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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]没有残余物的硬掩模修整-CN200780020952.8有效
发明人：汤姆·A·坎普 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：硬掩模层提供在该多晶硅层之上。光刻胶掩模形成在该硬掩模层之上。通过该光刻胶掩模蚀刻该硬掩模层以形成图案化硬掩模。通过提供包含氧气和含氟化合物的不含碳修整气体来修整该图案化硬掩模，由该修整气体形成等离子，和并且修整该硬掩模。通过该硬掩模将特征蚀刻进该多晶硅层。
没有残余物硬掩模修整

[发明专利]用于制作具有栅的半导体器件的方法-CN200610083177.8有效
发明人：郑台愚;裵映宪 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-06-07 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底之上形成栅绝缘层；在栅绝缘层之上顺序地形成多晶硅层、硅化物层和硬掩模层；选择性地图案化硬掩模层；使用图案化的硬掩模层作为掩模蚀刻硅化物层，使得硅化物层具有负倾斜的横截面蚀刻轮廓；使用图案化的硬掩模层作为掩模蚀刻多晶硅层以形成栅
用于制作具有半导体器件方法

[发明专利]硬掩模层与半导体元件的制造方法-CN200610074881.7无效
发明人：陈志铭;陈英村;黄德浩;邱达燕;刘庆冀 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2006-04-25 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供了一种硬掩模层的制造方法，包括：于基底上形成一层掩模层；于掩模层上形成一层图案化光致抗蚀剂层；图案化光致抗蚀剂层具有多个开口，且这些开口暴露部分掩模层；之后，移除部分掩模层，以暴露开口底部的部分基底；进行第一氧等离子体处理工艺，以增加掩模层的抗蚀刻性；之后，进行第二氧等离子体处理工艺，以移除残留的图案化光致抗蚀剂层。
硬掩模层半导体元件制造方法

[发明专利]一种在制造光掩模时蚀刻钼层的方法-CN200610066356.0无效
发明人：玛达薇·钱德瑞胡德;艾杰伊·库马;邱伟帆 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造光掩模的方法。在一实施例中，该制造光掩模的方法包括在工艺腔室中提供具有钼层和遮光层的薄膜叠层，图案化遮光层上的第一光刻胶层，使用该第一光刻胶层作为掩模蚀刻遮光层，使用图案化的遮光层和图案化的第一光刻胶层作为复合掩模蚀刻钼层
一种制造光掩模时蚀刻方法

[发明专利]图案化工艺-CN201310026986.5有效
发明人：郭泽绵 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种图案化工艺。提供具有第一区域及第二区域的待图案化层。于待图案化层上形成掩模层。将掩模层图案化，以于第一区域中形成第一开孔以及于第二区域中形成第二开孔。于第一开孔的侧壁上形成经掺杂的多晶硅间隔体。以经掺杂的多晶硅间隔体及经图案化的掩模层为掩模，移除部分待图案化层，以于第一区域中形成第三开孔以及于第二区域中形成第四开孔。
图案化工

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN201410265472.X有效
发明人：周国耀 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制作方法，利用单次曝光形成高密度图案，包含以下步骤：首先提供一基底，一硬掩模和一图案化光阻层覆盖基底，其中图案化光阻层包含至少四个第一孔洞，第一孔洞排列成两列两行，接着以图案化光阻层为掩模，移除部分的硬掩模以在硬掩模中形成至少四个第二孔洞，然后扩大各个第一孔洞，再以一填充材料填满各个扩大的第一孔洞以及填满各个第二孔洞，之后完全移除图案化光阻层并且曝露出部分的硬掩模，接续以填充材料为掩模，移除部分的硬掩模，以在硬掩模中形成至少四个第四孔洞，最后完全移除填充材料。
孔洞硬掩模图案化光阻层移除半导体器件填充材料基底掩模填充材料填满高密度图案单次曝光孔洞排列填满制作接续覆盖

[发明专利]半导体装置的元件隔离结构及其形成方法-CN201110208332.5有效
发明人：姜良范 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置的元件隔离结构及其形成方法，该方法包括：准备半导体基底，该半导体基底具有限定在半导体基底上的无源区和有源区；在半导体基底上形成第一硬掩模；通过将第一硬掩模图案化来暴露半导体基底的无源区；在包括第一硬掩模的半导体基底的整个表面上形成第二硬掩模；通过将第二硬掩模和半导体基底图案化，在半导体基底中形成深沟槽；去除被图案化的第二硬掩模；通过使用第一硬掩模作为掩模将半导体基底图案化，来形成与深沟槽叠置的浅沟槽；在包括浅沟槽和深沟槽的基底的整个表面上形成绝缘膜；通过在绝缘膜上形成元件隔离膜来填充浅沟槽和深沟槽；通过选择性地去除元件隔离膜，在深沟槽和浅沟槽中形成元件隔离膜图案。
半导体装置元件隔离结构及其形成方法

[发明专利]形成图案的方法-CN201010003221.6无效
发明人：姚宗良 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2010-01-11 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种形成图案的方法，首先提供待蚀刻的材料层，材料层可以为待形成金属内连线的介电层，接着在材料层上形成图案化硬掩模，其中图案化硬掩模可以为多层或是单层结构，例如至少一含金属原子材料所构成的图案化硬掩模，然后，再进行预处理工艺，此预处理工艺可以包含氮化工艺、氧化工艺或紫外光照射，其主要目的是将含金属原子材料的表面性质改变，使得含金属原子材料在蚀刻过程中不会不利地和蚀刻气体反应，接着再利用处理过后的图案化硬掩模作为掩模
形成图案方法

