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- [实用新型]一种磁环表面抛光装置-CN202321565272.7有效
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黄彦智;贺时礼
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保磁（广州）磁性材料有限公司
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2023-06-19
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2023-10-24
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B24B29/04
- 本实用新型公开了一种磁环表面抛光装置，属于磁环加工技术领域，包括工作台，工作台上端面上设置有固定台，固定台的一侧设置有驱动盘，驱动盘与固定台通过皮带传动，固定台的另一侧设置有用于对磁环进行抛光的抛光盘，固定台上沿半径方向、圆周等距开设有多个安装槽，条形槽贯穿固定台的上端面，安装槽的两端转动设置有螺纹杆，螺纹杆上配合套设有螺纹套，螺纹套上固定有连接柱，连接柱的另一端竖直固定有固定板，固定台上设置有用于驱动螺纹杆的驱动组件。通过上述设置，相较于现有技术而言，对磁环固定时，大大增加了固定板与磁环之间的相抵接面积，从而大大提升了装置对磁环的固定效果，进而大大提高了磁环的抛光效果。
- 一种表面抛光装置
- [实用新型]一种磁铁加工打孔装置-CN202321565276.5有效
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黄彦智;贺时礼
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保磁（广州）磁性材料有限公司
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2023-06-19
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2023-10-24
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B23B41/02
- 本实用新型公开了一种磁铁加工打孔装置，属于磁铁加工技术领域，包括底板，所述底板上滑动设置有两个支架，所述底板上固定设置有两个限位板，两个所述限位板之间转动设置有螺纹杆，两个所述支架与螺纹杆之间螺纹连接，其中一个所述限位板上固定设置有减速机，所述减速机的输出端与螺纹杆之间固定连接，两个所述支架上均设有用于夹持物件的夹持组件，所述底板上固定设置有框架，所述框架上固定设置有两个卡环两个所述卡环之间转动设置有三个转轴，三个转轴上均固定设置有三个小齿轮，所述卡环上转动设置有大齿轮，三个所述小齿轮与大齿轮之间的螺纹连接，所述框架的顶端上固定设置有电机。
- 一种磁铁加工打孔装置
- [发明专利]平坦化方法-CN202110095422.1在审
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黄彦智
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力晶积成电子制造股份有限公司
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2021-01-25
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2022-07-08
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H01L21/3213
- 本发明公开一种平坦化方法，包括以下步骤。提供基底。基底包括第一区与第二区。在基底上形成材料层。第一区的材料层的顶面低于第二区的材料层的顶面。在第一区的材料层上形成图案化光致抗蚀剂层。图案化光致抗蚀剂层暴露出第二区的材料层的顶面。图案化光致抗蚀剂层的顶面高于第二区的材料层的顶面。对图案化光致抗蚀剂层进行第一蚀刻制作工艺，以使得图案化光致抗蚀剂层的顶面与第二区的材料层的顶面具有实质上相同的高度。对图案化光致抗蚀剂层与材料层进行第二蚀刻制作工艺。在第二蚀刻制作工艺中，图案化光致抗蚀剂层的蚀刻率与材料层的蚀刻率实质上相同。
- 平坦方法
- [实用新型]低功耗功率MOS场效应管-CN202022570687.6有效
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黄彦智;俞仲威
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开泰半导体（深圳）有限公司
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2020-11-09
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2021-08-17
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H01L29/06
- 本实用新型公开一种低功耗功率MOS场效应管，包括：P型基体层、轻掺杂N型漂移层、重掺杂N型衬底层，重掺杂N型源极区上表面开有一凹槽，一绝缘介质层覆盖所述沟槽和栅极多晶硅部上表面并延伸覆盖凹槽一部分，一源极金属层覆盖于重掺杂N型源极区上表面并延伸覆盖重掺杂N型源极区的凹槽剩余部分；沟槽内间隔设置有第一栅极多晶硅部、第二栅极多晶硅部，此第一栅极多晶硅部位于第二栅极多晶硅部正上方，所述第一栅极多晶硅部、第二栅极多晶硅部与沟槽之间设置有第一栅极氧化隔离层。本实用新型低功耗功率MOS场效应管提高了重掺杂N型源极区与源极金属层、绝缘介质层的结合力，并改善了MOS器件开关损耗。
- 功耗功率mos场效应
- [实用新型]MOS型功率半导体器件-CN202022570975.1有效
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黄彦智;俞仲威
