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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]使用混合式分裂束激光划线处理及等离子体蚀刻的晶圆切割-CN201280038309.9有效
发明人：类维生;B·伊顿;M·R·亚拉曼希里;S·辛格;A·库玛;A·伊耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：所述方法包括在所述半导体晶圆上方形成掩模。所述掩模由覆盖及保护所述集成电路的层所组成。以分裂束激光划线处理将所述掩模图案化，以提供具有多个间隙的经图案化的掩模。所述图案化曝露位于所述集成电路之间所述半导体晶圆的区域。之后，透过经图案化的掩模上的所述间隙蚀刻所述半导体晶圆，以单分所述集成电路。
使用混合式分裂激光划线处理等离子体蚀刻切割

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201610927405.9有效
发明人：常荣耀;宋洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：该制造方法包括：提供初始结构，该初始结构包括：待蚀刻材料层和位于该待蚀刻材料层上的掩模结构，该掩模结构包括具有亲水性的第一掩模层；对该掩模结构图案化以形成图案化的掩模结构；以该图案化的掩模结构作为掩模，蚀刻待蚀刻材料层；对第一掩模层执行疏水性处理；以及执行清洗处理。本发明的制造方法有利于在清洗处理中，防止第一掩模层发生粘连或者合并，进而可以改善线状结构倒塌的现象。
半导体装置制造方法

[发明专利]制造图案化颜色转换层的方法、以及使用通过该方法获得的颜色转换层制造颜色转换滤光器和有机EL显示器的方法-CN200710141381.5无效
发明人：河村幸则 -专利权人：富士电机控股株式会社
申请日： 2007-07-31 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明的一个目的是提供一种在不会对通过诸如蒸镀法等干法工艺形成的颜色转换层造成任何损害的情况下制造带预定图案的颜色转换层以实现大比例和高清晰度的方法。公开了一种制造图案化的颜色转换层的方法，该方法包括以下步骤：依次在基板上形成蚀刻停止层、使用蒸镀法的颜色转换层、保护层和透明掩模层；使在透明掩模层上形成的抗蚀剂层具有预定图案；将该图案化的抗蚀剂层用作掩模而使透明掩模层具有上述图案；去除图案化的抗蚀剂层；以及将图案化的透明掩模层用作掩模通过干蚀刻法而使保护层和颜色转换层具有所述图案。
制造图案颜色转换方法以及使用通过获得滤光有机 el 显示器

[发明专利]在电池电极上形成图案化表面的压制工艺-CN201810442622.8在审
发明人：吁志强;吴美远;顾文天;阙小超 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：提供了一种制造图案化电极材料的方法。该方法包括将具有第一图案的第一掩模设置在电极材料的第一表面上；将具有第二图案的第二掩模设置在电极材料的相对的第二表面上；通过第一掩模和第二掩模两者朝电极材料施加压力，其中第一掩模的第一图案被雕刻到电极材料的第一表面中，并且第二掩模的第二图案被雕刻到电极材料的第二表面中；以及从电极材料移除第一掩模和第二掩模以形成图案化电极材料。
掩模电极材料图案图案化电极第二表面第一表面雕刻图案化表面电池电极施加压力移除压制制造

[发明专利]半导体器件以及在半导体器件中形成图案的方法-CN200710112493.8无效
发明人：潘槿道;卜喆圭 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-06-28 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开一种用于形成半导体器件的精细图案的方法，包括：形成半导体基板上的第一硬掩模层和所述第一硬掩模层上的第二硬掩模层；利用线/距掩模作为蚀刻掩模而选择性地蚀刻所述第二硬掩模层和所述第一硬掩模层，以形成第二硬掩模层图案和第一硬掩模层图案；形成填充所述第二硬掩模层图案和所述第一硬掩模层图案的绝缘膜；利用所述绝缘膜作为蚀刻掩模而选择性地蚀刻所述第二硬掩模层图案及下面的第一硬掩模层图案，以形成覆盖第三硬掩模层图案的第四硬掩模层图案；移除所述绝缘膜和所述第四硬掩模层图案；利用所述第三硬掩模层图案作为蚀刻掩模将所述半导体基板图案化，以形成精细图案。
半导体器件以及形成图案方法

