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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]图案化的方法与半导体结构-CN201410471474.4有效
发明人：杨金成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种图案化的方法，该方法包括：提供具有材料层的基底；在材料层上形成图案化的硬掩模层，其中具有多个第一孔洞；接着，形成掩模层，其中包括多条线图案掩模，线图案掩模沿着一方向延伸，且将每一第一孔洞分隔成第二孔洞与第三孔洞；以图案化的硬掩模层以及掩模层做为掩模，对材料层进行图案化，以形成具有多个第四孔洞与第五孔洞的图案化的材料层。
孔洞图案化材料层掩模半导体结构硬掩模层线图案掩模层方向延伸基底分隔

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201811285152.5在审
发明人：高永珉;权赫宇;李凖原 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了制造半导体装置的方法，所述方法包括：在目标层上顺序地形成第一硬掩模层、第二硬掩模层和光致抗蚀剂层；对光致抗蚀剂层进行图案化以形成光致抗蚀剂图案；将光致抗蚀剂图案用作蚀刻掩模顺序地对第二硬掩模层和第一硬掩模层进行图案化以形成第一硬掩模图案和位于第一硬掩模图案上的第二硬掩模图案；将第一硬掩模图案和第二硬掩模图案用作蚀刻掩模来蚀刻目标层，其中，第二硬掩模层包括掺杂杂质的非晶硅。
硬掩模图案硬掩模层光致抗蚀剂图案半导体装置蚀刻掩模图案化光致抗蚀剂层蚀刻目标层掺杂杂质抗蚀剂层非晶硅目标层制造

[发明专利]用于以激光及等离子体蚀刻切割基板的多层掩模-CN201610625703.2有效
发明人： J·M·霍尔登;W-S·类;B·伊顿;T·伊根;S·辛格 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种方法包括形成多层掩模，该多层掩模包含位于半导体基板上的可溶于溶剂中的第一掩模材料层及位于该第一掩模材料层上的不溶于该溶剂中的第二掩模材料层。使用激光划线工艺对该多层掩模进行图案化以提供具有间隙的图案化掩模。图案化暴露基板介于IC之间的区域。随后，利用第二掩模材料层保护第一掩模材料层免受至少一部分等离子体蚀刻，对该基板进行等离子体蚀刻至贯穿图案化掩模中的间隙，以单体化IC。在单体化之后溶解可溶材料层以去除多层掩模。
用于激光等离子体蚀刻切割多层

[发明专利]用于以激光及等离子体蚀刻切割基板的多层掩模-CN201280027188.8有效
发明人： J·M·霍尔登;W-S·类;B·伊顿;T·伊根;S·辛格 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：一种方法包括形成多层掩模，该多层掩模包含位于半导体基板上的可溶于溶剂中的第一掩模材料层及位于该第一掩模材料层上的不溶于该溶剂中的第二掩模材料层。使用激光划线工艺对该多层掩模进行图案化以提供具有间隙的图案化掩模。图案化暴露基板介于IC之间的区域。随后，利用第二掩模材料层保护第一掩模材料层免受至少一部分等离子体蚀刻，对该基板进行等离子体蚀刻至贯穿图案化掩模中的间隙，以单体化IC。在单体化之后溶解可溶材料层以去除多层掩模。
用于激光等离子体蚀刻切割多层

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN200910161758.2有效
发明人：罗文勋;刘兴潮;陈进东;黄柏舜 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2009-08-14 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的制造方法，包括下列步骤：提供一基底；于该基底上形成一导电层；于该导电层上形成一第一图案化掩模层；移除该第一图案化掩模层露出的该导电层，使该导电层的一第一侧边露出；以该第一图案化掩模层作为屏蔽进行掺杂步骤，以于该基底中形成一掺杂区；移除该第一图案化掩模层；于该导电层上形成一第二图案化掩模层；移除该第二图案化掩模层露出的该导电层，使该导电层相对于该第一侧边的一第二侧边露出；以及移除该第二图案化掩模层。
半导体结构制造方法

[发明专利]图案化方法-CN201810342025.8有效
发明人：庄于臻;李甫哲;郭明峰;王程钰;朱贤士;陈立强 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开一种图案化方法，其包括下列步骤，在基底上形成硬掩模层。在硬掩模层上形成多个芯线。在芯线上形成多个掩模图案。各掩模图案形成于多个芯线中的一个上。在硬掩模层上形成多个间隙壁，且各间隙壁形成于多个芯线中的一个的侧壁上以及形成于多个掩模图案中的一个的侧壁上。形成覆盖层覆盖硬掩模层、间隙壁以及掩模图案。进行平坦化制作工艺，用以移除掩模图案上以及间隙壁上的覆盖层并移除掩模图案。覆盖层的一部分于平坦化制作工艺之后保留于多个间隙壁之间。在平坦化制作工艺之后，移除芯线以及覆盖层。
图案方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810180316.1有效
发明人：黄冠维;范振豊;陈育裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包含在金属部件上方形成第一图案化层，以及在第一图案化层上方沉积第一掩模层。将第一掩模层图案化以在其中形成第一组的一或多个开口，然后将第一掩模层薄化。将第一掩模层的图案转移至第一图案化层以在其中形成第二组的一或多个开口。第一图案化层可由硅或氧化物材料组成。当掩模层在第一图案化层上方时，可加宽第一图案化层中的开口。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202110559473.5在审
发明人：林琨祐;葛育菱;陈怡臻;廖志腾;陈臆仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在制造半导体器件的方法中，在设置在衬底上方的硬掩模层上方形成牺牲图案，在牺牲图案的侧壁上形成侧壁图案，去除牺牲图案，从而留下侧壁图案作为第一硬掩模图案，通过使用第一硬掩模图案作为蚀刻掩模来图案化硬掩模层，从而形成第二硬掩模图案，并且通过使用第二硬掩模图案作为蚀刻掩模来图案化衬底，从而形成鳍结构。每个第一牺牲图案具有锥形形状，该锥形形状的顶部小于底部。本申请的实施例还涉及半导体器件。
制造半导体器件方法