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开泰半导体（深圳）有限公司
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2020-11-09
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2021-08-17
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H01L29/06
- 本实用新型公开一种MOS型功率半导体器件，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：位于所述P型基体层上部且在沟槽周边具有一重掺杂N型源极区，一绝缘介质层覆盖所述沟槽和栅极多晶硅部上表面并延伸覆盖凹槽一部分，一源极金属层覆盖于重掺杂N型源极区上表面并延伸覆盖重掺杂N型源极区的凹槽剩余部分；沟槽内间隔设置有第一栅极多晶硅部、第二栅极多晶硅部，此第一栅极多晶硅部位于第二栅极多晶硅部正上方；相邻所述MOS器件单胞之间的P型基体层内具有一深凹槽，此深凹槽的下端延伸至轻掺杂N型漂移层的中部。本实用新型MOS型功率半导体器件能承受更高电压，避免在高压时被击穿，并改善了MOS器件开关损耗。
- mos功率半导体器件
- [实用新型]功率MOS场效应管-CN202022570972.8有效
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黄彦智;俞仲威
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开泰半导体（深圳）有限公司
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2020-11-09
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2021-06-29
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H01L29/06
- 本实用新型公开一种功率MOS场效应管，其沟槽内间隔设置有第一栅极多晶硅部、第二栅极多晶硅部，此第一栅极多晶硅部位于第二栅极多晶硅部正上方，所述第一栅极多晶硅部、第二栅极多晶硅部与沟槽之间设置有第一栅极氧化隔离层；位于所述P型基体层上部且在沟槽周边具有一重掺杂N型源极区，一重掺杂P型植入区位于重掺杂N型源极区外侧周边并在竖直方向延伸至重掺杂N型源极区下方相邻所述MOS器件单胞之间的P型基体层内具有一深凹槽，此深凹槽的下端延伸至轻掺杂N型漂移层的中部。本实用新型高强健性功率避免器件过早发生崩溃现象，进而增加器件的强健性且能承受更高电压，避免在高压时被击穿。
- 功率mos场效应
- [实用新型]功率MOSFET器件-CN202022571642.0有效
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黄彦智;俞仲威
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开泰半导体（深圳）有限公司
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2020-11-09
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2021-06-29
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H01L29/06
- 本实用新型公开一种功率MOSFET器件，包括：P型基体层、轻掺杂N型漂移层和重掺杂N型衬底层，沟槽内具有一栅极多晶硅部，此栅极多晶硅部与沟槽之间通过一栅极氧化隔离层，位于所述P型基体层上部且在沟槽周边具有一重掺杂N型源极区，一重掺杂P型植入区位于重掺杂N型源极区外侧周边并在竖直方向延伸至重掺杂N型源极区下方，所述重掺杂P型植入区在水平且朝向沟槽方向延伸至重掺杂N型源极区正下方，所述重掺杂P型植入区与沟槽之间且位于重掺杂N型源极区下方的区域作为通道区；一源极金属层覆盖于重掺杂N型源极区和重掺杂P型植入区上表面。本实用新型功率MOSFET器件在处于反偏压时，有助于让漏电流远离通道区，避免器件过早发生崩溃现象，进而增加器件的强健性。
- 功率mosfet器件
- [实用新型]垂直型金氧半场效晶体管器件-CN202022576105.5有效
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黄彦智;俞仲威
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开泰半导体（深圳）有限公司
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2020-11-09
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2021-06-29
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H01L29/06
- 本实用新型公开一种垂直型金氧半场效晶体管器件，包括：P型基体层、轻掺杂N型漂移层、重掺杂N型衬底层，位于P型基体层中的沟槽从P型基体层上表面延伸至轻掺杂N型漂移层内，此沟槽内具有一栅极多晶硅部；位于所述P型基体层上部且在沟槽周边具有一重掺杂N型源极区，一漏极金属层位于重掺杂N型衬底层与轻掺杂N型漂移层相背的表面，所述重掺杂N型源极区上表面开有一凹槽，一绝缘介质层覆盖所述沟槽和栅极多晶硅部上表面并延伸覆盖凹槽一部分，一源极金属层覆盖于和重掺杂P型植入区上表面并延伸覆盖重掺杂N型源极区的凹槽剩余部分。本实用新型提高了重掺杂N型源极区与源极金属层、绝缘介质层的结合力，并降低了欧姆接触电阻。
- 垂直型金氧半场晶体管器件
- [实用新型]深沟槽功率MOS半导体器件-CN202022576642.X有效
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黄彦智;俞仲威
