专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种偏心套检测工装-CN202222898186.X有效
  • 韦娜;靳党林;王晨晨 - 西安威科多机电设备有限公司
  • 2022-11-01 - 2023-03-14 - B23Q17/00
  • 尤其为一种偏心套检测工装,所述偏心套检测工装包括检测工装主体,用于偏心套的检测作业,所述检测工装主体的端面处设有检测用偏心中心孔和加工用中心孔,所述检测用偏心中心孔用于检测偏心套外圆跳动,所述加工用中心孔用于加工检规芯轴外,本实用新型在使用时,通过两端双中心孔由数控镗床加工保证偏心量,大小端外径由外磨加工保证同轴,粗糙及全跳动,并进行高频淬火提高硬度,增加耐磨性可重复使用,左端面吊装孔,方便吊装,该检测工装可作为一种检验用量规用于偏心套的批量化检验,不但检验准确高,而且可以大幅提高检验效率,检验人员劳动强度小,运营成本较低,实用性强。
  • 一种偏心检测工装
  • [发明专利]用于改善特征线宽均匀性的方法-CN200710039786.8有效
  • 任连娟;牟睿 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2007-04-20 - 2008-10-22 - G03F7/20
  • 现有的0.15微米以下的刻蚀制程存在特征线宽均匀较低的问题,影响了产品的良率。本发明的方法包括:采用一组光刻参数对一批测试晶进行光刻并执行显影和刻蚀工序;在各片测试晶上选取若干个点,通过测量每个点刻蚀前后的特征线宽得到一组特征线宽的偏移量;根据特征线宽偏移量在一片晶上的分布情况计算光刻参数的补偿值;采用补偿后的光刻参数对后续的晶进行光刻,并执行显影和刻蚀工序。本发明的方法通过计算光刻参数的补偿值,能对后续刻蚀中可能产生的偏差进行预修正,从而得到特征线宽均匀性较好的晶,提高产品的良率。
  • 用于改善特征均匀方法
  • [实用新型]全自动晶片下片上蜡回流线-CN201921313921.8有效
  • 李继忠;李述周;朱春 - 常州科沛达清洗技术股份有限公司
  • 2019-12-26 - 2020-03-31 - H01L21/677
  • 本实用新型涉及一种全自动晶片下片上蜡回流线,包括主输送线,所述主输送线用于自动输送陶瓷盘,所述主输送线上设置有铲片单元、收纳单元、存放单元、清洗单元、贴片单元、平片单元及转移单元,通过铲片工序、陶瓷盘存放工序、陶瓷盘翻转工序、陶瓷盘清洗工序、晶片贴片工序、晶片平片工序、陶瓷盘及晶片转移工序完成加工。该全自动晶片下片上蜡回流线,各装置之间完全自动化配合,无需任何人工操作,大大降低了工人的劳动力,提高了生产效率,同时,整个装置在无尘环境中进行,采用多重刷洗,大大提高了产品的洁净,得到的产品一致性较好,次品率较低,具有广阔的市场前景。
  • 全自动晶圆片下片上蜡回流

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