有填料塑封料(9)，基岛(1)有二组，一组为第一基岛(1.1)，另一组为第二基岛(1.2)，在第一基岛(1.1)、第二基岛(1.2)和引脚(2)的正面设置有第一金属层(4)，在所述第一基岛(1.1)和引脚(2)的背面设置有第二金属层(5)，所述引脚(2)设置有多圈，在所述引脚(2)外围的区域、引脚(2)与第一基岛(1.1)之间的区域、第二基岛(1.2)背面、第二基岛(1.2)与第一基岛(1.1)之间的区域、第二基岛(1.2)与引脚(2)之间的区域以及引脚与引脚之间的区域嵌置无填料塑封料(3)，且使所述第一基岛(1.1)和引脚(2)背面尺寸小于第一基岛(1.1)和引脚(2)正面尺寸。
露出埋入型基岛多圈引脚封装结构

[实用新型]下沉基岛露出型及埋入型基岛无源器件封装结构-CN201020184822.7有效
发明人：王新潮;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2010-05-05 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种下沉基岛露出型及埋入型基岛无源器件封装结构，包括基岛(1)、引脚(2)、导电或不导电粘结物质(6)、芯片(7)、金属线(8)和有填料塑封料(9)，所述基岛(1)有二组，一组为第一基岛(1.1)，另一组为第二基岛(1.2)，在引脚(2)与引脚(2)之间或引脚(2)与基岛(1)之间跨接有无源器件(10)，所述第一基岛(1.1)正面中央区域下沉，在所述引脚(2)外围的区域、引脚(2)与第一基岛(1.1)之间的区域、第二基岛(1.2)背面、第二基岛背面(1.2)与第一基岛(1.1)之间的区域以及第二基岛(1.2)背面与引脚(2)之间的区域嵌置无填料塑封料(3)，且使所述第一基岛(1.1)和引脚(2)背面尺寸小于第一基岛(1.1)和引脚(2)正面尺寸。
下沉露出埋入型基岛无源器件封装结构

[实用新型]集成电路引线框架-CN201120309071.1有效
发明人：郑振军;郑石磊 -专利权人：浙江东和电子科技有限公司
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种集成电路引线框架，第一基岛和第二基岛位于框架横向中间，第一基岛和第二基岛互不相连，第一基岛和第二基岛各自具有导脚。本实用新型设计巧妙，具有双基岛，且互不干扰。
集成电路引线框架

[实用新型]下沉基岛露出型及埋入型基岛多圈引脚封装结构-CN201020184824.6有效
发明人：王新潮;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2010-05-05 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种下沉基岛露出型及埋入型基岛多圈引脚封装结构，包括基岛(1)、引脚(2)、导电或不导电粘结物质(6)、芯片(7)、金属线(8)和有填料塑封料(9)，所述基岛(1)有二组，一组为第一基岛(1.1)，另一组为第二基岛(1.2)，所述第一基岛(1.1)正面中央区域下沉，所述引脚(2)设置有多圈，在所述引脚(2)外围的区域、引脚(2)与第一基岛(1.1)之间的区域、第二基岛(1.2)背面、第二基岛背面(1.2)与第一基岛(1.1)之间的区域、第二基岛(1.2)背面与引脚(2)之间的区域以及引脚与引脚之间的区域嵌置无填料塑封料(3)，且使所述第一基岛(1.1)和引脚(2)背面尺寸小于第一基岛(1.1)
下沉露出埋入型基岛多圈引脚封装结构

[实用新型]三片式同步整流封装结构-CN202222579049.X有效
发明人：李联勋 -专利权人：安徽积芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了三片式同步整流封装结构，包括引线框架，引线框架包括:第一基岛，通过第一引脚安装在框架主体的一侧；第二基岛，通过第二引脚安装在框架主体的另一侧；第三基岛，通过连筋安装在框架主体远离第一基岛和第二基岛的侧壁上；第二基岛与第三基岛之间设置有内置电容，本实用新型通过增设第三引脚，第三引脚端部设置有第三基岛，第一基岛、第二基岛和第三基岛两两之间均具有一定的距离，且第二基岛与第三基岛的上壁处于齐平状态，通过采用三个基岛的形式
三片式同步整流封装结构