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开泰半导体（深圳）有限公司
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2020-11-09
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2021-06-29
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H01L29/06
- 本实用新型公开一种深沟槽功率MOS半导体器件，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：位于N型硅片本体上部的P型基体层、位于N型硅片本体中部的轻掺杂N型漂移层、位于N型硅片本体下部的重掺杂N型衬底层；重掺杂N型源极区上表面开有一凹槽，一绝缘介质层覆盖所述沟槽和栅极多晶硅部上表面并延伸覆盖凹槽一部分，一源极金属层覆盖于重掺杂N型源极区上表面并延伸覆盖重掺杂N型源极区的凹槽剩余部分；相邻所述MOS器件单胞之间的P型基体层内具有一深凹槽，此深凹槽的下端延伸至轻掺杂N型漂移层的中部。本实用新型深沟槽功率MOS半导体器件提高了重掺杂N型源极区与源极金属层、绝缘介质层的结合力，并能承受更高电压，避免在高压时被击穿。
- 深沟功率mos半导体器件
- [实用新型]垂直功率MOS半导体器件-CN202022576645.3有效
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黄彦智;俞仲威
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开泰半导体（深圳）有限公司
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2020-11-09
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2021-06-29
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H01L29/06
- 本实用新型公开一种垂直功率MOS半导体器件，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：位于所述P型基体层上部且在沟槽周边具有一重掺杂N型源极区，一重掺杂P型植入区位于重掺杂N型源极区外侧周边并在竖直方向延伸至重掺杂N型源极区下方；一漏极金属层位于重掺杂N型衬底层与轻掺杂N型漂移层相背的表面，重掺杂N型源极区上表面开有一凹槽，一绝缘介质层覆盖所述沟槽和栅极多晶硅部上表面并延伸覆盖凹槽一部分；相邻所述MOS器件单胞之间的P型基体层内具有一深凹槽，此深凹槽的下端延伸至轻掺杂N型漂移层的中部。本实用新型垂直功率MOS半导体器件在处于反偏压时，避免器件过早发生崩溃现象且降低了欧姆接触电阻。
- 垂直功率mos半导体器件
- [实用新型]高可靠性沟槽功率MOS晶体管-CN202022576714.0有效
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黄彦智;俞仲威
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开泰半导体（深圳）有限公司
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2020-11-09
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2021-06-29
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H01L29/06
- 本实用新型公开一种高可靠性沟槽功率MOS晶体管，包括：P型基体层、轻掺杂N型漂移层、重掺杂N型衬底层，位于所述P型基体层上部且在沟槽周边具有一重掺杂N型源极区，一重掺杂P型植入区位于重掺杂N型源极区外侧周边并在竖直方向延伸至重掺杂N型源极区下方，所述重掺杂P型植入区在水平且朝向沟槽方向延伸至重掺杂N型源极区正下方；所述重掺杂N型源极区上表面开有一凹槽，一绝缘介质层覆盖所述沟槽和栅极多晶硅部上表面并延伸覆盖凹槽一部分，一源极金属层覆盖于和重掺杂P型植入区上表面并延伸覆盖凹槽剩余部分。本实用新型高可靠性沟槽功率MOS晶体管在处于反偏压时，避免器件过早发生崩溃现象且降低了欧姆接触电阻。
- 可靠性沟槽功率mos晶体管
- [实用新型]耐压功率MOSFET器件-CN202022576884.9有效
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黄彦智;俞仲威
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开泰半导体（深圳）有限公司
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2020-11-09
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2021-06-29
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H01L29/06
- 本实用新型公开一种耐压功率MOSFET器件，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：P型基体层、轻掺杂N型漂移层、重掺杂N型衬底层，位于所述P型基体层上部且在沟槽周边具有一重掺杂N型源极区，一重掺杂P型植入区位于重掺杂N型源极区外侧周边并在竖直方向延伸至重掺杂N型源极区下方；相邻所述MOS器件单胞之间的P型基体层内具有一深凹槽，此深凹槽的下端延伸至轻掺杂N型漂移层的中部，此深凹槽内填充有一绝缘二氧化硅部，此深凹槽上表面覆盖有一第二绝缘介质层。本实用新型高强健性功率有助于让漏电流远离通道区，且隔离区域能承受更高电压，避免在高压时被击穿。
- 耐压功率mosfet器件
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