[发明专利]导体图案的形成方法-CN200810128858.0无效
发明人：谢荣源;陈泳卿 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种导体图案的形成方法，包括下列步骤。首先，在基底上形成第一导体层。接着，在第一导体层上形成图案化硬掩模层。然后，以图案化硬掩模层为掩模，移除部分第一导体层，以暴露出部分基底。接下来，在基底上形成介电层，且介电层覆盖图案化硬掩模层。之后，移除部分介电层，以暴露出图案化硬掩模层。再者，移除图案化硬掩模层，以在介电层中形成开口。继之，在开口中形成第二导体层。
导体图案形成方法

[发明专利]EUV光掩模的制作方法-CN202211481930.4在审
发明人：谢玮哲;朱家庆;陈亚伦;苏煜中;王子奕;郑雅如;连大成;李信昌;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本文涉及EUV光掩模的制作方法。在一种制造反射型掩模的方法中，在掩模坯上方形成粘合层。掩模坯包括衬底、布置在衬底上方的反射多层、布置在反射多层上方的覆盖层、布置在覆盖层上方的吸收剂层和布置在吸收剂层上方的硬掩模层。在粘合层上方形成光致抗蚀剂图案，图案化粘合层，图案化硬掩模层，并且使用图案化的硬掩模层作为刻蚀掩模来图案化吸收剂层。光致抗蚀剂层对粘合层的粘附性高于对硬掩模层的粘附性。
euv 光掩模制作方法

[发明专利]使用具有等离子体蚀刻的混合式电流激光划线制程的晶片切割-CN201280036369.7无效
发明人： W-S·类;S·辛格;M·R·亚拉曼希里;B·伊顿;A·库玛 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：方法包括形成掩模于半导体晶片上。掩模由覆盖及保护集成电路的层组成。接着以电流激光划线制程图案化掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。图案化露出集成电路间的半导体晶片区域。接着经由图案化掩模的间隙蚀刻半导体晶片，以单粒化集成电路。
使用具有等离子体蚀刻混合式电流激光划线晶片切割

[发明专利]EUV光掩模及其制造方法-CN202011469628.8在审
发明人：许倍诚;连大成;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。在一种制造反射掩模的方法中，在掩模胚之上形成光致抗蚀剂层。掩模胚包括衬底、衬底上的反射多层、反射多层上的帽盖层、帽盖层上的吸收体层、和硬掩模层，并且吸收体层由Cr、CrO或CrON形成。光致抗蚀剂层被图案化，硬掩模层通过使用经图案化的光致抗蚀剂层而被图案化，吸收体层通过使用经图案化的硬掩模层而被图案化，并且附加的元素被引入到经图案化的吸收体层来形成经转化吸收体层。
euv 光掩模及其制造方法

[发明专利]EUV光掩模及其制造方法-CN202110041748.6在审
发明人：李信昌;陈嘉仁;许倍诚;连大成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。在一种制造反射掩模的方法中，在掩模坯之上形成光致抗蚀剂层。掩模坯包括衬底、在衬底上的反射多层、在反射多层上的帽盖层、在帽盖层上的吸收体层、和硬掩模层，并且吸收体层由Cr、CrO或CrON制成。光致抗蚀剂层被图案化，硬掩模层通过使用经图案化的光致抗蚀剂层而被图案化，吸收体层通过使用经图案化的硬掩模层而被图案化，并且附加的元素被引入到经图案化的吸收体层来形成经转化的吸收体层。
euv 光掩模及其制造方法

[发明专利]通过激光与等离子体蚀刻的基板切割所用的水溶性掩模-CN201711046435.X在审
发明人： W-S·类;S·辛格;M·R·亚拉曼希里;B·伊顿;A·库玛 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：方法包括以下步骤在半导体基板之上形成掩模，掩模包含水溶性材料层。利用飞秒(femtosecond)激光划线工艺来图案化掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。图案化步骤曝露基板介于IC之间的区域。随后，经由图案化掩模中的间隙蚀刻基板藉以单分(singulate)IC，并洗去水溶性材料层。
通过激光等离子体蚀刻切割所用水溶性

[发明专利]精细图案化半导体器件的方法-CN200810171011.0有效
发明人：李时镛;金明哲;车知勋;田炅烨;尹东基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-10-31 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种精细图案化半导体器件的方法。为了在集成电路制造期间图案化，第一掩模结构的第一图案被形成，缓冲层在第一掩模结构的暴露表面上形成。此外，第二掩模结构的第二图案在第一掩模结构的侧壁处的缓冲层之间的凹陷中形成。而且，第一掩模结构和第二掩模结构通过旋涂各自的高含碳材料形成。该第一掩模结构和第二掩模结构以比传统的光刻更好的节距图案化目标层。
精细图案半导体器件方法

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