[发明专利]光掩模及其制造方法-CN201510249444.3有效
发明人：薛文章;陈嘉仁;连大成;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供了一种光掩模及其制造方法。在多个实施例中，光掩模包括衬底、图案化的第一衰减层、图案化的第二衰减层和图案化的第三衰减层。图案化的第一衰减层设置在衬底上。图案化的第二衰减层设置在图案化的第一衰减层上。图案化的第三衰减层设置在图案化的第二衰减层上。图案化的第一衰减层的第一部分、图案化的第二衰减层的第一部分和图案化的第三衰减层堆叠在衬底上以作为二元强度掩模。
光掩模及其制造方法

[发明专利]滤色器掩模布局-CN200610164690.X无效
发明人：姜在贤 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-14 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及一种滤色器掩模布局，其能够通过在制造滤色器的过程中防止发生角部圆化而降低SNR。在所述实施例中，该滤色器掩模布局可以包括：蓝色滤色器掩模图案，其设置于中心部；红色滤色器掩模图案，其沿该蓝色滤色器掩模图案的对角线方向设置以便与该蓝色滤色器掩模图案隔开；绿色滤色器掩模图案，其沿该蓝色滤色器掩模图案的对角线方向设置以便与该蓝色滤色器掩模图案隔开，以及校正掩模图案，其安装于该绿色滤色器掩模图案的角部处，用以进行光学邻近校正。
滤色器掩模布局

[发明专利]掩模修整-CN200880103492.X有效
发明人：苏普利亚·戈亚尔;许东浩;金智洙;S·M·列扎·萨贾迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-08-19 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在介电层上形成具有掩模特征的图案化的掩模。该掩模具有该掩模特征的隔离区和致密区。通过多个循环修整该掩模，其中每个循环包含沉积沉积层并选择性蚀刻该沉积层和该图案化的掩模。该选择性蚀刻相对于该掩模的该致密区选择性地修整该掩模的该隔离区。使用修整过的掩模蚀刻该介电层。除去该掩模。
修整

[发明专利]形成半导体器件的精细图案的方法-CN200810000680.1无效
发明人：卜喆圭;潘槿道 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-01-14 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开一种形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括在具有底层的基板上形成沉积膜。沉积膜包括第一、第二和第三掩模薄膜。所述方法还包括在第三掩模薄膜上形成光阻图案，将第三掩模薄膜图案化以形成沉积图案，以及在沉积图案的侧壁上形成非晶碳图案。所述方法还包括在沉积图案和非晶碳图案上填充旋涂碳层，抛光旋涂碳层、非晶碳图案和光阻图案以露出第三掩模图案，以及以非晶碳图案作为蚀刻掩模来执行蚀刻工序，以露出第一掩模薄膜。蚀刻工序移除第三掩模图案和露出的第二掩模图案。所述方法还包括移除旋涂碳层和非晶碳图案，以及以第二掩模图案作为蚀刻掩模来形成第一掩模图案。
形成半导体器件精细图案方法

[发明专利]用于蚀刻半导体结构的含碘的氟碳化合物和氢氟烃化合物-CN202180048256.8在审
发明人：法布里齐奥·马切吉亚尼 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：披露了用于蚀刻含硅膜以形成图案化结构的方法、用于在形成图案化结构的同时补强和/或增强和/或最小化图案化掩模层的损害的方法以及用于在形成图案化结构的工艺中增加图案化掩模层的抗蚀刻性的方法。该经活化的含碘蚀刻化合物产生碘离子，该碘离子被注入图案化的硬掩模层中，从而增强该图案化掩模层。
用于蚀刻半导体结构碳化氢氟烃化合物

[发明专利]一种图案化方法-CN201710773924.9在审
发明人：张高升;刘聪;沈剑平;贺晓平;万先进 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种图案化方法，该方法在第一对硬掩模层进行刻蚀，形成图案化的第一硬掩模层后，采用腐蚀性酸液清洗该图案化的第一硬掩模层。如此，就可以将第一硬掩模层刻蚀过程中产生的副产物从图案化后的第一硬掩模层表面清洗掉，该清洗掉刻蚀副产物的第一硬掩模层表面有利于后续待刻蚀材料层的沉积，从而能够在图案化后的第一硬掩模层的侧壁上形成台阶覆盖率较好的侧墙，使得侧墙顶部厚度与底部厚度相当，使得侧墙联线横截面面积均匀，而且去除掉与侧墙接触的无定型碳硬掩模层之后，侧墙也不很难倾斜，因此当以该侧墙为掩蔽时，最终能够在待刻蚀材料层形成质量较好的图形，从而有利于提高产品的良率
一种图案方法

[发明专利]利用侧壁图像转移技术形成SRAM装置的方法-CN201310030477.X有效
发明人： N·V·里考斯 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：本发明涉及利用侧壁图像转移技术形成SRAM装置的方法，在一示例中，本发明方法包含：在半导体基板上方形成硬掩模层；在该硬掩模层上方形成图案化间隙壁掩模层，其中，该图案化间隙壁掩模层由多个第一间隙壁、第二间隙壁以及第三间隙壁组成；以及通过该图案化间隙壁掩模层在该硬掩模层上执行第一蚀刻工艺，以定义图案化硬掩模层。该方法还包含通过该图案化硬掩模层执行第二蚀刻工艺，以在该基板中定义多个第一鳍片、第二鳍片以及第三鳍片，其中，该第一鳍片的宽度大致对应该第一间隙壁的宽度，该第二鳍片的宽度大致对应该第二间隙壁的宽度，以及该第三鳍片的宽度大致对应该第三间隙壁的宽度
利用侧壁图像转移技术形成 sram 装置方法

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