[发明专利]用于使用电镀来制造精细金属掩模的方法-CN201710494570.4在审
发明人：金治宇;朴钟甲;申兴铉 -专利权人： AP系统股份有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：公开了一种用于使用电镀来制造精细金属掩模的方法。所述方法包括(a)在载具上形成牺牲层；(b)在牺牲层上形成电极层；(c)在电极层上形成光致抗蚀剂膜；(d)通过光刻将光致抗蚀剂膜图案化；(e)形成电镀层；(f)去除图案化的光致抗蚀剂膜，从而留下用作金属图案的电镀层；(g)将电极层图案化以形成对应于金属图案的图案，从而形成包括电镀层和电极层的掩模图案；(h)执行热处理以增大掩模图案的硬度；(i)检查掩模图案；以及(j)将掩模图案从载具分离。
用于使用电镀制造精细金属方法

[发明专利]一种四层掩模图案化磁性隧道结的方法-CN201610284008.4有效
发明人：张云森;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种四层掩模图案化磁性隧道结的方法，包括以下步骤：步骤1：在基底上形成磁性隧道结膜层单元；步骤2：在磁性隧道结膜层单元上形成四层掩模膜层单元；步骤3：在四层掩模膜层单元上形成光刻胶单元；步骤4：通过光刻将光刻胶单元图案化；步骤5：将四层掩模膜层单元图案化；步骤6：将磁性隧道结膜层单元图案化；步骤7：用离子束刻蚀对被破坏的图案化磁性隧道结膜层单元侧壁进行修整；步骤8：用氮化硅层包覆图案化后的磁性隧道结膜层单元本发明有效地改善了钽掩模刻蚀过后的图案和轮廓，以及消除了钽掩模在磁性隧道结刻蚀之前的消耗，降低了磁性随机存储器电路位线和磁性隧道结单元短路的风险。
一种四层掩模图案磁性隧道方法

[发明专利]图案化形成一半导体结构特征的方法-CN201710494179.4在审
发明人：黄彦智;陈育裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本公开提供一种图案化形成一半导体结构特征的方法，此方法包括一掩模层形成于一目标层之上。一合并切割特征形成于此掩模层之上。一第一芯轴层形成于此掩模层和合并切割特征之上。此第一芯轴层进行图案化以形成第一开口于其中。第一侧壁子形成于此第一开口的侧壁。第一开口中填入一介电材料以形成栓塞。此第一芯轴层进行图案化以除去插在相邻第一侧壁子间的第一芯轴层部分。使用此第一侧壁子及栓塞作为一共同蚀刻掩模，将此合并切割特征进行图案化。除去此栓塞。使用此第一侧壁子作为蚀刻掩模，将此掩模层进行图案化。然后使用此掩模层及合并切割特征作为一共同蚀刻掩模，将此目标层进行图案化以形成第二开口于其中。
图案形成一半导体结构特征方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202111529079.3在审
发明人：李贤璂;金德南;裵根熙;孙世一;柳光浩;张哲仁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成第一掩模层；在所述第一掩模层上形成第二掩模层和第一间隔物；在所述第二掩模层上形成光刻胶图案；通过经由第一蚀刻工艺来图案化所述第二掩模层而形成第二掩模图案；通过经由第二蚀刻工艺来图案化所述第一掩模层而形成第一掩模图案；通过经由第三蚀刻工艺来蚀刻所述层间绝缘层的一部分而形成沟槽；以及在所述沟槽中形成互连图案。第一掩模图案在所述第二蚀刻工艺之后的宽度小于光刻胶图案的宽度。
制造半导体器件方法

[发明专利]用于半导体器件的掩模及使用所述掩模的图案化方法-CN200810146358.X无效
发明人：李峻硕 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-08-25 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开一种用于半导体器件的掩模及使用所述掩模的图案化方法。所述用于半导体器件的掩模包括第一掩模，其包括由多个分离的图案组成的按间隔排列的主图案；以及第二掩模，其包括第一辅助图案和第二辅助图案，将所述第一辅助图案设置在对应所述多个分离的图案之间的区域处，将所述第二辅助图案设置在对应所述多个分离的图案的边缘部分处由于第一掩模的主图案间隔排列，边缘部分的图案化能够更加精确，因此能够使得图案更接近地匹配主图案的原始形式；通过独立地控制主图案和辅助图案，能够最优化光学邻近校正；并且即使图案尺寸在90nm以下，使用第一掩模和第二掩模也能够提高光学分辨率
用于半导体器件使用述掩模图案方法

[发明专利]硬掩模叠层和图案化方法-CN200710105307.8无效
发明人： D·曼格;H·博贝科尔;M·弗霍芬;N·纳格尔;T·塔特里;D·卡斯帕里;M·马克特;L·鲍奇;S·布拉维德;M·古茨奇;L·拉塔德;M·罗斯格;M·沃特 -专利权人：奇梦达股份公司
申请日： 2007-03-15 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种用于图案化将被图案化的层的硬掩模叠层，包括：设置在将被图案化的层上方的碳层、布置在碳层顶上的选自SiO₂和SiON的组的材料的第一层和布置在第一层上的硅层。一种要被图案化的层的图案化方法，包括：在要被图案化的层上提供上述硬掩模叠层，和根据在要被图案化的层中要形成的图案，图案化硅硬掩模层。
硬掩模叠层图案方法

[发明专利]晶体管及其制造方法-CN201410125986.5在审
发明人：杨朝舜 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：接着，在栅绝缘层上形成图案化沟道层以及掩模层，其中图案化沟道层与掩模层位于栅极上方，且掩模层位于图案化沟道层上。之后，通过湿式蚀刻剂在栅绝缘层上形成一源极与一漏极，并且通过湿式蚀刻剂移除未被源极与漏极覆盖的掩模层的部分直到图案化沟道层被暴露为止，以形成多个图案化掩模层。
晶体管及其制造方法

[发明专利]图案化衬底的方法-CN201210210886.3有效
发明人：曼弗雷德·恩格尔哈德特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明总体上涉及图案化衬底的方法。在各种实施方式中，图案化衬底的方法可以包括：在衬底上或上方形成辅助层并且在辅助层上或上方形成等离子体蚀刻掩模层，其中设置该辅助层，以使其可以比等离子体蚀刻掩模层更容易地从所述衬底上去除；图案化等离子体蚀刻掩模层和该辅助层，以使衬底的至少一部分暴露；通过使用图案化的等离子体蚀刻掩模层作为等离子体蚀刻掩模的等离子体蚀刻方法来图案化衬底。
图案衬底方法

[发明专利]使用可水溶管芯附接膜的激光及等离子体蚀刻晶圆切割-CN201280033999.9有效
发明人：类维生;M·R·亚拉曼希里;B·伊顿;S·辛格;A·库玛 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：一种方法包括在半导体晶圆上方形成掩模，所述半导体晶圆位于可水溶管芯附接膜上，所述掩模覆盖并保护所述集成电路。以激光划线工艺图案化所述掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。所述图案化暴露出所述集成电路之间的半导体晶圆的区域。然后经由所述图案化掩模中的间隙蚀刻所述半导体晶圆，以形成切割的集成电路。然后以水性溶液图案化可水溶管芯附接膜。
使用可水溶管芯附接膜激光等离子体蚀刻切割

[发明专利]一种光处理设备-CN202110143719.0在审
发明人：卢双豪;尹涛;张金权;康远浩;汪海波 -专利权人：北京梦之墨科技有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： B05D3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种光处理设备，涉及光图案化控制技术领域。该光处理设备，包括：基座、固定在基座上的光源、托盘、以及介于光源与托盘之间的数字化掩模板；其中，托盘上用以放置待处理的基材；数字化掩模板用以根据用户设置的电子图形显示相应的遮光图案，使光源射出的光线穿透数字化掩模板对托盘上的基材进行与遮光图案相反的光处理本发明中的光处理设备通过数字化掩模板根据用户需求显示与电子图形相应的遮光图案，以此满足数字化掩模板的平面上各个区域的遮/光，实现用户所需的图案化的光线。该实施例中由于数字化掩模板的数控优势，因此没有制版需求，即可满足用户多样化的光图案化需求，提升了处理效率，降低了设备要求，节约了制作成本。
一种处理设备

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